Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 4 Issue 3
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- Pages.51-59
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- 1995
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Fabrication of Stress-balanced $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ Dielectric Membrane
스트레스균형이 이루어진 $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 유전체 멤브레인의 제작
- Kim, Myung-Gyoo (Department of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National Univ.) ;
- Park, Dong-Soo (Department of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National Univ.) ;
- Kim, Chang-Won (Sensor Technology Research Center, Kyungpook National Univ.) ;
- Kim, Jin-Sup (Dept. of Electronic Engineering, Inje Univ.) ;
- Lee, Jung-Hee (Department of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National Univ.) ;
- Lee, Jong-Hyun (Department of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National Univ.) ;
- Sohn, Byung-Ki (Department of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National Univ.)
- 김명규 (경북대학교 전자전기공학부) ;
- 박동수 (경북대학교 전자전기공학부) ;
- 김창원 (경북대학교 센서기술연구소) ;
- 김진섭 (인제대학교 전자공학과) ;
- 이정희 (경북대학교 전자전기공학부) ;
- 이종현 (경북대학교 전자전기공학부) ;
- 손병기 (경북대학교 전자전기공학부)
- Published : 1995.08.31
Abstract
Stress-balanced flat 150 nm-
실리콘기판 위에 스트레스균형이 이루어진 150 nm-
Keywords