Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology (한국결정성장학회지)
- Volume 8 Issue 3
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- Pages.387-387
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- 1998
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
Investigation of thermodynamic analysis in GaN thick films gtowth
GaN 후막 증착의 열역학적 해석에 관한 연구
- Published : 1998.06.01
Abstract
This paper reports on a thermodynamic analysis for the GaN thick film growth by vapor phaseepitaxy method. The thermodynamic calculation was performed using a chemical stoichiometric algorism. Thesimulation variables include the growth temperature in a range 400~1500 K, the gas ratios
본 연구에서는 기상화학 증착법으로 성장되는 GaN 후막에 대한 열역학적 전사모사를 수행하고 이를 실험결과와 비교, 검토하였다. 열역학적계산은 화학양론적 연산방식을 이용하여 수치 해석하였으며, 모사의 변수로써 온도범위는 400∼1500K, 기상비율은
Keywords