Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)

The Korean Sensors Society (한국센서학회)
권호 표지

Fabrication of MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si Substrate for Pyroelectric IR Sensor

초전형 적외선 센서를 위한 MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si 기판 제작

  • Kim, Sung-Woo (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Sung, Se-Kyoung (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Ryu, Jee-Youl (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Choi, Woo-Chang (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Choi, Hyek-Hwan (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Lee, Myoung-Kyo (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University) ;
  • Kwon, Tae-Ha (Dept. of Electronic Eng., Pukyong National University)
  • 김성우 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 성세경 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 류지열 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 최우창 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 최혁환 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 이명교 (부경대학교 전자공학과) ;
  • 권태하 (부경대학교 전자공학과)
  • Published : 2000.03.31
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Abstract

The substrate for pyroelectric IR sensor which has orientation similar to MgO single crystal was fabricated by depositing the MgO thin film on $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si. The MgO thin film was deposited by RF magnetron sputtering. The c-axis orientation of PLT thin film deposited on Pt/MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si substrate was investigated. The MgO thin film deposited at $500^{\circ}C$ at a gas pressure of 30 mTorr with RF power of 160 W exhibited a good a-axis orientation. The PLT thin films deposited on these substrates also exhibited c-axis orientation similar to the PLT thin films deposited on MgO single crystal substrate.

$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si 판위에 MgO 박막을 성장하여 MgO 단결정과 결정배향성이 유사한 초전형 적외선 센서용 기판을 제작하였다. RF 마그네트론 스퍼터링법으로 MgO 박막을 성장하였고, 그 위에 Pt 하부전극과 PLT 박막을 성장시킨 후 c축 배향성을 조사하였다. $500^{\circ}C$의 기판온도와 30 mTorr의 분위기 압력 및 160 W의 RF power에서 성장된 MgO 박막이 단결정 MgO가 가지는 배향성 정도의 우수한 a축 배향성을 보였고, 그 위에 성장된 PLT 박막은 MgO 단결정 기판위에 성장된 것과 거의 회절강도 변화가 유사한 c축 배향성을 보였다.

Keywords