• 대한화학회지
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• 제53권6호
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• pp.755-760
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• 2009

Styrene은 중합체와 공중합체로 널리 사용되어져 왔으며, 고 굴절률을 가지고 있기 때문에 콘택트렌즈 재료로 유용하게 사용된다. 본 연구는 styrene을 교차결합제인 EGDMA (ethylene glycol dimethacrylate)와 HEMA (2-hydroxyethyl methacrylate) 그리고 개시제인 AIBN (azobisisobutyronitrile)을 사용하여 공중합 하였다. 공중합한 안 의료용 재료의 물리적 특성을 측정한 결과 굴절률 1.4412-1.4628, 함수율 20-35%, 가시광선 투과율 82.6-87.0%, 인장강도 0.143-0.344 Kgf를 나타내었다. Styrene의 비율이 증가할수록 굴절률과 인장강도는 증가하였으며, 함수율은 감소하였다. 본 실험결과로 볼 때 생성된 공중합체는 기능성을 가진 고성능 콘택트렌즈 재료로 사용될 수 있을 것으로 판단된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제12권2호
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• pp.33-37
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• 2013

In this study, we have investigated the effect of the substrate temperature and hydrogen flow rate on the characteristics of IZO thin films for the organic light emitting diodes (OLED) devices. For this purpose, IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at room temperature and $300^{\circ}C$ with various $H_2$ flow rate. In order to investigate the influences of the oxygen, the flow rate of hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.1sccm to 0.9sccm. IZO thin films deposited at room temperature show amorphous structure, whereas IZO thin films deposited at $300^{\circ}C$ show crystalline structure having an (222) preferential orientation regardless of $H_2$ flow rate. The electrical resistivity of IZO film decreased with increasing flow rate of $H_2$ under Ar+$H_2$. The change of electrical resistivity with increasing flow rate of $H_2$ was mainly interpreted in terms of the charge carrier concentration rather than the charge carrier mobility. The electrical resistivity of the amorphous-IZO films deposited at R.T. was lower than that of the crystalline-IZO thin films deposited at $300^{\circ}C$. The increase of electrical resistivity with increasing substrate temperature was interpreted in terms of the decrease of the charge carrier mobility and the charge carrier concentration. All the films showed the average transmittance over 83% in the visible range.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제13권1호
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• pp.65-74
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• 2009

Device quality indium tin oxide (ITO) films are deposited on glass substrates and ultra-thin diamond-like carbon films are deposited as a buffer layer on ITO by a pulsed Nd:YAG laser at 355 nm and 532 nm wavelength. ITO films deposited at room temperature are largely amorphous although their optical transmittances in the visible range are > 90%. The resistivity of their amorphous ITO films is too high to enable an efficient organic light-emitting device (OLED), in contrast to that deposited by a KrF laser. Substrate heating at $200^{\circ}C$ with laser wavelength of 355 nm, the ITO film resistivity decreases by almost an order of magnitude to $2{\times}10^{-4}\;{\Omega}\;cm$ while its optical transmittance is maintained at > 90%. The thermally induced crystallization of ITO has a preferred <111> directional orientation texture which largely accounts for the lowering of film resistivity. The background gas and deposition distance, that between the ITO target and the glass substrate, influence the thin-film microstructures. The optical and electrical properties are compared to published results using other nanosecond lasers and other fluence, as well as the use of ultra fast lasers. Molecularly doped, single-layer OLEDs of ITO/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al which are fabricated using pulsed-laser deposited ITO samples are compared to those fabricated using the commercial ITO. Effects such as surface texture and roughness of ITO and the insertion of DLC as a buffer layer into ITO/DLC/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al devices are investigated. The effects of DLC-on-ITO on OLED improvement such as better turn-on voltage and brightness are explained by a possible reduction of energy barrier to the hole injection from ITO into the light-emitting layer.

• 한국광학회지
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• 제18권2호
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• pp.171-177
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• 2007

전자빔 증착법을 이용하여 산소 분압에 따라 $TiO_2$ 박막을 제작하고, 열처리 온도에 따른 박막의 구조적 특성과 광학적 특성을 분석 하였다. $TiO_2$ 박막들의 물리적 특성은 주입된 산소량에 의존하였다. 주입된 산소량이 증가 할수록 상전이 온도가 높아지고, 가시광선 영역에서 $TiO_2$ 박막의 투과율이 증가하였다. 그리고 주입된 산소량이 작은 경우, $700^{\circ}C$에서 $1100^{\circ}C$로 열처리 후 $TiO_2$ 박막의 흡수단 이 좀더 장파장으로 이동하였다.

• 대한화학회지
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• 제54권2호
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• pp.228-233
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• 2010

최근 금(Au)과 은(Ag) 나노입자는 항균성의 특징으로 다양한 분야에서 응용되고 있다. 본 연구는 HEMA (2-hydroxyethylmethacrylate), NVP (N-vinyl pyrrolidone) MMA (methylmethacrylate)에 금과 은 나노입자를 첨가하였으며, $70^{\circ}C$에서 약 40분, $80^{\circ}C$에서 약 40분 마지막으로 $100^{\circ}C$에서 약 40분 동안의 열처리 공정을 거쳐 공중합 하였다. 중합 과정을 거쳐 중합된 고분자를 통해 물리적 특성을 측정한 결과, 함수율 28.43% ~ 35.27%, 굴절률 1.429 ~ 1.440를 나타내었으며, 가시 광선 투과율 79.2% ~ 86.5% 그리고 인장강도 값은 0.125 kgf ~ 0.201 kgf을 나타내었다. 본 실험 결과로 볼 때 항균성을 가지면서 기존의 콘택트렌즈의 물리적 특성에도 부합되는 공중합체가 생성된 것으로 판단된다.

• 대한화학회지
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• 제54권2호
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• pp.222-227
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• 2010

본 연구는 기존 콘택트렌즈 재료에 Au colloid를 첨가한 후 농도조건을 다양화 하여 $70^{\circ}C$에서 약 40분, $80^{\circ}C$에서 약 40분 마지막으로 $100^{\circ}C$에서 약 40분 동안의 열처리 공정을 거쳐 공중합 하였다. 중합 후 생성된 고분자를 사용하여 콘택트렌즈를 제조하고 물리적 특성을 측정한 결과, 산소투과율 $9{\sim}12{\times}10^{-9}$ cm/s mL $O_2$/mL ${\times}$ mmHg, 함수율 27.84% ~ 32.17%, 굴절률 1.432 ~ 1.443을 나타내었으며, 가시광선 투과율 83.2% ~ 89.5% 그리고 인장강도 값은 0.141 kgf ~ 0.152 kgf를 나타내었다. 또한 생성된 고분자는 콘택트렌즈로 사용 가능한 물리적 특성에 부합되어 안 의료용 기능성 소재로의 응용이 충분히 가능할 것으로 판단된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권2호
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• pp.39-44
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• 2011

In this study, we have investigated the structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited on flexible substrate for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, PES was used for flexible substrate and IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering under oxygen ambient gases (Ar, $Ar+O_2$) at room temperature. In order to investigate the influences of the oxygen, the flow rate of oxygen in argon mixing gas has been changed from 0.1sccm to 0.5sccm. All the samples show amorphous structure regardless of flow rate. The electrical resistivity of IZO films increased with increasing flow rate of $O_2$ under $Ar+O_2$. All the films showed the average transmittance over 85% in the visible range. The OLED device was fabricated with different IZO electrodes made by configuration of IZO/a-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of IZO substrate. OLED devices with the amorphous-IZO (a-IZO) anode film show better current density-voltage-luminance characteristics than that of OLED devices with the commercial crystalline-ITO (c-ITO) anode film. It can be explained that very flat surface roughness and high work function of a-IZO anode film lead to more efficient hole injection by reduction of interface barrier height between anode and organic layers. This suggests that a-IZO film is a promising anode materials substituting conventional c-ITO anode in OLED devices.

• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.30-36
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• 2009

투명 전자소자의 고유전 $HfO_2$ 절연막을 개발하기 위하여, ITO/$HfO_2$/ITO 금속-절연체-금속 (Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터 구조를 형성한후 $HfO_2$ 박막의 두께에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성의 변화를 연구하였다. $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 유전상수는 20에서 10이하로 감소하였으나, $HfO_2$ 두께가 증가함에 따라 누설전류는 감소하여 200 nm 이상의 두께에서는 $2.7{\times}10^{-12}\;A/cm^2$ 이하의 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. ITO/$HfO_2$/ITO MIM 커패시터의 $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 투과율은 감소하였으나 300 nm 두께에서도 가시광선 영역에서 80% 이상의 투과율을 나타내어 우수한 투과도 특성을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제19권4호
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• pp.287-292
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• 2010

산소 유량비 변화에 따른 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 조사하였다. AlN 박막은 기판 온도 $300^{\circ}C$에서 성장되었으며, 반응성 가스로 질소와 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 질소와 산소 혼합 가스양에 대한 산소의 유량비로 선택하여 0%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%로 제어하였다. 성장된 AlN 박막의 구조, 표면과 광학적 특성은 각각 X-선 회절장치, 전자주사현미경과 자외선-가시광 분광기를 사용하여 조사하였다. 산소 유량비 10%로 증착된 AlN 박막은 350~1,100 nm 파장 영역에서 평균 91.3%의 투과율과 4.30 eV의 광학 밴드갭 에너지를 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 변화시킴으로써 AlN 박막을 선택적으로 성장시킬 수 있음을 제시한다.

• 한국표면공학회지
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• 제50권5호
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• pp.345-351
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• 2017

A double-layered anti-reflective coating with hydrophilic/abrasion-resistant properties was studied using anatase titanium dioxide($TiO_2$) and silicon oxycarbide($SiO_xC_y$) thin film. $TiO_2$ and $SiO_xC_y$ thin films were sequentially deposited on a glass substrate by DC sputtering and PECVD, respectively. The optical properties were measured by UV-Vis-NIR spectrophotometer. The abrasion-resistance and the hydrophilicity were observed by a taber abrasion tester and a contact angle analyzer, respectively. The $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer thin film had an average transmittance of 91.3%, which was improved by 10% in the visible light region (400 to 800 nm) than that of the $TiO_2$ single-layer thin film. The contact angle of $TiO_2/SiO_xC_y$ film was $6.9^{\circ}$ right after UV exposure. After 9 days from the exposure, the contact angle was $10.2^{\circ}$, which was $33^{\circ}$ lower than that of the $TiO_2$ single-layer film. By the abrasion test, $SiO_xC_y$ film showed a superior abrasion-resistance to the $TiO_2$ film. Consequently, the $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer film has achieved superior anti-reflection, hydrophilicity, and abrasion resistance over the $TiO_2$ or $SiO_xC_y$ single-layer film.