• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2006년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVI
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• pp.42-42
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• 2006

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권3호
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• pp.67-74
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• 2018

두께 $2.5{\sim}10{\mu}m$인 n형 $Bi_2Te_3$와 p형 $Sb_2Te_3$ 레그 8쌍으로 구성되어 있는 in-plane형 열전박막소자를 전기도금법으로 Si submounts에 형성하고, LED 칩의 구동에 의해 발생하는 겉보기 온도차 ${\Delta}T$와 레그 두께에 따른 발전특성을 분석하였다. LED 방출열에 의해 인가된 ${\Delta}T$가 7.4K일 때 각기 두께 $2.5{\mu}m$, $5{\mu}m$ 및 $10{\mu}m$의 p-n 레그들로 구성된 열전박막소자는 6.1 mV, 7.4 mV 및 11.8 mV의 open circuit 전압을 나타내었으며, 6.6 nW, 12.8 nW 및 41.9 nW의 최대 출력전력을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.177-181
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• 2011

We have studied structural, optical, and electrical properties of the Al-doped ZnO (AZO) thin films being usable in transparent conducting oxides. The AZO thin films were deposited on the corning 1737 glass plate by the RF magnetron sputtering system. To find optimal properties of AZO for transparent conducting oxides, the RF power in sputtering process was varied as 40 W, 60 W, and 80 W, respectively. As RF power increased, the crystallinity of AZO thin film was decreased, the optical bandgap of AZO thin film increased. The transmittance of the film was over 80% in the visible light range regardless of the changes in RF power. The measurement of Hall effect characterizes the whole thin film as n-type, and the electrical property was improved with increasing RF power. The structural, optical, and electrical properties of the AZO thin films were affected by Al dopant content in AZO thin film.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.758-763
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• 2006

We has been studied the thin film encapsulation effect for organic light-emitting diodes (OLED). To evaluate the passivation properties of the passivation layer materials, we have carried out the fabrication of green light emitting diodes with ultra violet(UV) light absorbing polymer resin, $SiO_2,\;and\;SiN_x$, respectively. From the measurement results of shrinkage properties according to the exposure time to the atmosphere, we found that $SiN_x$ thin film is the best material for passivation layer. We have investigated the emission efficiency and life time of OLED device using the package structure of $OLED/SiN_x/polymer$ resin/Al/polymer resin. The emission efficiency of this OLED device was 13 lm/W and life time was about 2,000 hours, which reach 95 % of the performance for the OLED encapsulated with metal.

• 한국진공학회지
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• 제20권6호
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• pp.456-460
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• 2011

최근 연구 중인 소자들의 크기가 점차 나노 크기를 가짐에 따라서 나노 영역에 대한 물성 분석 연구의 필요성이 대두되고 있다. 특히 나노 크기를 가지는 소자에 대한 기계적 특성은 기존의 마이크로 이상의 소자와는 다른 특성을 보이는 것으로 보고되고 있다. 그러나 이러한 나노 크기에 대한 연구에서 대부분을 차지하는 분광학적, 전기적 방법은 측정 영역 한계와 일정 깊이에 대한 평균적인 정보를 제공하게 된다. 본 연구에서는 나노트라이볼로지 분석의 대표적인 Nano-indenter 분석을 통하여 박막의 수 혹은 수십 나노 미만의 영역과 깊이에 대한 물리적 및 기계적 물성을 연구하였고, Scanning Probe Microscopy를 이용하여 시료 표면 형상을 분석하였으며, 이를 기반으로 수십 나노 이하 두께를 가지는 W-N 확산방지막에 대한 연구를 실시하였다. 연구 결과에 의하면, 박막의 표면 나노강도는 증착 중 질소 유량에 따라서 57.67 GPa에서 9.1 GPa로 급격한 감소가 나타내었고, 또한 탄성계수 역시 575.53 GPa에서 178.1 GPa로 감소되는 것을 확인하였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.772-777
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• 2018

본 논문은 RF 마크네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리에 N-type 및 P-type을 증착하였다. N-Type의 오믹접촉은 모든 조건에서 잘 되었다. 면저항은 RF Power가 증가할수록 면 저항이 증가되는 현상을 나타내었다. 증착한 박막의 표면을 분석해 본 결과, RF Power가 250W이고, 기판온도가 $250^{\circ}C$의 조건에서 입자가 균일하고 크기가 일정한 박막이 증착 된 것으로 측정되었다. P-Type은 모든 조건에서 오믹접촉이 잘 이루어졌으며 면저항은 RF Power가 증가할수록 증가되는 것으로 나타내었다. RF Power가 증가할수록 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막과 NP junction 박막은 스퍼터링 시간이 증가할수록 박막의 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막을 제작한 결과, 변환효율은 스퍼터링 시간이 10분일 때 0.2로 가장 우수하였다.

• 센서학회지
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• 제9권2호
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• pp.90-95
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• 2000

$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si 판위에 MgO 박막을 성장하여 MgO 단결정과 결정배향성이 유사한 초전형 적외선 센서용 기판을 제작하였다. RF 마그네트론 스퍼터링법으로 MgO 박막을 성장하였고, 그 위에 Pt 하부전극과 PLT 박막을 성장시킨 후 c축 배향성을 조사하였다. $500^{\circ}C$의 기판온도와 30 mTorr의 분위기 압력 및 160 W의 RF power에서 성장된 MgO 박막이 단결정 MgO가 가지는 배향성 정도의 우수한 a축 배향성을 보였고, 그 위에 성장된 PLT 박막은 MgO 단결정 기판위에 성장된 것과 거의 회절강도 변화가 유사한 c축 배향성을 보였다.

• Applied Microscopy
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• 제50권
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• pp.7.1-7.10
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• 2020

Tantalum nitride (TaN_x) thin films were grown utilizing an inductively coupled plasma (ICP) assisted direct current (DC) sputtering, and 20-100% improved microhardness values were obtained. The detailed microstructural changes of the TaN_x films were characterized utilizing transmission electron microscopy (TEM), as a function of nitrogen gas fraction and ICP power. As nitrogen gas fraction increases from 0.05 to 0.15, the TaN_x phase evolves from body-centered-cubic (b.c.c.) TaN_0.1, to face-centered-cubic (f.c.c.) δ-TaN, to hexagonal-close-packing (h.c.p.) ε-TaN phase. By increasing ICP power from 100 W to 400 W, the f.c.c. δ- TaN phase becomes the main phase in all nitrogen fractions investigated. The higher ICP power enhances the mobility of Ta and N ions, which stabilizes the δ-TaN phase like a high-temperature regime and removes the micro-voids between the columnar grains in the TaN_x film. The dense δ-TaN structure with reduced columnar grains and micro-voids increases the strength of the TaN_x film.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2007년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVII
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• pp.55-55
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• 2007

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권3호
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• pp.106-109
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• 2011

We investigated the etching characteristics of titanium nitride (TiN) thin film in $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma. The etching parameters were the gas mixing ratio, radio frequency (RF) power, direct current (DC)-bias voltages and process pressures. The standard conditions were as follows: total flow rate = 20 sccm, RF power = 500 W, DC-bias voltage = -100 V, substrate temperature = $40^{\circ}C$, and process pressure = 15 mTorr. The maximum etch rate of TiN thin film and the selectivity of TiN to $Al_2O_3$ thin film were 54 nm/min and 0.79. The results of X-ray photoelectron spectroscopy showed no accumulation of etch byproducts from the etched surface of TiN thin film. The TiN film etch was dominated by the chemical etching with assistance by Ar sputtering in reactive ion etching mechanism, based on the experimental results.