• 제목/요약/키워드: V2V communications

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초고속 광통신용 10Gbps급 LiNbO$_3$ 광강도변초기 제작 및 특성 (Fabrication and Properties of a 100bps LiNbO$_3$ Optical Modulator for High-speed broadband optical communications)

  • 김성구;윤형도;윤대원;유용택
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.95-96
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    • 1998
  • An optical modulator with CPW electrode on Ti:LiNbO$_3$ optical waveguide was fabricated and chterized. The electrical-optical bandwidth measurement showed an optical response of -3dB at 10 GHz and S11 less than -l0dB unto 20GHz. The typical specifications are . 5.6V of driving voltage, 4.2dB of Insertion loss and 30dB of on/off extinction.

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A SiGe HBT Variable Gain Driver Amplifier for 5-GHz Applications

  • 채규성;김창우
    • 한국통신학회논문지
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    • 제31권3A호
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    • pp.356-359
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    • 2006
  • A monolithic SiGe HBT variable gain driver amplifier(VGDA) with high dB-linear gain control and high linearity has been developed as a driver amplifier with ground-shielded microstrip lines for 5-GHz transmitters. The VGDA consists of three blocks such as the cascode gain-control stage, fixed-gain output stage, and voltage control block. The circuit elements were optimized by using the Agilent Technologies' ADSs. The VGDA was implemented in STMicroelectronics' 0.35${\mu}m$ Si-BiCMOS process. The VGDA exhibits a dynamic gain control range of 34 dB with the control voltage range from 0 to 2.3 V in 5.15-5.35 GHz band. At 5.15 GHz, maximum gain and attenuation are 10.5 dB and -23.6 dB, respectively. The amplifier also produces a 1-dB gain-compression output power of -3 dBm and output third-order intercept point of 7.5 dBm. Input/output voltage standing wave ratios of the VGDA keep low and constant despite change in the gain-control voltage.

시스템 안정화를 위한 아날로그 능동 소자의 특성 제어에 관한 연구 (A study on the Control of Characteristic in the Analog Active Element for System Stabilization)

  • 이근호;방준호;김동용
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권6B호
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    • pp.1114-1119
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    • 2000
  • In this paper, a current comparative frequency automatic tuning circuit for the CMOS bandpass filter are designed with the new architecture. And also, when the designed circuit is compared the typical tuning circuit, it has very simple architecture that is composed of the current comparator and charge pump and operated in 2V power supply. The proposed tuning circuit automatically compensate the difference between the operating current of the integrator and the reference current which is specified. Using CMOS 0.25um parameter, a CMOS bandpass active filter with center frequency(fo=100MHz) is designed, and according to the transister size the variation of the center frequency is simulated. As the HSPICE simulation results, the tuning operating of the proposed current comparative frequency automatic tuning circuit is verified.

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Comparison study of the future logic device candidates for under 7nm era

  • Park, Junsung
    • EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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    • 제5회(2016년)
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    • pp.295-298
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    • 2016
  • Future logic device over the FinFET generation requires a complete electrostatics and transport characteristic for low-power and high-speed operation as extremely scaled devices. Silicon, Germanium and III-V based nanowire-based MOSFET devices and few-layer TMDC (Transition metal dichalcogenide monolayers) based multi-gate devices have been brought attention from device engineers due to those excellent electrostatic and novel device characteristic. In this study, we simulated ultrascaled Si/Ge/InAs gate-all-around nanowire MOSFET and MoS2 TMDC based DG MOSFET and TFET device by tight-binding NEGF method. As a result, we can find promising candidates of the future logic device of each channel material and device structures.

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세라믹 자성 센서 제조기술에 관한 연구 (Study on the Ceramics Magnetic Sensor Fabrication Technology)

  • 이상헌;이성갑
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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    • pp.61-65
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    • 2003
  • A magnetic field sensor is fabricated with superconducting ceramics system The prepared material shows the superconductivity at about 95K. The sensor at liquid nitrogen temperature shows the increase in electrical resistance by applying magnetic field. Actually, the voltage drop across the sensor is changed from zero to a value more than $100{\mu}V$ by the applied magnetic field. The change in electrical resistance depends on magnetic field. The sensitivity of this sensor is 2.9 ohm/T. The increase in electrical resistance by the magnetic field is ascribed to a modification of the Josephson junctions due to the penetrating magnetic flux into the superconducting material.

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고속 주행 환경에서의 V2X 통신 성능 측정 시스템 (Performance Evaluation of V2X Communication System Under a High-Speed Driving)

  • 강보영;배정규;서우창;박종우;양은주;서대화
    • 한국통신학회논문지
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    • 제42권5호
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    • pp.1069-1076
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    • 2017
  • C-ITS(Cooperative-Intelligent Transportation System)는 전방 충돌 경고, 도로 안전 서비스 및 비상 정지와 같은 엄격한 실시간성이 요구되는 서비스들을 제공한다. C-ITS의 핵심 기술인 WAVE(Wireless Access in Vehicular Environments)는 고속 이동 환경을 위해 고안된 기술이지만, 실제 도로 환경에 적용하여 안정적인 통신 서비스를 제공하기 위해서는 실차 환경의 다양한 성능 시험이 요구된다. 실제 도로 환경에서 WAVE 통신 성능은 이동 중인 차량, 도로의 형상 및 지형 등의 주변 환경에 의해 영향을 받으며 특히, 차량이 고속으로 이동하는 경우 차량의 속도에 따라 주행하는 위치와 노변장치와의 접근성 등 주변 환경이 빠르게 변화한다. 이 변화는 통신 성능에 영향을 주는 요소이므로 이를 분석하기 위한 시스템과 방법이 필요하다. 본 논문에서는 고속 주행 환경에서 효과적인 성능 시험 시스템 구성과 시험 방법을 제안하고, 실차 시험을 통해 측정한 데이터를 기반으로 통신 성능을 분석한 결과를 제시한다.

모바일 환경 구축을 위한 정보시스템 운영방안에 대한 연구 (A Study on the Information System Operation Plan for the Mobile Environments Construction)

  • 김동수;김희완
    • 서비스연구
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    • 제4권2호
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    • pp.21-35
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    • 2014
  • 인터넷을 기반으로 하는 모바일 환경이 웹 정보시스템의 영역을 지속적으로 확대해가고 있다. 모바일 인터넷은 무선 네트워크 기술의 발달, 스마트 단말기기의 확산, 다양한 모바일 서비스 플랫폼의 등장 등으로 인한 모바일 콘텐츠 및 서비스가 확대되고 있다. 모바일 웹은 스마트폰이나 모바일 기기를 이용하여 모바일 네트워크나 다른 무선 네트워크에 접근해 인터넷 서비스에 접근하는 것을 말한다. 최근 국내에서 스마트폰 사용률이 급속도로 증가하고 있으며, 수많은 기업이 모바일 시장에 진입하고 있으며, 이에 따른 모바일 웹 정보시스템의 운영방안에 대한 필요성이 증가하고 있다. 따라서, 본 논문에서는 모바일 환경 구축을 위한 정보시스템의 운영방안에 대하여 국제적인 정보시스템 운영 관련 기준인 COBIT, ITIL, SLA와 한국정보화진흥원의 정보시스템 운영관련 기준을 비교 분석하였으며, 모바일 환경과 정보시스템 운영지침의 적합성을 분석하여 모바일 웹, 운영환경 및 ITIL V3을 비교 연구하였다.

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무선가입자망용 CMOS 중간주파수처리 집적회로 (A CMOS Intermediate-Frequency Transceiver IC for Wireless Local Loop)

  • 김종문;이재헌;송호준
    • 한국통신학회논문지
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    • 제24권8A호
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    • pp.1252-1258
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    • 1999
  • 본 논문에서는 10-MHz 대역폭을 갖는 무선가입자망용 중간주파수 아날로그 IC 설계에 관하여 논한다. 본 IC는 RF 부와 MODEM사이에서 인터페이스 역할을 하며, 수신 단에서는 중간주파수 신호를 기저대역으로 저역변환을 하고 송신 단에서는 기저대역 신호를 중간주파수 신호로 바꾸어 준다. 본 회로는 이득조절증폭기, 위상잠금회로, 저역통과필터, 아날로그-디지털 및 디지털-아날로그 변환기로 구성된다. 위상잠금회로에서 전압발진기 및 분주기, 위상비교기, 전하펌핑회로는 동일 칩 안에 구현하였고, 외부소자로는 루프필터용 소자와 LC 탱크 소자만이 사용되었다. 본 IC는 0.6-$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정에 의하여 제작되었고, 전체 크기는 4 mm $\times$ 4 mm 이며, 3.3 V에서 약 57mA를 소모하였다.

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초광대역 무선통신시스템을 위한 광대역 하향 주파수 변환기 개발에 관한 연구 (A Wideband Down-Converter for the Ultra-Wideband System)

  • 김창완;이승식;박봉혁;김재영;최상성;이상국
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.189-193
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    • 2005
  • 본 논문은 MB-OFDM UWB 시스템에 적용할 수 있는 직접 변환 방식용 하향 주파수 변환기 구조를 제안한다. 제안하는 주파수 변환기 구조는 $3\~5\;GHz$ 광대역 입력 매칭을 하기 위해 일반적으로 CMOS로 구성된 트랜스컨덕턴스 회로를 사용하지 않고, 저항을 사용하였다. 하향 주파수 변환기는 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였으며, 측정 결과 3개의 UWB 채널에 대하여 최소 +3 dB의 주파수 변환 이득과 각각 3 dB 이하의 게인 평탄도를 보이며, 1.8 V dc Power supply에서 0.89 mA를 소비한다.

Wi-Fi Direct 환경에서 Fast Connection을 위한 효과적인 Device Discovery 기법 연구 (Study of Efficient Device Discovery Method for Fast Connection in Wi-Fi Direct)

  • 이재호
    • 한국통신학회논문지
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    • 제41권6호
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    • pp.631-639
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    • 2016
  • 현재 Wi-Fi Alliance에서 발표한 Wi-Fi Peer-to-Peer Technical Specification (v1.4, 2014) 기술은 Wi-Fi Direct 접속을 위하여 개발되었으며, 최근 출시되는 대부분의 스마트폰과 TV, 모니터, 셋톱박스, 게임콘솔 등의 장치에서 상용화되고 있다. 하지만, 위 기술 표준에서 정의되는 초기 접속 절차는 5~10 초의 시간이 소모되며, 이는 해당 기술의 성능과 더불어 사용의 편의성 측면에서도 문제가 될 수 있다. 이러한 문제는 현재 표준 기술의 Scan 절차와 Find 절차로 구성된 초기 Discovery 절차의 비효율성으로 인하여 발생되며, 본 고는 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 Wi-Fi Direct 절차를 구성하는 Scan 및 Find 절차를 재구성하여 Discovery 소요 시간을 단축시키고 접속 환경에 대한 효율을 향상시켰으며, 객관적 검증을 위하여 성능분석과 실험을 진행하였다.