$Cr_2O_3$ nanoparticles were prepared via one-step reactive laser ablation of Cr in oxygen. The metastable $CrO_2$ phase was obtained through the subsequent oxidation of $Cr_2O_3$ nanoparticles under $O_2$ with gas pressures of up to 40 MPa. The as-prepared $Cr_2O_3$ nanoparticles are spherical or rectangular in shape with sizes ranging from 20 nm to 50 nm. High oxygen pressure annealing is effective in producing meta-stable $CrO_2$ from as-dried $Cr_2O_3$ nanoparticles, and the $Cr_2O_3$ nanoparticles exhibit a weak ferromagnetic behavior with an exchange bias of up to 11 mT that can be ascribed to the interfacial exchange coupling between uncompensated surface spins and the antiferromagnetic core. The $Cr_2O_3/CrO_2$ nanoparticles exhibit an enhanced saturation magnetization and a reduced exchange bias with an increasing faction of $CrO_2$ due to the elimination of uncompensated surface spins over the $Cr_2O_3$ nanoparticles when exposed to a high pressure of $O_2$ and/or possible phase segregation that results in a smaller grain size for both $Cr_2O_3$ and $CrO_2$.
Thermal conductivity, thermal diffusivity were measured in the atrium of a swine heart. Radiofrequency (RF) catheter ablation in an atrium has rapidly emerged at the treatment of symptomatic reentrant arrhythmia associated with accessory pathway or Atrioventricular (AV) node conduction. The thermal properties of an atrium are definitely necessary for these treatments because, in thermal treatments, conductivity and diffusivity are significant factors in the relationship between the applied RF power and the resulting atrium temperature rise. Thermal properties were measured using a self-heated thermistor probe. Thermistor probes were inserted into the tissue of interest and were used to supply heat within the tissue as well as to monitor the temperature rise in the tissue. The measurements were performed at temperatures of 25, 37, $50^{\circ}C$. Atrium thermal conductivity ranged from 5.17$\pm$0.12 mW/cm$^{\circ}C$ at $25^{\circ}C$ to 5.33$\pm$0.08 mW/cm$^{\circ}C$ at $37^{\circ}C$. Atrium thermal diffusivity ranged from 0.00132$\pm$0.00007$cm^2$/sec at $25^{\circ}C$ to 0.00138$\pm$0.00003 $cm^2$/sec at $50^{\circ}C$. This paper also present the thermal property comparison of both chambers of a heart (ventricle and atria).
한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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pp.251-265
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2000
S $m_{2}$F $e_{17}$$N_{x}$ film magnets using a S $m_{2}$F $e_{17}$ target were prepared at $N_{2}$ gas atmosphere using a Nd-YAG laser ablation technique. The effect of nitrogen pressure, deposition temperature, pulsation time and film thickness on the structure and magnetic properties of S $m_{2}$F $e_{17}$$N_{x}$ film were studied. Increasing the nitrogen pressure up to 5 atm. was confirmed to lead the formation of complete S $m_{2}$F $e_{17}$$N_{x}$ compound. Optimized magnetic properties with the nitrogenation temperature ranging over 500-53$0^{\circ}C$ could be obtained by extending the nitrogenation time up to 4 hours. Relatively low coercivities of 400~600 Oe were exhibited from the S $m_{2}$F $e_{17}$$N_{x}$ films having the thickness of 50~100 nm while 4$\pi$$M_{s}$ of 10~12 kG could be achieved. In-plane anisotropic characteristic, which was the basic goal in this study, was achieved by controlling the nitrogenation parameters.ameters.ers.ameters.
Lim, T.M.;Park, J.Y.;Han, J.S.;Hwang, P.G.;Lee, K.H.;Jung, K.W.;Jung, D.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제30권1호
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pp.201-204
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2009
$BaTiO_3/SrTiO_3$ and $PbTiO_3/PbZrO_3$ superlattice thin films were fabricated on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by the pulsed laser deposition process. The morphologies and physical properties of deposited films were characterized by using X-ray diffractometer, HR-SEM, and Impedance Analyzer. XRD data and SEM images of the films indicate that each layer was well deposited alternatively in the superlattice structure. The dielectric constant of $BaTiO_3/SrTiO_3$ superlattice thin film was higher than that of individual $BaTiO_3$ or $SrTiO_3$ film. Same result was obtained in the $PbTiO_3/PbZrO_3$system. The dielectric constant of a superlattice film was getting higher as the number of layer is increased.
The goal of the research is to study and describe a new stressed state of High Temperature Superconducting (High-T$_{c}$) YBCO Films, to create of SQUIDs (Superconducting Quantum Interference Device) on the bases of these films with maximal sensitivity. With the experimental investigation of the stressed films grown by laser ablation method and its properties, the fabrication of the dc-SQUIDs with maximal sensitivity on the bases of the stressed YBCO films were carried out. The stressed film having the value of the critical current density J$_{c}$=3ㆍ$10^{5}$A/$\textrm{cm}^2$ was the more stable than others.ers.s.
Noncrystalline films of diamond-like carbon (DLC) have been prepared by laser ablation technique at room temperature. A Q-switched Nd-YAG laser beam with wavelength of 1064 nm and pulse duration of 10 ns was focused onto a graphite target with power densities of about $10^9 W/\textrm{cm}^2$. The physical properties of the resulting films were analyzed with density, hardness, and resistivity measurements. The surface and bonding structure were investigated by atomic force microscopy (AFM), Raman spectroscopy, electron energy loss spectroscopy (EELS).
The goal of the research is to study and describe a new stressed state of High Temperature Superconducting (High-Tc) YBCO Films, to create of SQUIDs (Superconducting Quantum Interference Device) on the bases of these Films with maximal sensitivity. The experimental investigation of the stressed films grown by laser ablation method and its properties, the fabrication of the dc-SQUIDs with maximal sensitivity on the bases of the stressed YBCO films were carried out. The stressed film having the value of the critical current density $J_{c}=3{\cdot}10^{5}A/cm^{2}$ was the more stable than others.
Si nanocrystal (Si NC) memory device has several advantages such as better retention, lower operating voltage, reduced punch-through and consequently a smaller cell area, suppressed leakage current. However, the physical and electrical reasons for this behavior are not completely understood but could be related to interface states of Si NCs. In order to find out this effect, we characterized electrical properties of Si NCs embedded in a SiO$_{2}$ layer by scanning probe microscopy (SPM). The Si NCs were generated by the laser ablation method with compressed Si powder and followed by a sharpening oxidation. In this step Si NCs are capped with a thin oxide layer with the thickness of 1$\~$2 nm for isolation and the size control. The size of 51 NCs is in the range of 10$\~$50 m and the density around 10$^{11}$/cm$^{2}$ It also affects the interface states of Si NCs, resulting in the change of electrical properties. Using a conducting tip, the charge was injected directly into each Si NC, and the image contrast change and dC/dV curve shift due to the trapped charges were monitored. The results were compared with C-V characteristics of the conventional MOS capacitor structure.
KrF 엑시머 Laser Ablation 법으로 (100)Si 기판위에 NdFeB 박막을 제조하였다. N $d_{x}$F $e_{90.98-x}$$B_{9.02}$(x=17.51 ~ 27.51) 조성의 타겟을 사용하고, 레이저광에너지밀도를 2.75 ~ 5.99 J/c $m_{2}$, 기판온도를 620 ~ 700 .deg. C로 하여 제공정 조건이 박막의 자기특성, 결정배향성 및 미세조직에 미치는 영향을 조사한 결과, 증착상태의 시편에서 우선결정배향성은 관찰되지 않았으나 4 .pi. $M_{s}$ .approximately equal. 7 kG, 4 .pi. $M_{r}$ .approximately equal. 4 kG 및 $H_{c}$ = 300 ~ 1000 Oe인 자기특성이 얻어졌다. 증착 속도는 에너지밀도의 증가에 따라 직선적으로 증가 하였으며, 기판온도 증가에 따라서는 현저한 변화가 관찰되지 않았다. 3 J/c $m_{2}$의 에너지밀도가 최적의 조건이었으며, Nd량의 증가에 따라 4 .pi. $M_{s}$ 의 현저한 감소없이 4 .pi. $M_{r}$ 과 $H_{c}$가 증가하는 경향이 확인되었다.되었다.다.
Q switch mode 혹은 Fixed Q mode Nd-YAG 레이저 어블레이션법으로 (100)Si 기판위에 SmCo 박막을 증착하였다. 증착시 Sm$_{100-x}$Co$_{x}$ (73$\leq$x$\leq$93) 조성의 타겟을 사용하였고, 기판온도는 600~$700^{\circ}C$ 변화시켰으며 각 mode 에너지를 조절하였다. Q switching mode로 증착된 박막의 4$\pi$Ms, $_{i}$H$_{c}$ 및 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 5.2~7.7 kG, 190~250 Oe, 0.4~O.74이었다. 반면, Fixed Q mode로 얻어진 박막의 $_{i}$H$_{c}$, 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 430~6290 Oe, 0.32~0.91로 훨씬 양호한 경자기 특성이 나타났다. 후자의 자기특성은 박막에 존재하는 입자(droplet)내 SmCo$_{5}$ 와 Sm$_2$Co$_{17}$상의 생성에 의한 것으로 판단된다. 입자의 존재로 인한 박막표면의 거칠기는 향후 연구에서 해결되어야 할 문제점으로 확인되었다.문제점으로 확인되었다.었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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