Carbon nanofilaments were deposited on silicon oxide substrate by thermal chemical vapor deposition method. We used $Fe(CO)_5$ as the catalyst for the carbon nanofilaments formation. Around $800^{\circ}C$ substrate temperature, the formation density of carbon nanofilaments could be enhanced by the vacuum sublimation technique of $Fe(CO)_5$, compared with the conventional spin coating technique. Finally, we could achieve the low temperature, as low as $350^{\circ}C$, formation of carbon nanofilaments using the sublimated Fe-complex nanograins with thermal chemical vapor deposition. Detailed morphologies and characteristics of the carbon nanofilaments were investigated. Based on these results, the role of the vacuum sublimation technique for the low temperature deposition of carbon nanofilaments was discussed.
Carbon nanotilaments (CNFs) could be synthesized on nickel catalyst layer-deposited silicon oxide substrate using $C_2H_2$ and$H_2$ as source gases under thermal chemical vapor deposition system. By the incorporation of $SF_6$ as a cyclic modulation manner, the geometries of carbon coils-related materials, such as nano-sized coil and wave-like nano-sized coil could be observed on the substrate. The characteristics (formation density and morphology) of as-grown CNFs with or without $SF_6$ incorporation were investigated. Diameter size reduction for the individual CNFs-related shape and the enhancement of the formation density of CNFs-related material could be achieved by the incorporation of $SF_6$ as a cyclic modulation manner. The cause for these results was discussed in association with the slightly increased etching ability by $SF_6$ addition and the sulfur role in SF 6 for the geometry change.
For the effects of the nonlinear temperature profiles and reduced-gravity conditions we conduct a two-dimensional numerical modeling and simulations on the physical vapor transport processes of $Hg_2Cl_2-Xe$ system in the horizontal orientation position. Our results reveal that: (1) A decrease in aspect ratio from 5 to 2 leads to an increasingly nonuniform interfacial distribution and enhances the growth rate by one-order magnitude for normal gravity and linear wall temperature conditions. (2) Increasing the molecular weight of component B, Xenon results in a reduction in the effect of solutal convection. (3) The effect of aspect ratio affects the interfacial growth rates significantly under normal gravity condition rather than under reduced gravitational environments. (4) The transition from the convection-dominated regime to the diffusion-dominated regime ranges arises near at 0.1g$_0$ for operation conditions under consideration in this study.
For an aspect ratio (transport length-to-width) of 5, Pr=1.13, Le=1.91, Pe=4.3, Cv=1.01, $P_B=20\;Torr$, the effects of addition of inert gas Ne on thermally buoyancy-driven convection ($Gr=2.44{\times}10^3$) are numerically investigated for further understanding and insight into essence of transport phenomena in two dimensional horizontal enclosures. For $10K{\leq}{\Delta}T{\leq}50\;K$, the crystal growth rate increases from 10 K up to 20 K, and then is slowly decreased until ${\Delat}T=50\;K$, which is likely to be due to the effects of thermo-physical properties stronger than the temperature gradient corresponding to driving force for thermal convection. The dimensional maximum velocity gratitude reflecting the intensity of thermal convection is directly and linearly proportional to the temperature difference between the source and crystal regions. The rate is first order-exponentially decreased for $2{\leq}Ar{\leq}5$. This is related to the finding that the effects of side walls tend to stabilize convection in the growth reactor. In addition, the rate is first order exponentially decayed for $10{\leq}P_B{\leq}200\;Torr$.
Metalorganic chemical vapor deposition (MOCYD) techniques have been applied to fabricate semiconducting ZnO thin films and nanostructures, which are promising for novel optoelectronic device applications using their unique multifunctional properties. The growth and characterization of ZnO thin films on Si and $SiO_2$ substrates by MOCYD as fundamental study to realize ZnO nanostructures was carried out. The precise control of initial nucleation processes was found to be a key issue for realizing high quality epitaxial layers on the substrates. In addition, fabrication and characterization of ZnO nanodots with low-dimensional characteristics have been investigated to establish nanostructure blocks for ZnO-based nanoscale device application. Systematic realization of self- and artificially-controlled ZnO nanodots on $SiO_2/Si$ substrates was proposed and successfully demonstrated utilizing MOCYD in addition with a focused ion beam technique.
Vapor phase epitaxy(VPE)법을 사용하여 amorphous $SiO_x$. nanowires를 성장시켰다. Ni thin film을 촉매로 사용하여 Si 기판위에 $800{\sim}1100^{\circ}C$ 범위의 온도에서 성장시켰으며, $SiO_x$ nanowires의 성장 메커니즘은 Vapor-liquid-solid(VLS)으로 확인되었다. $SiO_x$ nanowires의 shape와 morphology는 scanning electron microscope(SEM)으로 분석하였으며, cotton-like형태이고 길이는 $10{\mu}m$정도였다. 그리고 구조적 특징은 transmission electron microscope(TEM)으로 관찰하였고, $SiO_x$ nanowires의 성분 분석은 energy dispersed X-ray spectroscopy(EDS)로 하였다. EDX spectrum으로 nanowires가 Si와 O로 구성되어졌음을 확인하였다.
Highly c-axis oriented poly-crystalline GaN with a dimension of $1{\sim}3\;{\mu}m$ was deposited on $c-Al_2O_3$ substrate by vapor transport epitaxy (VTE) method at the temperature range of $900{\sim}1150^{\circ}C$. XRD intensities from (00'2) plane of grown GaNs were increased with reaction conditions which indicate the improvement of the crystal quality. In the PL spectra measured at 10 K, the spectrum composed with the neutral-donor bound exciton-related emission at 3.47 eV, crystal defect-related emission band at 3.42 eV and with its phonon replicas. The fact that intensity of $I_2$ were increased and FWHM were decreased with growth conditions means that the quality of GaN crystals were improved. With this simple VTE technology, we confirm that the GaNs were simply deposited on sapphire substrate and crystal quality related to optical properties of GaN grown by VTE were relatively good. PL emission without deep level emission in spite of polycrystalline structure can be applicable to the fabrication of large area and low cost optical devices using poly-GaN grown by VTE.
본 연구에서는 기상화학 증착법으로 성장되는 GaN 후막에 대한 열역학적 전사모사를 수행하고 이를 실험결과와 비교, 검토하였다. 열역학적계산은 화학양론적 연산방식을 이용하여 수치 해석하였으며, 모사의 변수로써 온도범위는 400∼1500K, 기상비율은 $(GaCl_3)/[GaCl_3+NH_3],(N_2)/(GaCl_3+NH_3)$를 취하였다. GaN의 성장온도 범위는 이론적인 계산이 실험결과보다 훨씬 낮은 450∼750K으로 예측되었다. 성장온도에서 모사결과와 실험결과와의 차이는 GaN의 기상 에픽텍시 성장이 박막성장의 높은 활성화 에너지 때문에 반응속도론적으로 국한된 영역 내에서 발생한다는 것을 나타낸다.
본 연구에서는 기상화학 증착법으로 성장되는 GaN 후막에 대한 열역학적 전사모사를 수행하고 이를 실험결과와 비교, 검토하였다. 열역학적계산은 화학양론적 연산방식을 이용하여 수치 해석하였으며, 모사의 변수로써 온도범위는 400~1500K, 기상비율은 $(GaCl_3)/[GaCl_3+NH_3],(N_2)/(GaCl_3+NH_3)$를 취하였다. GaN의 성장온도 범위는 이론적인 계산이 실험결과보다 훨씬 낮은 450~750K으로 예측되었다. 성장온도에서 모사결과와 실험결과와의 차이는 GaN의 기상 에픽텍시 성장이 박막성장의 높은 활성화 에너지 때문에 반응속도론적으로 국한된 영역 내에서 발생한다는 것을 나타낸다.
Special attention in the role of convection in vapor crystal growth has been paid since some single crystals under microgravity environments less than 1 $g_0$ exhibits a diffusive-convection mode and much uniformity in front of the crystal regions than a normal gravity acceleration of 1 $g_0$. The total molar fluxes show asymmetrical patterns in interfacial distribution, which indicates the occurrence of either one single or more than one convective cell. As the gravitational level decreases form 1 $g_0$ down to $1.0{\times}10^{-4}\;g_0$, the intensity of convection, indicative of the maximum molar fluxes, is reduced significantly for ${\Delta}T=30K$ and 90 K. The total molar fluxes decay first order exponentially with the partial pressure of component B, PB (Torr) for 20 Torr ${\leq}PB{\leq}$ 300 Torr, and two gravity accelerations of $g_y=1\;g_0$ and 0.1 $g_0$.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.