• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1273-1275
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• 2005

The influence of oxygen plasma and octadecyltrichlorosilane (OTS) treatment of $SiO_2$ on the patterning of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) is presented. A significant difference in surface energies between plasma treated and OTS treated $SiO_2$ was noted. Such heterogeneous surface energy guides PEDOT:PSS to wet and spread on the wettable region and to dewet and retract from other regions.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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• pp.343-347
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• 2004

High oxidation temperature of SiC shows a tendency of carbide formation at the interface which results in poor MOSFET transfer characteristics. Thus we developed oxidation processes in order to get low interface charge densities. N-type 6H-SiC MOS capacitors were fabricated by different oxidation processes: dry, wet, and dry­reoxidation. Gate oxidation and Ar anneal temperature was $1150^{\circ}C.$ Ar annealing was performed after gate oxidation for 30 minutes. Dry-reoxidation condition was $950^{\circ}C,$ H2O ambient for 2 hours. Gate oxide thickness of dry, wet and dry-reoxidation samples were 38.0 nm, 38.7 nm, 38.5 nm, respectively. Mo was adopted for gate electrode. To investigate quality of these gate oxide films, high frequency C- V measurement, gate oxide leakage current, and interface trapped charge densities (Dit) were measured. The interface trapped charge densities (Dit) measured by conductance method was about $4\times10^{10}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry and wet oxidation, the lowest ever reported, and $1\times10^{11}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry-reoxidation

• 센서학회지
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• 제11권3호
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• pp.183-190
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• 2002

실리콘 기판 위에 형성한 열산화막에 실리콘이온을 주입하고 열처리를 수행한 후, 광루미네센스(photoluminescence:PL) 스펙트럼을 조사하였다. 실리콘 이온도즈의 변화와 열처리 온도의 변화에 따른 PL스펙트럼을 조사하고, 이를 TEM과 XRD 데이터와 비교하여 분석한 결과, 광루미네센스 특성은 산화막내의 실리콘 나노결정으로부터 기인함을 알 수 있었다. 또 산화막을 1분 간격으로 습식 식각하면서 매 식각 시마다 PL스펙트럼을 관측하여 그 변화를 조사하였다. 이러한 실험을 통하여 산화막내에 분포하고 있는 실리콘 나노결정의 크기와 그 수가 PL피크 파장과 강도에 직접적으로 영향을 줌을 알 수 있었다.

• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제42권4호
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• pp.175-179
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• 1999

Grape seed oil was extracted using different preparatory treatments as follows: (1) grinding, (2) grinding and roasting, (3) grinding and wet- roasting, (4) grinding, roasting, and wet-roasting, and (5) grinding, wet-roasting, and wet-roasting. The highest antioxidant activity was obtained from the sample with the method (2). Initial states of oxidation were similar except method (1) that showed more oxidized state, being P.O.V.8. Acid values were observed in the range from 1.42 to 1.89. The lowest acid value was found as 1.42 in method (1) and those of others were somewhat higher, indicating that heating process of roasting produced some free fatty acids. From the results of sensory evaluation, the best odor and taste were obtained from the methods (2) and (3). Repetitive procedure of wet-roasting, like method 5, caused some loss of flavor components and decrease in the sensory evaluation score. Addition of grape seed oil (method 2) to soybean and perilla oil at the level of 20% retained considerable antioxidant activities as much as 4.3 and 5 times, respectively, than 100% soybean or perilla oil stored for 12 weeks. When soybean or perilla oil was mixed with 20% grape seed oils, P.O.V. decreased to half of that of unmixed oils.

• 한국의류산업학회지
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• 제7권3호
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• pp.327-332
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• 2005

The purpose of this study is to investigate the effect of chitosan treatment on the dyeing of cotton fabric specimens using loess as colorants. The wet pick up ratio of the chitosan acid solution, as well as the drying condition after the padding of the fabric specimens, was changed in order to study the loess uptake on the fabric. The average particle diameter of the loess was measured. Main components of the loess were $SiO_2$, $Al_2O_3$, and $Fe_2O_3$. By the chitosan treatment, the loess amount on the cotton fabric increased. 80% wet pick up ratio of the chitosan acid solution on the cotton fabric specimen allowed more stable and even adhesion of the loess on the fabric surface, compared to the cases of 100% and 120% wet pick up ratio.

• 한국재료학회지
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• 제12권5호
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• pp.327-333
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• 2002

In order to obtain the oxidation layer for SiC MOS, the oxide layers by thermal oxidation process with dry and wet method were deposited and characterized. Deposition temperature for oxidation layer was $1100^{\circ}C$~130$0^{\circ}C$ by $O_2$ and Ar atmosphere. The oxide thickness, surface morphology, and interface characteristic of deposited oxide layers were measurement by ellipsometer, SEM, TEM, AFM, and SIMS. Thickness of oxidation layer was confirmed 50nm and 90nm to with deposition temperature at $1150^{\circ}C$ and $1200{\circ}C$ for dry 4 hours and wet 1 hour, respectively. For the high purity oxidation layer, the necessity of sacrificial oxidation which is etched for the removal of the defeats on the wafer after quickly thermal oxidation was confirmed.

• 한국재료학회지
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• 제15권3호
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• pp.202-208
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• 2005

The surface states of gate dielectrics affect device performance severely in Pentacene OTFTs. We have fabricated organic thin-film transistors (OTFTs) using pentacene as an active layer with chemically modified $SiO_2$ gate dielectrics. The effects of the surface treatment of $SiO_2$ on the electric characteristics of OTFTS were investigated. The surface of $SiO_2$ gate dielectric was treated by normal wet cleaning process, $O_2-plasma$ treatment, hexamethyldisilazane (HMDS), and octadecyltrichlorosilane (OTS) treatment. After the surface treatments, the contact angles and surface free energies were measured in order to analyze the surface state changes. In the electrical measurements, typical I-V characteristics of TFTs were observed. The field effect mobility, $\mu$, was calculated to be $0.29\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ for OTS treated sample while those for the HMDS, $O_2$ plasma treated, and wet-cleaned samples were 0.16, 0.1, and $0.04\;cm^2V^{-1}s^{-1}$, respectively.

• 센서학회지
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• 제4권3호
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• pp.51-59
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• 1995

실리콘기판 위에 스트레스균형이 이루어진 150 nm-$Si_{3}N_{4}$/300 nm-$SiO_{2}$/150 nm-$Si_{3}N_{4}$ 구조의 평탄한 유전체 멤브레인을 제작하였다. 이 멤브레인의 스트레스 특성평가를 위하여 stress-deflection, stress-temperature 및 스트레인 진단용 시험패턴의 특성을 측정분석하였고, 중간에 있는 $SiO_{2}$층을 PECVD, LPCVD 및 APCVD방법으로 각각 증착하여 $SiO_{2}$층의 증착방법에 따른 적층 유전체박막의 스트레스특성에 대해서도 논의하였다. 대부분의 경우 적층 유전체 멤브레인에 인장스트레스가 존재하였으나, $SiO_{2}$층의 증착방법과 거의 무관하게 $1,150^{\circ}C$의 후습식산화로 실리콘기판에 의해 멤브레인에 나타나는 인장스트레스의 균형을 얻을 수 있었다. 온도변화에 따른 멤브레인에서의 스트레스 변화특성으로 부터 후산화처리를 하지 않는 경우에는 중간의 $SiO_{2}$ 층으로 APCVD방법에 의해 증착된 LTO가 더 적합한 것으로 나타났다.

• 전기화학회지
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• 제16권1호
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• pp.1-8
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• 2013

본 총설에서는 Si 비등방성 식각(anisotropic etching) 공정인 metal-assisted chemical etching(MAC etch 혹은 MACE) 분야 기본 원리, 중요 변수, 그리고 최근 연구 성과들을 정리하였다. 1990년에 최초로 Si 표면에 금속 촉매를 증착한 후 $H_2O_2$/HF 기반 식각을 진행하면 용액 중에서도 비등방성 식각을 통해 다양한 고종횡비(high aspect ratio) 나노구조를 형성할 수 있다는 것이 밝혀 졌다. 고가의 진공기반 장비가 필요한 건식 식각에 비해, 습식 식각을 통해서도 상대적으로 간편하고 경제적으로 종횡비가 큰 Si 마이크로/나노 구조를 만들 수 있게 되었다. 초기 연구들을 통해 MAC etch중 산화제가 촉매에 의해 환원되고, 촉매/Si 계면 근처의 Si 원자들이 선택적으로 식각/용해되어 수직 방향으로 촉매가 Si 기판을 파고 들어가며 비등방성 식각이 발생함이 밝혀졌다. MAC etch에 영향을 미치는 중요 변수로는 금속 촉매의 종류 및 모양, 식각액의 조성, Si기판의 도핑 농도이다. 또한 본 총설은 MAC etch에 의해 형성된 Si 나노 구조를 이용한 태양전지, 수소 연료, 리튬 이온 전지 등의 응용 분야를 다루었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.312-319
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• 2017

국내 부존 청광 규조토의 고부가가치 활용을 위해 물리적인 불순물 정제 및 정제 규조토 중의 SiO2 성분을 규소원으로 한 탄화규소 분말합성에 대해 연구하였다. 청광 규조토를 hammer mill을 이용해서 분쇄한 후 체가름을 통한 입도 분리에 의해서 약 30% 정도의 철분 ($Fe_2O_3$) 정제 효과를 얻을 수 있었으며, 325 mesh 이하 입도 분말의 철분 함량은 약 2% 이었다. 습식 및 건식 자력선별의 경우 모두 철분 함량의 분리 및 정제 효과가 일부 있었지만 회수되는 비자성 부산물 중의 철분 함량이 약 2%로 잔존양이 많음을 알 수 있었다. 청광 원광의 물 침출은 철분 제거에 효과적이었으며, 물 침출 결과 약 40% 정도의 철분이 제거되었다. 또한 정제 규조토 중의 $SiO_2$ 성분을 탄소 (흑연, 카본블랙)로 환원 탄화 반응시켜 ${\beta}$-SiC를 합성하였고, 합성 분말의 산처리를 통한 철분 정제 및 비표면적 변화 등에 대해 연구하였다. 환원제로 흑연보다는 카본블랙을 사용함이 보다 효과적이었고, 산처리공정에 의해 Fe, Ca 등의 불순물들이 거의 제거되었고, 비표면적은 $52.5m^2/g$ 까지 증가하였다.