Abstract
In this paper, we propose a direct conversion double-balanced down-converter fer MB-OFDM W system, which is implemented using $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology and its measurement results are shown. The proposed down-converter adopts a resistive current-source instead of general transconductance stage using MOS transistor to achieve wideband characteristics over RF input frequency band $3\~5\;GHz$ with good gain flatness. The measured conversion gain is more than +3 dB, and gain flatness is less than 3 dB for three UWB channels. The dc consumption of this work is only 0.89 mA from 1.8 V power supply, leading to the low-power W application.
본 논문은 MB-OFDM UWB 시스템에 적용할 수 있는 직접 변환 방식용 하향 주파수 변환기 구조를 제안한다. 제안하는 주파수 변환기 구조는 $3\~5\;GHz$ 광대역 입력 매칭을 하기 위해 일반적으로 CMOS로 구성된 트랜스컨덕턴스 회로를 사용하지 않고, 저항을 사용하였다. 하향 주파수 변환기는 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였으며, 측정 결과 3개의 UWB 채널에 대하여 최소 +3 dB의 주파수 변환 이득과 각각 3 dB 이하의 게인 평탄도를 보이며, 1.8 V dc Power supply에서 0.89 mA를 소비한다.