본 논문에서는 밀리미터파 센서 응용을 위한 낮은 변환손실 및 높은 LO-RF 격리도 특성의 W-band MMIC 믹서 모듈을 설계 및 제작하였다. MMIC 믹서는 $0.1{\mu}m$ MHEMT를 이용하여 설계 및 제작되었다. MMIC 믹서는 낮은 변환손실과 높은 LO-RF 격리도 특성을 얻기 위해 RF 입력단에 MHEMT를 추가하여 설계하였다. 제작된 MMIC 칩을 모듈화 하기 위해 CPW-도파관 변환기를 설계 및 제작하였으며, 최종적으로 MMIC 믹서 모듈을 개발하였다. MMIC 믹서 모듈의 측정결과 변환손실 특성은 94 GHz에서 MMIC 칩은 6.3 dB, MMIC 모듈은 9.5 dB의 양호한 특성을 나타내었다. MMIC 믹서 모듈의 LO-RF 격리도는 94 GHz에서 30.4 dB의 양호한 측정 결과를 얻었다. 본 논문에서 개발된 W-band MMIC 믹서모듈은 기존의 발표된 W-band(75-110 GHz) MMIC 믹서와 비교하여 우수한 성능을 나타내었다.
This study was conducted to evaluate the performance of a 12 tons capacity circulating concurrent flow rice dryer. An actual scale dryer with the capacity of 12 tons was developed to obtain a faster drying rate of 0.8~1.2%(w.b.)/h, while maintaining a lower drying energy consumption of 5,000 kJ/kg-water and achieving a drying quality that was comparable to a conventional cross-flow rice dryer. The Test-1 was conducted at $110^{\circ}C\;-\;20\;cmm/m^2$ and the Test-2 was conducted at $120-110-100-90^{\circ}C\;-\;20\;cmm/m^2$ under the same conditions as Test-1. In Test-1, the drying rate, drying energy consumption and crack ratio were 0.98 %(w.b.)/h, 4,573 kJ/kg-water and 3.2%, respectively. In Test-2, the drying rate, drying energy consumption and crack ratio were 0.74 %(w.b.)/h, 4,790 kJ/kg-water and 4.0%, respectively. The results of these tests demonstrated that this concurrent-flow dryer reached the desired drying rate, drying energy consumption and crack ratio.
We present space-based near-IR (NIR) and optical photometry of globular clusters (GCs) of 16 early-type galaxies in the Fornax and Virgo Clusters. The NIR imaging data for the nearby galaxies was acquired with the IR Channel of the Wide Field Camera 3 (WFC3/IR) in the F110W ($J_{110}$) and F160W ($H_{160}$) bandpasses. We introduce the full sample of our WFC3/IR program, describe data reductions and photometric measurements including GC candidate selection criteria, and then show selected GCs' color-magnitude diagrams. The tilted features in the diagrams related to the morphological types of host galaxies are discussed in the context of galaxy formation and evolution histories. Combining F475W ($g_{475}$) and F850LP ($z_{850}$) data taken from the Advanced Camera for Surveys Virgo and Fornax Cluster Surveys with our NIR data, we investigate the bimodality in optical-NIR color distribution and the nonlinear feature of the optical-NIR color relation as a function of optical color for these extragalactic GC systems.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제15권4호
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pp.232-238
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2015
This work describes the development of a D-band (110-170 GHz) signal source based on a SiGe BiCMOS technology. This D-band signal source consists of a V-band (50-75 GHz) oscillator, a V-band amplifier, and a D-band frequency doubler. The V-band signal from the oscillator is amplified for power boost, and then the frequency is doubled for D-band signal generation. The V-band oscillator showed an output power of 2.7 dBm at 67.3 GHz. Including a buffer stage, it had a DC power consumption of 145 mW. The peak gain of the V-band amplifier was 10.9 dB, which was achieved at 64.0 GHz and consumed 110 mW of DC power. The active frequency doubler consumed 60 mW for D-band signal generation. The integrated D-band source exhibited a measured output oscillation frequency of 133.2 GHz with an output power of 3.1 dBm and a phase noise of -107.2 dBc/Hz at 10 MHz offset. The chip size is $900{\times}1,890{\mu}m^2$, including RF and DC pads.
This paper reports an experimental study around a module about forced air flow by blower (35${\times}$35${\times}$6㎣) in a portable personal computer model(200${\times}$235${\times}$10㎣). Experimental report is to know three data to investigate thermal resistance, adiabatic wall temperature and visualized fluid flow around the module by combination of the moving number and the arrangement method of blower. The channel inlet flow velocity has been varied between 0.26, 0.52 and 0.78㎧, and input power ( $Q_{p}$) to the module is 4W. To investigate thermal resistance. the heated module is mounted on two boards(110${\times}$110${\times}$1.2㎣, k=20.73, 0.494W/ $m^{\circ}C$) in parallel-plate channel to forced air flow. The temperature distribution were visualized by heated module on acrylic board(k=0.262W/ $m^{\circ}C$) using liquid crystal film. Fluid flow around the module were visualized using particle image velocimetry system.
This study examined the adsorption of CO on a Mo(110) surface by Thermal Desorption Spectroscopy (TDS) and synchrotron-radiation based photoemission spectroscopy (SRPES). CO desorption was observed at approximately 400 K ($\alpha$-CO) and > 900 K ($\beta$-CO). When CO was exposed to Mo(110) at 100 K, it showed a tilted structure at low CO coverage and a vertical structure after saturation of the tilted CO. After heating the CO-precovered sample to 900 K, a broad peak at 12 eV below the Fermi level was identified in the valence level spectra, which was assigned to either the 4$\sigma$-molecular orbital of CO, or 2s of dissociated carbon. TDS results of the $\beta$-CO showed a first order desorption. These results are in a good agreement with the observations of CO adsorption on W(110) surfaces.
본 논문에서는 상용 65 n CMOS 공정을 이용하여 100~110 GHz에서 동작하는 저잡음 증폭기와 커플러를 구현하였다. 제작된 LNA는 3단 공통 소스 FET로 구성되었다. 단위 공통 소스 셀의 높은 이득 특성을 얻기 위해 이를 고려한 레이아웃을 하였다. 또한, 저잡음 특성과 충분한 이득을 얻기 위해 성능을 최적화시켰다. 커플러는 CMOS 공정의 multimetal을 이용한 broadside 커플러로 구성하였다. Density rule을 만족시키기 위한 metal strip을 사용해 이에 의한 영향을 고려해 커플러 동작이 가능하도록 설계하였다. 제작된 저잡음 증폭기의 측정 결과, 100 GHz에서 5.64 dB, 110 GHz에서 6.39 dB의 이득과 10 % 이상의 3-dB 대역폭, 11.66 dB의 잡음 지수를 얻었다. 커플러는 100~110 GHz 대역에서 2~3 dB의 삽입 손실, 1 dB 이하의 magnitude mismatch와 $5^{\circ}$ 이하의 phase mismatch를 얻었다.
본 논문에서는 온도 및 전원전압에 덜 민감한 기준전압을 위해 온-칩 필터를 사용하는 8b 220 MS/s 230 rnW 3단 파이프라인 CMOS A/D 변환기 (ADC) 회로를 제안한다. 제안하는 RC 저대역 필터는 기존의 큰 값을 가진 칩 외부의 바이패스 캐패시터를 사용하지 않고도 고속 동작 시 발생하는 여러 가지 잡음을 효과적으로 감쇄시키고 큰 R, C 부하에서도 기준전압의 정착시간을 줄인다. 시제품 ADC는 0.25 um CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작되었고, 입/출력단의 패드를 제외한 코어 면적은 2.25 ㎟ 이며 측정된 DNL 및 INL은 각각 -0.35~+0.43, LSB, -0.82~+0.71 LSB 수준을 보여준다. 또한, SNDR은 200 MS/s, 220 MS/s 샘플링 주파수에서 입력 주파수가 수 MHz에서 110 MHz까지 증가할 때 각각 43 dB 및 41 dB로 유지되었고, 입력주파수가 500 MHz 까지 증가할 때는 입력주파수가 110 MHz의 경우에 비해 3 dB 정도만 감소되었다.
본 연구는 국내 현장실정에 적절한 아스팔트 혼합물의 실내노화방법을 개발하기 위한 연구이다. 강제공기순환식 오븐에서 $154^{\circ}C$ 2시간의 단기노화를 거친 혼합물로 제작한 공시체를 $110^{\circ}C$에서 24, 48, 72, 96시간 동안 장기노화를 시켰다. 또한 노화시간의 증가에 따라 아스팔트 바인더의 노화정도를 측정하기 위하여 GPC 분석을 수행하였다. 본 연구를 통해 노화시간이 길어짐에 따라 대형분자양이 증가하는 것을 확인하였고, 이에 대한 분석으로부터 적절한 인공노화시간의 추정이 가능함을 알 수 있었다. 본 연구에서 수행된 단기노화방법은 다소 과다하나 이를 RTFO와 유사한 수준으로 처리한다면 $110^{\circ}C$로 약 48시간 이상 노화를 시키면 PAV 처리와 유사한 수준의 혼합물 노화가능성이 있음을 확인하였다.
Roasting 온도를 $80{\sim}140^{\circ}C$로 달리한 한방차의 성분 변화를 분석한 결과는 다음과 같다. 처리온도의 상승에 따라 수분함량이 감소하고, 일부 탄화가 발생하며 조회분 함량이 상대적으로 상승하는 소폭 변화가 있었고, 조단백질 및 조지방 함량은 거의 변화가 없는 것으로 나타났다. 벤조피렌 함량은 0.17~0.35ppb으로 처리온도가 상승할수록 $B({\alpha})P$ 함량이 증가하는 경향을 보였다. 이러한 결과를 볼 때, 처리온도와 원재료에 따라 $B({\alpha})P$ 함량에 차이가 발생한 것으로 나타났는데, roasting의 경우 실제 내부온도는 약 $200^{\circ}C$내외에 그치지만 roaster 표면의 온도는 약 $2,000^{\circ}C$에 이르기 때문에 이 표면과 직접 접촉한 부분에서 일부의 $B({\alpha})P$가 생성된 것으로 판단된다. 한방차의 고형분용출율을 0.18~0.35%(w/w)를 나타내었는데, roasting 온도가 상승할수록 고형분용출율이 감소하는 경향을 나타내었다. 처리온도가 $80{\sim}110^{\circ}C$처리구간에서는 큰 변화를 나타내지 않은 반면 $110{\sim}140^{\circ}C$처리구간에서는 고형분용출율이 급격히 감소하는 경향을 보였다. 처리온도가 상승할수록 고형분용출율이 감소하는 것은 내부 조직이 치밀하여 상대적으로 용출이 어렵기 때문으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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