• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.244.2-244.2
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• 2013

Contact Pattern을 Plasma Etching을 통해 Pattering 공정을 진행함에 있어서 Plasma 내에 존재하는 High Energy Ion 들의 Bombardment 에 의해, Contact Bottom 의 Silicon Lattice Atom 들은 Physical 한 Damage를 받아 Electron 의 흐름을 방해하게 되어, Resistance를 증가시키게 된다. 또한 Etchant 로 사용되는 Fluorine 과 Chlorine Atom 들은, Contact Bottom 에 Contamination 으로 작용하게 되어, 후속 Contact 공정을 진행하면서 증착되는 Ti 나 Co Layer 와 Si 이 반응하는 것을 방해하여 Ohmic Contact을 형성하기 위한 Silicide Layer를 형성하지 못하도록 만든다. High Aspect Ratio Contact (HARC) Etching 을 진행하면서 Contact Profile을 Vertical 하게 형성하기 위하여 Bias Power를 증가하여 사용하게 되는데, 이로부터 Contact Bottom에서 발생하는 Etchant 로 인한 Damage 는 더욱 더 증가하게 된다. 이 Damage Layer를 추가적인 Secondary Damage 없이 제거하기 위하여 본 연구에서는 원자층 식각방법(Atomic Layer Etching Technique)을 사용하였다. 실험에 사용된 원자층 식각방법을 이용하여, Damage 가 발생한 Si Layer를 Secondary Damage 없이 효과적으로 Control 하여 제거할 수 있음을 확인하였으며, 30 nm Deep Contact Bottom 에서 Damage 가 제거될 수 있음을 확인하였다. XPS 와 Depth SIMS Data를 이용하여 상기 실험 결과를 확인하였으며, SEM Profile 분석을 통하여, Damage 제거 결과 및 Profile 변화 여부를 확인하였으며, 4 Point Prove 결과를 통하여 결과적으로 Resistance 가 개선되는 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.389-395
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• 2005

The etching technology of the high aspect ratio contact(HARC) is necessary at the critical contact processes of semiconductor devices. Etching the $SiO_{2}$ contact hole with the sub-micron design rule in manufacturing VLSI devices, the unexpected phenomenon of 'profile tilting' or 'bottom distortion' is often observed. This makes a short circuit between neighboring contact holes, which causes to drop seriously the device yield. As the aspect ratio of contact holes increases, the high C/F ratio gases, $C_{4}F_{6}$, $C_{4}F_{8}$ and $C_{5}F_{8}$, become widely used in order to minimize the mask layer loss during the etching process. These gases provide abundant fluorocarbon polymer as well as high selectivity to the mask layer, and the polymer with high sticking yield accumulates at the top-wall of the contact hole. During the etch process, many electrons are accumulated around the asymmetric hole mouth to distort the electric field, and this distorts the ion trajectory arriving at the hole bottom. These ions with the distorted trajectory induce the deformation of the hole bottom, which is called 'profile tilting' or 'bottom distortion'. To prevent this phenomenon, three methods are suggested here. 1) Using lower C/F ratio gases, $CF_{4}$ or $C_{3}F_{8}$, the amount of the Polymer at the hole mouth is reduced to minimize the asymmetry of the hole top. 2) The number of the neighboring holes with equal distance is maximized to get the more symmetry of the oxygen distribution around the hole. 3) The dual frequency plasma source is used to release the excessive charge build-up at the hole mouth. From the suggested methods, we have obtained the nearly circular hole bottom, which Implies that the ion trajectory Incident on the hole bottom is symmetry.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권12호
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• pp.988-991
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• 2011

We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device. In order to discuss the channel formation, we were observed the capacitance-gate voltage(C-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device.

• 한국정밀공학회지
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• 제26권2호
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• pp.86-93
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• 2009

Elastomeric O-rings have been the most common seals due to their excellent sealing capacity, and availability in costs and sizes. One of the critical applications of O-ring seals is solid rocket motor joint seal where the operating hot gas must be sealed during the combustion. This has long been a design issue to avoid the system failure. For laterally constrained, squeezed and pressurized condition, deformed shape of O-ring was measured by computed tomography method and CCD laser sensor, compared with numerical calculations. As clearance gap changes, sealing performance had been evaluated on peak contact stresses at top, bottom and side contact surfaces. As clearance gap increases, peak contact stresses and contact widths in top and side contact surfaces increase, and the asymmetry of stress distributions is promoted due to pressure increase. It is suggested that peak stress of bottom contact surface can be approximated by simple superposition of peak ones due to squeeze and pressure. Under pressurized condition, sealing performance is dependent on not peak stresses of bottom and side contact surfaces but that of top.

• 한국정밀공학회지
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• 제13권11호
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• pp.92-99
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• 1996

The contact pressure in jointed plates was measured by means of an improved ultrasonic technique. In order to get calibration curve, the relationship between contact pressure and ratio of boundary and bottom echo of normal beam probes were obtained for the calibration blocks with various surface roughness. The ratio of boundary and bottom echoes were measured for the upper/under plates locally compressed with uniform pressure, and the distribution of contact pressure was obtaines. The measured pressure has a good agreement with results of FEM analysis. Thus the proposed ultrasonic method in this work is very useful to measure the contact pressure.

• 설비공학논문집
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• 제23권2호
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• pp.103-110
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• 2011

A two-dimensional immiscible droplet deformation phenomena on moving wall in a channel has been investigated by using lattice Boltzmann method involving two-phase model. The dependence of the deformation of the droplet with different sizes on the contact angle and the velocity of bottom wall has studied. When the bottom wall starts to move, the deformation of the droplet occurs. For the largest bottom wall velocity, eventually, the deformation of the droplet is classified into the three patterns according to the contact angle.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권12호
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• pp.1001-1007
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• 2002

된 논문에서는 펜타센을 활성층으로 사용하는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 펜타센의 두께, 그리고 소오스 및 드레인 전극의 위치에 따른 소자의 성능 변화에 대하여 연구하였다. 펜타센 박막의 두께가 증가하면 그레인 상태가 박막상태에서 벌크상태로 변화하면서 결정도가 악화되어 성능이 열화하였고, 소오스와 드레인 전극을 펜타센 위에 제작한 소자의 경우 접촉저항은 감소하였으나 누설전류가 증가하여 전류 점멸비가 감소하였다. 그러므로, 펜타센의 두께는, 300Å∼700Å 내외, 그리고 전극은 펜타센 아래에 위치하는 것이 적합한 것으로 확인되었다.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2001년도 춘계학술대회논문집
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• pp.780-785
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• 2001

A method for accurate measurement of the contact force in the current collection system of the high-speed railway is developed. In order to measure the contact force with minimal modifications to the pantograph, strain gauges are attached to the bottom of the contact strip. An algorithm for deriving the magnitude and stagger of the contact force from the bending strain measurements is devised. For the sample pantograph, the static contact forces are measured to within ${\pm}$5 % error for the magnitude and ${\pm}$ 2cm error for the stagger. For dynamic contact force measurement, it is found that the contact strip can the regarded as a rigid body for the contact frequency of less than 15 ㎐.

• 대한토목학회논문집
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• 제28권2C호
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• pp.105-115
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• 2008

다양한 지층에 설치된 대형 뉴메틱케이슨의 강성기초에 작용하는 접지압분포를 파악하기 위하여 영종대교하부기초로 채택된 뉴메틱케이슨 시공시 실시한 현장계측자료를 분석하였다. 뉴메틱케이슨의 침설시 케이슨의 하부 접지면에 케이슨의 침설에 저항하여 저항력이 작용할 것이다. 이 저항력을 뉴메틱케이슨 기초저면 모서리에 설치한 반압계로 측정할 수 있었다. 그리고 이 저항력측정기록을 이용하여 접지압을 산정하였다. 측정기록의 분석결과 기반암구간에서 뉴메틱케이슨기초에 작용하는 접지압분포는 아래로 볼록한 형상의 접지압분포를 보이는 반면에 해성퇴적층과 풍화암층에서의 접지압분포는 위로 볼록한 형상을 보인다. 그리고 이들 접지압분포는 대체적으로 모든 지층에서 대칭분포를 나타내고 있다. 대형 뉴메틱케이슨기초에 작용한 최대접지압에 의하여 제시된 접지압분포는 Kgler(1936)와 Fang(1991)이 강성기초를 대상으로 제시한 접지압분포특성과 잘 일치하는 것으로 나타났다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.93-98
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• 2013

본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마 중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 유기트랜지스터 성능향상을 위해 전극구조에 따른 특성을 파악하고자 트랜지스터의 이동도 및 출력특성을 본결과, 상부전극구조의 경우 최대 이동도는 $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$을 보이고 하부전극구조의 경우 $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$의 낮은 이동도 값을 얻었으며, 하부전극구조의 경우 off current값이 증가되는 특성을 볼 수 있다. 그러므로 유기트랜지스터의 전극구조는 상부전극 방식이 좋은 것 알 수 있었다.