본 논문에서는 zero-skipping을 적용한 MNIST 분류 CNN을 구현했다. CNN의 activation에서 0이 30~40% 나오고, 0은 MAC 연산에 영향을 끼치지 않기 때문에 0을 branch를 통해 skip하게 되면 성능 향상을 시킬 수 있다. 그러나 컨볼루션 레이어에서는 branch를 통해 skip하게 되면 성능 하락이 발생한다. 그에 따라 컨볼루션 레이어에서는 연산의 영향을 미치지 않는 NOP을 주어 연산을 skip하고 풀리 커넥티드 레이어에서는 branch를 통해 skip했다. 기존의 CNN보다 약 1.5배의 성능 향상을 확인했다.
본 논문에서는 $0.13{\mu}m$ BCD 공정 기반에서 5V MOS 소자만 사용하여 zero layer FTP 셀이 가능하도록 하기 위해 tunnel oxide 두께를 기존의 $82{\AA}$에서 5V MOS 소자의 gate oxide 두께인 $125{\AA}$을 그대로 사용하였고, 기존의 DNW은 BCD 공정에서 default로 사용하는 HDNW layer를 사용하였다. 그래서 제안된 zero layer FTP 셀은 tunnel oxide와 DNW 마스크의 추가가 필요 없도록 하였다. 그리고 메모리 IP 설계 관점에서는 designer memory 영역과 user memory 영역으로 나누는 dual memory 구조 대신 PMIC 칩의 아날로그 회로의 트리밍에만 사용하는 single memory 구조를 사용하였다. 또한 BGR(Bandgap Reference Voltage) 발생회로의 start-up 회로는 1.8V~5.5V의 전압 영역에서 동작하도록 설계하였다. 한편 64비트 FTP 메모리 IP가 power-on 되면 internal reset 신호에 의해 initial read data를 00H를 유지하도록 설계하였다. $0.13{\mu}m$ Magnachip 반도체 BCD 공정을 이용하여 설계된 64비트 FTP IP의 레이아웃 사이즈는 $485.21{\mu}m{\times}440.665{\mu}m$($=0.214mm^2$)이다.
LPE법을 이용하여 $Bi_2Sr_2-\chi_LCa_1+\chi_LCu_2O_{8+d}$(xL=0, 0.1, 0.2 ,0.3, 0.4, 0.5, 0.6)막(film)을 작성하여 XPS 측정과 EPMA측정을 통하여 Sro-layer와 Ca-layer에 있어서 Sr과 Ca의 상호치환 상태와 초전도특성을 조사하였다. 작성한 막(film)은 c-축으로 강하게 배향되었고, $\chi_L$(용액조성비)의 증가에 따라 임계온도 $T_C^{zero}$와 c-축의 길이는 단조로이 감소를 보였으며, Car-rier농도는 약간 감소하는 경향을 보였다. 또한, SrO-layer에서는 Sr은 $\chi_L$의 증가에 따라 감소를 보이며, Ca는 약 0.15에 포화된 후 약간 감소하였다. Ca-layer에서의 Sr과 Ca는 $\chi_L$에 비례적으로변하며, 이때 변화율은 SrO-layer보다 컸다. 이런 현상은 Sr이 양쪽 layer에서 감소하는데 비하여, Ca는 거의 Ca-layer에서만 증가함을 의미하는 것이다. $\chi_L$의 증가에 따라, SrO-layer에서의 결손은 증가를 보였으며, 이는 SrO-layer에서 결손이 임계온도 $T_C^{zero}$의 감소에 영향을 미쳤다고 생각된다.
For the effective treatment of aphthous stomatitis, the matrix type mucoadhesive patches containing triamcinolone acetonide have been formulated. The drug layer was obtained by drying the polymer gel which was prepared with carbomer 934P, ammoniomethacrylate copolymer, titanium dioxide and polyethylene glycol 400. The effects of the content of additives on physical characteristics of the polymer gel and the drug layer were evaluated. The addition of carbomer increased the yield point and the zero-shear viscosity of polymer gel as well as the thickness, the water absorption ratio, the adhesive time and $T_{50%}$ of drug layer. The adhesive time and the water absorption ratio of drug layer were also improved by the addition of ammoniomethacrylate copolymer, but the addition of titanium dioxide had decreased the zero-shear viscosity of polymer gel and the adhesive time of drug layer.
The existing evaluation method could not apply the effect of zero span tension generated in the waterproofing layer attached to the surface of the structure at the moment of cracking as the waterproofing layer was constructed in the state where the cracks were formed. The test apparatus developed through this study is expected to be able to conduct tests closer to the environment occurring in actual structures as it is possible to simultaneously create a pressurized (constrained) condition and an environment for zero span tension.
본 논문에서는 적층 PCB에 전송 영점을 갖는 3차원의 대역 통과 필터의 회로 해석을 하였다. 대역 통과 필터의 등가 회로는 고주파 네트웍 해석에 의해 계산되어졌다. 기존의 논문들은 분포 정수 소자의 영향을 제외한 회로 모델을 구성하였지만, 제안된 모델은 이에 대한 영향을 포함한다. 그 결과 인덕터들의 내부 전기적 성분으로부터 상호 커패시턴스를 추출함으로써 하나의 전송 영점을 갖는 적층 PCB 대역 통과 필터를 설계하였다. 구조의 크기는 단지 $10mm{\times}20mm{\times}1.2mm$이다. 대역 통과 필터의 측정된 데이터는 중심 주파수인 1.84 GHz에서 1.9 dB의 삽입 손실과, 28 dB의 반사 손실을 가지며, 차단 주파수인 2.78 GHz에서 43 dB의 감쇠 특성을 보인다.
Hydrogen combustion in modern gas-turbine engine is the cutting edge technology as carbon-free energy conversion system. Flashback of hydrogen flame, however, is inevitable and critical specially for premixed hydrogen combustion. Therefore, this experimental investigation is conducted to understand flashback phenomenon in premixed hydrogen combustion. In order to investigate flashback characteristics in premixed hydrogen (H2)/air flame, we focus on pressure conditions and nozzle shapes. In general, quenching distance reduces as pressure of combustion chamber increases, causing flashback from boundary layer near wall. The flashback regime for reference and modified candidate configurations can broadly appear with increasing combustion chamber pressure. The later one can improve flashback-resist by compensating flow velocity at wall. Also, improved wall flow velocity profile of suggested contraction nozzle prevents entire flashback but causes local flashback at nozzle exit.
A new quadrilateral mesh generation technique from an existing triangle mesh is proposed in this paper. The proposed method is based on advancing front method and zero-thickness layer. Beginning with an initial triangular mesh, boundary triangular elements are removed and quadrilateral elements with zero thickness are generated. A quality of quadrilateral elements is improved during a mesh smoothing process. Until all initial triangular elements are removed, this procedure is repeated. Sample meshes are constructed to demonstrate the mesh generation capability of proposed algorithm.
Kim, Dong Hyun;Kim, Sung-Jo;Yu, Jeong-Seon;Kim, Jong-Hyun
Journal of the Optical Society of Korea
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제19권5호
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pp.503-507
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2015
Using the reflectivity mode of an optical microscope, we analyzed the optical contrast to identify the layer number of flakes of hexagonal boron nitride on a $SiO_2$/Si substrate. Overall optical contrast in the visible range varies with the thickness of flakes. However, the wavelength of zero contrast exhibits a linear redshift of 0.53 nm per layer, independent of the $SiO_2$ thickness, and increases proportionally with $SiO_2$thickness. Experiments show good agreement with calculations and the results of AFM measurements. These results show that this zero-contrast approach is more accurate and easier than the reflectivity-contrast approach using the overall optical contrast.
Ruthenium (Ru) thin films were grown on thermally-grown $SiO_2$ substrates by atomic layer deposition (ALD) using a sequential supply of four kinds of novel zero-valent Ru precursors, isopropyl-methylbenzene-cyclohexadiene Ru(0) (IMBCHDRu, $C_{16}H_{22}Ru$), ethylbenzen-cyclohexadiene Ru(0) (EBCHDRu, $C_{14}H_{18}Ru$), ethylbenzen-ethyl-cyclohexadiene Ru(0) (EBECHDRu, $C_{16}H_{22}Ru$), and (ethylbenzene)(1,3-butadiene)Ru(0) (EBBDRu, $C_{12}H_{16}Ru$) and molecular oxygen (O2) as a reactant at substrate temperatures ranging from 140 to $350^{\circ}C$. It was shown that little incubation cycles were observed for ALD-Ru processes using these new novel zero-valent Ru precursors, indicating of the improved nucleation as compared to the use of typical higher-valent Ru precursors such as cyclopentadienyl-based Ru (II) or ${\beta}$-diketonate Ru (III) metallorganic precursors. It was also shown that Ru nuclei were formed after very short cycles (only 3 ALD cycles) and the maximum nuclei densities were almost 2 order of magnitude higher than that obtained using higher-valent Ru precursors. The step coverage of ALD-Ru was excellent, around 100% at on a hole-type contact with an ultra-high aspect ratio (~32) and ultra-small trench with an aspect ratio of ~ 4.5 (top-opening diameter: ~ 25 nm). The developed ALD-Ru film was successfully used as a seed layer for Cu electroplating.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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