Abstract
NdFeB films have been grown onto Si(100) substrate by a KrF pulsed laser ablation of the targets of $Nd_xFe_{90.98-x}B_{9.02}$ (x=17.51~27.51) at the substrate temperature of 620~700 $^{\circ}C$ and the laser beam energy density of 2.75~5.99 J/$\textrm{cm}^2$. The films exhibit no preferred orientation, however, good hard magnetic properties were produced from as-deposited condition : $4{\pi}M_s$=7 kG, $4{\pi}M_r$=4 kG, and $H_c$=300~1000 Oe. The depositon rate was not greatly influenced by changing the substrate temperature, but it increases linearly by increasing the beam energy density. The beam energy density of 3 J/$\textrm{cm}^2$ gave the optimal condition to have the highest $4{\pi}M_r$ and $H_c$ as well. The higher content of Nd induces a higher coercivity and $4{\pi}M_r$ at the same time without prominent change in $4{\pi}M_s$.
KrF 엑시머 Laser Ablation 법으로 (100)Si 기판위에 NdFeB 박막을 제조하였다. N $d_{x}$F $e_{90.98-x}$ $B_{9.02}$(x=17.51 ~ 27.51) 조성의 타겟을 사용하고, 레이저광에너지밀도를 2.75 ~ 5.99 J/c $m_{2}$, 기판온도를 620 ~ 700 .deg. C로 하여 제공정 조건이 박막의 자기특성, 결정배향성 및 미세조직에 미치는 영향을 조사한 결과, 증착상태의 시편에서 우선결정배향성은 관찰되지 않았으나 4 .pi. $M_{s}$ .approximately equal. 7 kG, 4 .pi. $M_{r}$ .approximately equal. 4 kG 및 $H_{c}$ = 300 ~ 1000 Oe인 자기특성이 얻어졌다. 증착 속도는 에너지밀도의 증가에 따라 직선적으로 증가 하였으며, 기판온도 증가에 따라서는 현저한 변화가 관찰되지 않았다. 3 J/c $m_{2}$의 에너지밀도가 최적의 조건이었으며, Nd량의 증가에 따라 4 .pi. $M_{s}$ 의 현저한 감소없이 4 .pi. $M_{r}$ 과 $H_{c}$가 증가하는 경향이 확인되었다.되었다.다.