• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.2230-2236
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• 2012

현재 대형선박에서 다이오드 정류기를 이용한 AC-DC 전력변환장치를 주로 사용하고 있으며 이는 총고조파왜형율을 줄이기 위하여 다중펄스를 출력할 수 있는 상치환변압기가 추가적으로 설치되어야 한다. 이 경우 상치환변압기의 설치로 인해 공간적, 경제적 손실이 발생한다. 본 논문에서는 LNG 운반선 등과 같은 대형선박에서 현재 운용중인 다이오드 정류기를 대신하여 SCR, IGBT등의 소자를 이용하는 새로운 능동형 정류방식을 제안하여 저전압 전원의 이용이 가능하고 전력선 부하에 의해 발생하는 고조파 발생을 줄이며 또한, 기존의 방식에서 사용하는 상치환변압기를 제거하여 경제적인 이점도 얻고자 하였다. 현재 대형선박에서 운용중인 전기추진시스템에 제안한 시스템을 시뮬레이션 한 결과, 추진전동기 입력 전류 및 전압 파형에 포함된 총고조파왜형율이 개선됨을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1935-1944
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• 1993

레이저 다이오드단면의 최적 무반사 코팅 조건을 활성층 두께의 함수로써 세가지 간단한 수치해석 방법을 사용하여 계산하였다. 세가지 간단한 수치해석 방법을 사용하여 얻은 결과가 서로 가른 것은 각 방법에서 사용한 레이저 다이오드내의 유효 굴절율이 다르기 때문이다. 또한 간단한 수치해석 방법의 정확성을 검토하기위하여 정확한 수치해석 결과와 그 결과들을 비교하였다. 레이저 다이오드의 유효 굴절율이 도과모드를 구성하는 각 편면파의 입사간도에 따라 변해 굴절율이 도파모드를 구성하는 각 평면파의 입사각도 따라 변화하도록 설정한 방법이 TE와 TM 모드에 대해서 또 활성층 굴절율과 클래딩층의 굴절율차가 작은 경우 클 경우 각각에 대하여 정확한 수치해석 결과와 잘 일치함을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1125-1128
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• 2002

Tantalum pentoxide (Ta$_2$O$\sub$5/) is a candidate for use in metal-insulator-metal diode in switching devices for active-matrix liquid-crystal displays. The MIM diode with very low threshold voltage and perfect symmetry was fabricated. High quality Ta$_2$O$\sub$5/ thin films were obtained by using an anodizing method. Rutherford backscattering spectroscopy, transmission electron microscope observations, auger electron spectroscopy, ellipsometry measurements, and electrical measurements, such as current - voltage(I-V) measurements were performed to investigate Ta$_2$O$\sub$5/ films and their reliability and indicated that the obtained TaOx thin films were reliable Ta$_2$O$\sub$5/ films for the applications. Furthermore, in this paper, we discuss the effects of top-electrode metals and annealing conditions. The conduction mechanism of the leakage current and the symmetry characteristics related to the Schottky emission and Poole-Frankel effect are also discussed using the results of electrical measurements and conduction barrier theory.

• 센서학회지
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• 제17권1호
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• pp.41-52
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• 2008

In this paper, a circuit analysis of the complementary CMOS active pixel and readout circuit is carried out. Complementary pixel structure which is different from conventional 3TR APS structure is consist of photo diode, reset PMOS, several NMOSs and PMOSs sets for complementary signals. Photo diode is modelled with Medici device program. HSPICE was used to analyze the variation of the signal feature depending on light intensity using $0.5{\mu}M$ standard CMOS process. Simulation results show that the output signal range is from 0.8 V to 4.5 V. This signal range increased 135 % output dynamic range compared to conventional 3TR pixel in the condition of 5 V power supply.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.718-723
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• 2006

초고속 정보통신망의 구축에 있어 광모듈은 중요한 부분을 차지하고 있다. 그 중에서 광원인 레이저 다이오드는 온도에 변화에 대해 성능이 크게 좌우되므로, 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문은 평면 매립형 레이저 다이오드를 비율 방정식에 의하여 전기적 등가회로로 변환하였다. 그리고, 누설 경로에 해당하는 활성층 바깥 영역을 다이오드와 두 개의 트랜지스터로 등가화한 후, 시뮬레이션을 통해 누설전류를 해석하였다. 시뮬레이션을 통해 누설전류를 줄이기 위한 전류차단층의 도핑농도를 조사하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권4호
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• pp.131-138
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• 2011

We fabricated distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module and characterized the lasing properties in continuous wave operation. The active layer of 7-period InGaAsP(1.127 eV)/InGaAsP(0.954 eV) multi-quantum well structure was grown by the metal-organic chemical vapor deposition. The grating for waveguide was also fabricated by the implementation of the Mach-Zehender holographic method of two laser beams interference of He- Cd laser and the fabricated laser diode has the dimension of the laser length of $400{\mu}m$ and the ridge width of $1.2{\mu}m$. The laser diode shows the threshold current of 3.59 mA, the threshold voltage of 1.059 V. For the room-temperature operation with the current of 13.54 mA and the voltage of 1.12 V, the peak wavelength is about 1309.70 nm and optical power is 13.254 mW.

• 전력전자학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.304-309
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• 1999

본 논문에서는 새로운 24펄스 다이오드 정류기 시스템을 제안한다. 제안하는 다이오드 정류기 시스템은 기존의 직렬형 12펄스 다이오드 정류기에 수동의 보조회로를 추가함으로서 구성되어지고, 입력전류는 제 22차까지의 고조파가 제거되어 거의 정현파에 가까운 전류 파형을 얻는다. 또한, 출력 전압은 n=24k, k=1,2,3... 의 고조파 성분을 갖는 24펄스 특성를 나타낸다. 더욱이, 이 보조회로의 용량은 출력용량에 비하여 매우 작으며, 능동 스위칭소자를 사용하지 않으므로 외란에 강하고 구현이 간단하다. 따라서, 본 방식은 중·대용량급의 고전압 비제어(uncontrolled) 직류전원이 필요한 인버터나 무정전 전원장치등의 앞단에서 입력고조파의 저감에 경제적이고 효율적이다. 220V, 3KVA 정류기 시스템의 실험을 통하여 제안한 시스템의 타당성을 검증하였다.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권9호
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• pp.1356-1361
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• 2018

Replacing conventional Si diodes with SiC diodes in Si insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules is advantageous as it can reduce power losses significantly. Also, the fast switching nature of the SiC diode will allow Si IGBTs to operate at their full high-switching-speed potential, which at present conventional Si diodes cannot do. In this work, the electrical test results for Si-IGBT/4HSiC-Schottky hybrid substrates (hybrid SiC substrates) are presented. These substrates are built for two voltage ratings, 1.7 kV and 3.3 kV. Comparisons of the 1.7 kV and the 3.3 kV Si-IGBT/Si-diode substrates (Si substrates) at room temperature ($20^{\circ}C$, RT) and high temperature ($H125^{\circ}C$, HT) have shown that the switching losses in hybrid SiC substrates are miniscule as compared to those in Si substrates but necessary steps are required to mitigate the ringing observed in the current waveforms. Also, the effect of design variations on the electrical performance of 1.7 kV, 50 A diodes is reported here. These variations are made in the active and termination regions of the device.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권4호
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• pp.161-165
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• 2023

This paper designed a voltage feedback driving circuit to compensate for the characteristic deviation of the Active Matrix Organic Light Emitting Diode driving Thin Film Transistor. This paper describes a stable and fast circuit by applying charge sharing and polar stabilization methods. A 12-inch Organic Light Emitting Diode with a Double Wide Ultra eXtended Graphics Array resolution creates a screen distortion problem for line parasitism, and charge sharing and polar stabilization structures were applied to solve the problem. By applying Charge Sharing, all data lines are shorted at the same time and quickly positioned as the average voltage to advance the compensated change time of the gate voltage in the next operation period. A buffer circuit and a current pass circuit were added to lower the Amplifier resistance connected to the line as a polar stabilization method. The advantage of suppressing the Ringing of the driving Thin Film Transistor can be obtained by increasing the stability. As a result, a circuit was designed to supply a stable current to the Organic Light Emitting Diode even if the characteristic deviation of the driving Thin Film Transistor occurs.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1033-1036
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• 2002

This paper introduces a control method of series active power filter that compensate harmonic currents and eliminate a neutral line current in 3 phase 3 wire and 3 phase 4 wire power system with harmonic voltage source. These harmonic currents and neutral line current are caused by a nonlinear loads such as diode rectifiers and thyristor converters. Proposed methode extracts a voltage reference directly from performance function without phase transformation. Therefore, the control method is simpler than any other conventional methods. Experimental results for 3-phase 3-wire and 3-phase 4-wire series active power filter system were shown to verify the effectiveness of this control method.