• 전자공학회논문지D
• /
• 제35D권5호
• /
• pp.11-17
• /
• 1998

In this paper, the synthesis procedufe of impedance matching network is presented for broad-band microwave amplifier design, whereby amplifier operating in the octave bandwidth is designed and fabricated in detail. The transfer function of the matching netowrks is synthesized by chebyshev approximation and element values for the networks of specified topology are calculatd for various MILs and ripples. After the transistor is modeled by negative-image device model, the synthesis procedure for matching networks is applied to broad-band amplifier design which has electrical performance of about 12dB gain in 4 to 8GHz range. Experimental results obtained from the fabricated amplifier are shown to approach the electrical performance designed in the given frequency range. Construction of the impedance matching networks by transfer function synthesis is very useful method for the design of broad-band microwave amplifiers.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제3권1호
• /
• pp.42-46
• /
• 2003

In this paper, an MMIC broadband amplifier for wireless communication systems has been developed by using an active feedback method. This active feedback operates at much higher frequencies than a method by a spiral inductor feedback and its size is independent of the inductance value. The MMIC broadband amplifier was designed using a $0.5{\;}{\mutextrm{m}}$ MESFET library. The fabricated chip area was $1.4{\;}mm{\;}{\times}{\;}1.4{\;}mm. Measurement showed a gain of 18 dB with a gain flatness of ${\pm}3$ dB in a 1.5 GHz~3.5 GHz band. The maximum output power and the minimum noise figure were 14 dBm and 2.5 dB in the same band, respectively.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
• /
• pp.177-180
• /
• 1999

A two-stage monolithic microwave integrated circuits (MMIC) broad-band power amplifier with AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) has been developed for the up-link and down-link applications for local multipoint distribution systems (LMDS) in the frequency range of 24~28㎓. The amplifier has a small signal gain of 18.6㏈ at 24.5㎓ and 16.7㏈ at 27.1㎓. It achieved output powers of 19.8㏈m with PAE of 19.8% at 24.5㎓ and 18.8㏈m at 27.1㎓.

• 한국ITS학회 논문지
• /
• 제10권5호
• /
• pp.71-78
• /
• 2011

본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{\pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.

• 전기학회논문지
• /
• 제60권12호
• /
• pp.2286-2292
• /
• 2011

In this paper we present the design of Low Noise Amplifier(LNA), mixer and filter for RF front-end part of partial discharge monitoring system. The monitoring system of partial discharge in high voltage power machinery is used to prevent many kinds of industrial accidents, and is usually composed of three parts - sensor, RF front-end and digital microcontroller unit. In our study, LNA, mixer and filter are key components of the RF front-end. The LNA consists of common gate and common source-cascaded structure and uses the resistive feedback for broad band matching. A coupled line structure is utilized to implement the filter, of which size is reduced by the meander structure. The mixer is designed using dual gate structure for high isolation between RF and local oscillator signal.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
• /
• 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
• /
• pp.257-261
• /
• 2001

This paper presents the implementation of wide-band RFIC amplifier operating from near 50MHz to 3GHz using Tachyonics SiGe HBT foundry. Voltage shunt feedback is used for the flat gain and the broad band impedance matching. Initial design parameters are calculated using the low frequency small signal analysis. Since the HBT model was not available at the design time, discrete tuning board was made for fine tuning in the low frequency range. Fabricated amplifier shows 12dB gain with 1dB fluctuation and PldB reaches 15dBm at 850MHz.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제40권11호
• /
• pp.34-41
• /
• 2003

본 논문에서는 MINT의 0.1㎛ PHEMT MIMIC 공정을 이용하여 제작한 광대역 증폭기와 주파수 혼합기를 사용해서 60㎓ 무선랜 송ㆍ수신 시스템을 설계 제작하였다. RF단 송신기의 출력파워는 0㏈m, 이득은 1.7㏈ 얻었고, 수신기의 노이즈 특성은 4.2㏈, 이득은 1.57㏈를 얻었다. 구현된 시스템은 통신거리 35m이상 거리에서 BER 10/sup -6/ 이하로 통신할 수 있다. 신호의 왜란과 은닉성이 강한 DSSS 방식을 사용하여, 단거리 비밀 통신을 목적으로 개발하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.68-73
• /
• 2002

본 논문에서는 타키오닉스의 SiGe HBT 파운더리를 이용하여 50 MHz에서 3 GHz까지 동작하는 광대역 RFIC 증폭기를 구현한다. 평탄한 이득특성과 광대역 임피던스 정합을 위하여 voltage-shunt 피드백 구조를 이용하였으며, 저주파 소신호 해석을 이용하여 설계 파라메터의 초기값을 결정하였다. 설계시점에서 HBT의 대신호 모델이 준비되지 않았기 때문에 저주파에서 유효한 튜닝보드를 제작하여 설계 파라메터를 미세 조정하였다. 제작된 증폭기는 12 dB 이득에 1 dB 이득 변동특성을 갖고 있으며, P1 dB는 850 MHz에서 15 dBm이다.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제41권2호
• /
• pp.65-70
• /
• 2004

본 논문에서는 비선형 RF(Radio Frequency) 증폭기의 선형화를 위한 새로운 구조의 전치왜곡 선형화기를 제안한다. 전치 왜곡에 이용되는 3차 비선형 성분은 RF 신호의 포락선(envelope) 전력을 이용하여 발생시킨다. 3차 왜곡 성분 발생기(3rd order distortion generator)는 FET로 구성되었고, 왜곡 신호 발생 후 남아 있는 주 신호 성분 제거를 위해 평형 결합 구조를 제시하였다. 발생된 3차 혼변조 신호는 RF 대역에서 진폭과 위상을 조절함으로써 최적의 선형화 조건을 만족시킨다. 2-tone 실험결과 증폭기의3차 흔변조특성이 30～40㏈ 개선되었다. IS-95 CDMA 신호 실험 결과 인접 채널 전력 비(ACPR)가 약 l0㏈이상 개선됨을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권11호
• /
• pp.1262-1270
• /
• 2007

본 논문에서는 feedforward와 post-distortion 기법을 이용하여 평형 증폭기 내에서 발생하는 혼변조 왜곡 성분을 제거할 수 있는 새로운 왜곡 상쇄 메커니즘인 cross post-distortion 선형화 기법을 제안한다. 출력 동적 영역과 대역폭 측면에서 제안하는 선형화 방식은 기존의 feedforward 방식에 뒤지지 않는 성능을 가지고 있으면서 상대적으로 높은 효율을 제공한다. 이론적 뒷받침을 위해 제안하는 시스템과 feedforward 방식의 전력 증폭기와 오차증폭기의 전력 용량을 비교 분석하였고, IMT-2000 대역에서 실제 구현을 통하여 이를 실험적으로 뒷받침하였다. 최대 출력 전력 240 W의 기지국용 상용 대전력 증폭기에 적용했을 때, wideband code division multiple access (WCDMA) 4FA 신호에 대하여 평균 출력 전력 40 dBm에서 약 18.6 dB의 개선 효과를 얻었다. 제작된 전력 증폭기는 WCDMA 신호 기준으로 feedforward 방식에 비해 약 2 % 개선된 효율을 보였다.