• 제목/요약/키워드: ZnS: Cu

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Fe, Mn, Cu 및 Zn의 Systematic Variation 시비가 Orchardgrass 및 White Clover중 이들의 함량에 미치는 영향 (Effects of Systematic Variation Application of Fe, Mn, Cu and Zn on these Contents in Orchardgrass and White Clover)

  • 정연규
    • 한국초지조사료학회지
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    • 제24권4호
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    • pp.271-280
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    • 2004
  • Orchardgrass 및 white clover에서 미량요소 Fe, Mn, Cu 및 Zn의 systematic variation 시비가 목초의 생육, 개화, 수량, 양분 함량 등에 미치는 영향 등을 구명하였다. 다량요소 양분을 동일량 시비한 조건에서 Fe/Cu(시험군-1), Mn/ Zn(시험군-2) 및 Fe+Cu/Mn+Zn(시험군-3) 시험에서는 systematic variation 방법으로 각 시험군 처리별 총 시비량을 0/100, 25/75, 50/50, 75/25, $100/0\% 비율로 나누어 시비처리 하였고, Fe/ Mn/Cu/Zn(시험군-4) 시험에서는 각 주성분의 처리 $70\%$, 기타 성분의 처리는 각각 $10\%$ (합계 $100\%$) 비율로 시비처리 하였다. 1. 처리별 목초 중 미량요소 함량은 일반적으로 white clover가 orchardgrass 보다 더 영향을 받았다 목초 중 Mn과 Cu-함량은 각 처리에 따라 뚜렷한 차이를 보였지만 Fe과 Zn-함량은 경미한 차이를 보였다. 2. Fe/cu 시험에서 white clover는 orchard-grass에 비해서 Cu-함량이 낮을 뿐만 아니라, 낮은 Cu 비율의 처리에서 Cu-함량과 수량이 심한 감소를 보였다. Mn/Zn 시험에서 $0/100\%$ 처리는 두 초종 공히 Mn-함량이 크게 감소되있고, 예취 회수가 갈수록 더 심해졌다. 특히 white clover는 본 1과 2보에서 언급한 Mn-결집 증상과 더불어 생육, 개화 및 수량이 불량한 것과 연관되었다. 3. Fe+Cu/Mn+Zn 시험에서는 처리별 Mn과 Cu-함량만 상대적으로 크게 차이를 보였다. 0/100과 100/0 처리에서 Cu와 Mn-함량이 각각 크게 낮아졌고, 이와 연관하여 특히 white clover는 생육, 개화 및 수량이 불량하였다. 낮은 Cu 및 Mn 시비의 부정적인 영향은 white clover가 orchardgrass보다 더 크게 나타났다. 4. Fe/Mn/Cu/Zn 시험에서는 처리된 각 주성분의 함량이 증가하였으며 특히 Mn-함량이 크게 증가하였다. 또한 각 주성분 처리($70\%$)에 따른 이들 함량의 증가는 다른 부성분($10\%$ 처리)들의 함량에 다소 부정적인 영향을 준 것으로 보였다.

Ni-Cu-Zn페라이트의 損失과 磁性 特性 (Power Loss and Electro-Magnetic Characteristics of Ni-Cu-Zn Ferrites)

  • 대규열부;김정수
    • 자원리싸이클링
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    • 제13권6호
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    • pp.37-42
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    • 2004
  • NiO, ZnO 조성이 다른 Ni-Cu-Zn 페라이트의 손실 분석을 실시했다. 손실, Ph는 측정 온도의 상승에 따라 감소해 100-120$^{\circ}C$ 근처에서 일정한 값을 얻었다. Pcv의 주파수의존성은 Pcv~f$^n$ 로 표현될 수 있는데, n은 1 MHz까지 일정했다. Pcv는 ZnO/NiO비가 증가함에 따라 감소한다. Pcv를 Hysteresis loss(Ph) 및 잔류손실(Pcv-Ph)로 분리했다. Pcv의 온도특성 및 조성 의존성은 Ph에 기인하지만, Pcv-Ph는 온도 및 조성에 의존하지 않는다. Ph와 초투자율, ${\mu}_i$의 온도 및 조성 의존성을 분석해, 다음과 같은 식이 성립된다는 것을 알 수 있었다. ${\mu}_i{\mu}_0=I_s^2/(K_I+b{\sigma}_0{\lambda}_s)$ Wh=13.5(I$_s^2/{\mu}_i{\mu}_0)$ 여기서, ${\mu}_0$은 진공의 투자율, I$_s$는 포화자화, K$_I$는 이방성상수, ${\sigma}_0$는 내부 불균일 응력, ${\lambda}_s$는 자기이방성 상수, b는 미지의 상수, Wh는 1주기 당의 히스테리시스 손실(Ph=Wh${\times}$f)이다. Ni-Cu-Zn 페라이트의 Steinmetz 상수 m=1.64~2.2는 Mn-Zn 페라이트보다는 적은데, 이는 양 재료 간의 손실 메커니즘의 차가 있음을 암시하는 것이다.

Chemical Bath Deposition of ZnS-based Buffer Layers for Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin Film Solar

  • 최희수;박민아;오이슬;전종옥;표성규;김진영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.472.1-472.1
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    • 2014
  • 현재 Cu(In,Ga)Se2나 Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)계 박막태양전지의 버퍼층으로 가장 많이 사용되는 물질은 CdS이다. 하지만 Cd의 독성 문제로 인해 사용에 제약이 있고, CdS의 작은 밴드갭(~2.4 eV)으로 인해 단 파장 영역에서 광활성층의 빛 흡수를 저해하는 문제 때문에 새로운 대체 물질을 찾으려는 연구가 많이 이루어지고 있다. 이러한 관점에서, ZnS계 물질은 독성 원소인 Cd을 사용하지 않고, 3.6 eV 정도의 큰 밴드갭을 가지기 때문에, CdS 버퍼층을 대체하기 위한 물질로 관심을 받고 있다. ZnS계 버퍼층을 증착하는 위해 chemical bath deposition (CBD), molecular beam epitaxy (MBE), thermal evaporation, spray pyrolysis, sputtering, elecrtrodepostion 등의 다양한 공정이 사용될 수 있다. 본 연구에서는 상기의 다양한 공정 가운데, 공정 단가가 낮고, 대면적 공정에 용이한 CBD 공정을 이용하여 ZnS계 버퍼층을 증착하는 연구를 수행하였다. 용액의 조성, 농도, 공정 온도, 시간 등을 비롯한 다양한 공정 변수가 ZnS계 박막의 morphology, 조성, 결정성, 광학적 특성 등 다양한 특성에 미치는 영향이 체계적으로 연구되었다. 또한, 상기 ZnS계 버퍼층을 CZTSSe 박막태양전지에 적용하여 CdS를 성공적으로 대체할 수 있음을 확인하였다. 본 연구를 통하여 ZnS계 버퍼층이 향후 친환경적인 박막태양전지 제조에 활용될 수 있는 가능성을 확인할 수 있었다.

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The characteristic of Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by sputtering CuSn and CuZn alloy targets

  • Lu, Yilei;Wang, Shurong;Ma, Xun;Xu, Xin;Yang, Shuai;Li, Yaobin;Tang, Zhen
    • Current Applied Physics
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    • 제18권12호
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    • pp.1571-1576
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    • 2018
  • Recent study shows that the main reason for limiting CZTS device performance lies in the low open circuit voltage, and crucial factor that could affect the $V_{oc}$ is secondary phases like ZnS existing in absorber layer and its interfaces. In this work, the $Cu_2ZnSnS_4$ thin film solar cells were prepared by sputtering CuSn and CuZn alloy targets. Through tuning the Zn/Sn ratios of the CZTS thin films, the crystal structure, morphology, chemical composition and phase purity of CZTS thin films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS) and Raman spectroscopy. The statistics data show that the CZTS solar cell with a ratio of Zn/Sn = 1.2 have the best power convention efficiency of 5.07%. After HCl etching process, the CZTS thin film solar cell with the highest efficiency 5.41% was obtained, which demonstrated that CZTS film solar cells with high efficiency could be developed by sputtering CuSn and CuZn alloy targets.

DNA Cleavage Induced by the Reaction of Salsolinol with Cu,Zn-Superoxide Dismutase

  • Kang, Jung-Hoon
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제28권12호
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    • pp.2329-2332
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    • 2007
  • Salsolinol, endogenous neurotoxin, is known to be involved in the pathogenesis of Parkinson's disease (PD). In the present study, we have investigated the oxidative damage of DNA induced by the reaction of salsolinol with Cu,Zn-SOD. When plasmid DNA incubated with salsolinol and Cu,Zn-SOD, DNA cleavage was proportional to the concentrations of salsolinol and Cu,Zn-SOD. The salsolinol/Cu,Zn-SOD system-mediated DNA cleavage was significantly inhibited by radical scavengers such as mannitol, ethanol and thiourea. These results indicated that free radicals might participate in DNA cleavage by the salsolinol/Cu,Zn-SOD system. Spectrophotometric study using a thiobarbituric acid showed that hydroxyl radical formation was proportional to the concentration of salsolinol and was inhibited by radical scavengers. These results indicated that hydroxyl radical generated in the reaction of salsolinol with Cu,Zn-SOD was implicated in the DNA cleavage. Catalase and copper chelators inhibited DNA cleavage and the production of hydroxyl radicals. These results suggest that DNA cleavage is mediated in the reaction of salsolinol with Cu,Zn-SOD via the generation of hydroxyl radical by a combination of the oxidation reaction of salsolinol and Fenton-like reaction of free copper ions released from oxidatively damaged SOD.

호소내 퇴적물의 중금속 분석 비교 (Comparison of Heavy Metals Analysis in Sediment)

  • 박선구;송기봉;조기환
    • 분석과학
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    • 제14권2호
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    • pp.173-179
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    • 2001
  • K 수계 6개 지점의 퇴적물에 대해 Fe, Cu, Cr, Zn, Cd를 측정분석하였으며 분석방법들을 비교 분석하였다. 마이크로웨이브에 의한 전처리 방법이 미국의 TCLT(toxicity characteristic leaching procedure)나 폐기물공정시험방법보다 Fe, Cu, Cr, Zn, Cd 모두 높은 값을 나타내었다. 마이크로웨이브, TCLP, 폐기물 공정시험방법에 의한 중금속 분석결과 각각 38.1-48.0 mgFe/kg, 10.2-15.9 mgFe/kg, 3.5-12.6 mgFe/kg, 37.0-50.1 mgCu/kg, 0.06-0.24 mgCu/kg, 0.01-0.03 mgCu/kg 및 137.2-152.0 mgZn/kg, 0.67-0.82 mgZn/kg, 0.3-0.5 mgZn/kg으로 나타났다. 이상의 결과로부터 퇴적물 중에 오염도를 정확히 평가하기 위해서는 효율적이고 새로운 시험방법 개발 연구에 관심을 두어야 한다.

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칩인덕터용 NiCuZn-ferrites 나노 분말합성 및 하소 온도에 따른 특성 변화 (Synthesis of Nano-sized NiCuZn-ferrites for Chip Inductor and Properties with Calcination Temperature)

  • 허은광;김정식
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권1호
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    • pp.31-36
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    • 2003
  • 본 연구에서는 칩 인덕터용 코어 소재로 사용되는 NiCuZn-ferrite를 공침법을 이용하여 나노크기의 초미세 분말로 합성하고, 합성된 NiCuZn-ferrite의 하소 온도에 따른 저온소결 특성 및 전자기적 특성에 관하여 고찰하였다. 조성은 (N $i_{0.4-X}$C $u_{x}$Z $n_{0.6}$)$_{1+w}$(F $e_2$ $O_4$)$_{1-w}$에서 x 값을 0.2, w 값은 0.03으로 고정하였고, 하소는 30$0^{\circ}C$에서 7$50^{\circ}C$의 온도범위에서 진행하였다. 하소 후 90$0^{\circ}C$에서 소결한 시편의 특성을 측정한 결과, 공침법으로 합성한 NiCuZn-ferrite는 90$0^{\circ}C$의 저온에서 소결밀도 4.90g/㎤, 초기투자율 164, Q-factor 72임을 확인하였다. 또한, NiCuZn-ferrite의 미세구조는 하소온도가 증가함에 따라 입자가 커지고 불균일한 상태가 되며, 초기투자율 등의 ferrites의 전자기적 특성이 저하되었다.되었다.

Characterization of Cu2ZnSnSe4 Thin Films Selenized with Cu2-xSe/SnSe2/ZnSe and Cu/SnSe2/ZnSe Stacks

  • Munir, Rahim;Jung, Gwang Sun;Ko, Young Min;Ahn, Byung Tae
    • 한국재료학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.183-189
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    • 2013
  • $Cu_2ZnSn(S,Se)_4$ material is receiving an increased amount of attention for solar cell applications as an absorber layer because it consists of inexpensive and abundant materials (Zn and Sn) instead of the expensive and rare materials (In and Ga) in $Cu(In,Ga)Se_2$ solar cells. We were able to achieve a cell conversion efficiency to 4.7% by the selenization of a stacked metal precursor with the Cu/(Zn + Sn)/Mo/glass structure. However, the selenization of the metal precursor results in large voids at the absorber/Mo interface because metals diffuse out through the top CZTSe layer. To avoid the voids at the absorber/Mo interface, binary selenide compounds of ZnSe and $SnSe_2$ were employed as a precursor instead of Zn and Sn metals. It was found that the precursor with Cu/$SnSe_2$/ZnSe stack provided a uniform film with larger grains compared to that with $Cu_2Se/SnSe_2$/ZnSe stack. Also, voids were not observed at the $Cu_2ZnSnSe_4$/Mo interface. A severe loss of Sn was observed after a high-temperature annealing process, suggesting that selenization in this case should be performed in a closed system with a uniform temperature in a $SnSe_2$ environment. However, in the experiments, Cu top-layer stack had more of an effect on reducing Sn loss compared to $Cu_2Se$ top-layer stack.

Ni-Cu-Zn페라이트의 손실과 자성 특성 (Power Loss and Electro-Magnetic Characteristics of Ni-Cu-Zn Ferrites)

  • 대규열부;김정수
    • 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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    • 한국자원리싸이클링학회 2004년도 13회 산화철워크샵
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    • pp.3-11
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    • 2004
  • NiO, ZnO 조성이 다른 Ni-Cu-Zn 페라이트의 손실 분석을 실시했다. 손실, Ph는 측정 온도의 상승에 따라 감소 해 $100-120^{\circ}C$ 근처에서 일정한 값을 얻었다. Pcv 의 주파수의존성은 $Pcv\~f^n$ 로 표현될 수 있는데, n는 1 MHz 까지 일정했다. Pcv 는 ZnO/NiO 비가 증가함에 따라 감소한다. Pcv 를 Hysteresis loss, Ph 및 잔류손실, (Pcv-Ph)로 분리했다. Pcv 의 온도특성 및 조성 의존성은 Ph에 기인하지만, (Pcv-Ph)는 온도 및 조성에 의존하지 않는다 Ph 와 초투자률, ${\mu}$i의 온도 및 조성 의존성을 분석 해, 다음과 같은 식이 성립된다는 것을 알 수 있었다. $${\mu}\;_i{\mu}\;_o=I_s\;^2/(K_1+b{\sigma}\;_o{\lambda}\;_s)\;\;\;\;(1)$$ $$Wh=13.5(I_s\;^2/{\mu}\;i{\mu}\;0)\;\;\;\;(2)$$ 여기서, ${\mu}\;_o$ 은 진공의 투자율, $I_s$, 는 포화자화, $K_1$는 이방성상수, ${\sigma}_\;o$는 내부 불균일 응력, ${\lambda}_\;s$ 는 자기이방성 상수,b는 미지의 정수, Wh는 1 주기 당의 히스테리시스 손실(Ph=Wh*f)이다. Ni-Cu-Zn 페라이트의 Steinmetz 정수 m=1.64-2.2는 Mn-Zn 페라이트보다는 적은데, 이는 양 재료간의 손실 메커니즘의 차가 있음을 암시하는 것이다.

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Fabrication of Cu2ZnSnS4 Films by Rapid Thermal Annealing of Cu/ZnSn/Cu Precursor Layer and Their Application to Solar Cells

  • Chalapathy, R.B.V.;Jung, Gwang Sun;Ko, Young Min;Ahn, Byung Tae;Kwon, HyukSang
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제1권2호
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    • pp.82-89
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    • 2013
  • $Cu_2ZnSnS_4$ thin film have been fabricated by rapid thermal annealing of dc-sputtered metal precursor with Cu/ZnSn/Cu stack in sulfur ambient. A CZTS film with a good uniformity was formed at $560^{\circ}C$ in 6 min. $Cu_2SnS_3$ and $Cu_3SnS_4$ secondary phases were present at $540^{\circ}C$ and a trace amount of $Cu_2SnS_3$ secondary phase was present at $560^{\circ}C$. Single-phase large-grained CZTS film with rough surface was formed at $560^{\circ}C$. Solar cell with best efficiency of 4.7% ($V_{oc}=632mV$, $j_{sc}=15.8mA/cm^2$, FF = 47.13%) for an area of $0.44cm^2$ was obtained for the CZTS absorber grown at $560^{\circ}C$ for 6 min. The existence of second phase at lower-temperature annealing and rough surface at higher-temperature annealing caused the degradation of cell performance. Also poor back contact by void formation deteriorated cell performance. The fill factor was below 0.5; it should be increased by minimizing voids at the CZTS/Mo interface. Our results suggest that CZTS absorbers can be grown by rapid thermal annealing of metallic precursors in sulfur ambient for short process times ranging in minutes.