• 제목/요약/키워드: V2V

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GENERALIZED LUCAS NUMBERS OF THE FORM 5kx2 AND 7kx2

  • KARAATLI, OLCAY;KESKIN, REFIK
    • 대한수학회보
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    • 제52권5호
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    • pp.1467-1480
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    • 2015
  • Generalized Fibonacci and Lucas sequences ($U_n$) and ($V_n$) are defined by the recurrence relations $U_{n+1}=PU_n+QU_{n-1}$ and $V_{n+1}=PV_n+QV_{n-1}$, $n{\geq}1$, with initial conditions $U_0=0$, $U_1=1$ and $V_0=2$, $V_1=P$. This paper deals with Fibonacci and Lucas numbers of the form $U_n$(P, Q) and $V_n$(P, Q) with the special consideration that $P{\geq}3$ is odd and Q = -1. Under these consideration, we solve the equations $V_n=5kx^2$, $V_n=7kx^2$, $V_n=5kx^2{\pm}1$, and $V_n=7kx^2{\pm}1$ when $k{\mid}P$ with k > 1. Moreover, we solve the equations $V_n=5x^2{\pm}1$ and $V_n=7x^2{\pm}1$.

POSITIVE RADIAL SOLUTIONS FOR A CLASS OF ELLIPTIC SYSTEMS CONCENTRATING ON SPHERES WITH POTENTIAL DECAY

  • Carriao, Paulo Cesar;Lisboa, Narciso Horta;Miyagaki, Olimpio Hiroshi
    • 대한수학회보
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    • 제50권3호
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    • pp.839-865
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    • 2013
  • We deal with the existence of positive radial solutions concentrating on spheres for the following class of elliptic system $$\large(S) \hfill{400} \{\array{-{\varepsilon}^2{\Delta}u+V_1(x)u=K(x)Q_u(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\-{\varepsilon}^2{\Delta}v+V_2(x)v=K(x)Q_v(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\u,v{\in}W^{1,2}(\mathbb{R}^N),\;u,v&gt;0\;in\;\mathbb{R}^N,}$$ where ${\varepsilon}$ is a small positive parameter; $V_1$, $V_2{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ and $K{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ are radially symmetric potentials; Q is a $(p+1)$-homogeneous function and p is subcritical, that is, 1 < $p$ < $2^*-1$, where $2^*=2N/(N-2)$ is the critical Sobolev exponent for $N{\geq}3$.

초전도 $Sr_2VO_3FeAs$에서 상관효과 (Correlation Effects in Superconducting $Sr_2VO_3FeAs$)

  • 이관우
    • Progress in Superconductivity
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    • 제12권1호
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    • pp.46-50
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    • 2010
  • In the superconducting $Sr_2VO_3FeAs$, containing bimetallic layers, with maximum $T_c{\approx}\;46\;K$ correlation effects on V ions have been investigated using LDA+U method. Within the local density approximation (LDA) this system has the one-third filled $t_{2g}$ manifold of V, decomposed into $d_{xy}$ of bandwidth W=2 eV and nearly degenerate $d_{zx}d_{yz}$ of W=1 eV. Consideration of correlation effects leads to a metal-insulator transition on V ions $t^{2\uparrow}_{2g}\;{\rightarrow}\;d^{1\uparrow}_{xz}\;d^{1\uparrow}_{yz}$ at the critical on-site Coulomb repulsion $U_c$= 3.5 eV. At U=4 eV, the electronic structure, in which V ions are insulating, leads to several van Hove singularities near $E_F$ and similar Fermiology with other pnictides. Applying U to V ions results in increasing Fe moment as well as V moment, indicating somewhat hybridization between Fe and V ions even though this system is strongly 2-dimesional. Our results show possible importance of correlation effects on this system.

Benzo[1,2,5]thiadiazole을 기본 골격으로 한 공액고분자의 합성 및 광전변환특성 연구 (Synthesis and Photovoltaic Properties of New π-conjugated Polymers Based on Benzo[1,2,5]thiadiazole)

  • 배준휘;임경은;김주현
    • 공업화학
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    • 제24권4호
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    • pp.396-401
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    • 2013
  • Benzo[1,2,5]thiadiazole, carbazole 및 phenanthrene을 기본 골격으로 한 교대공중합체인 poly[9-(2-octyl-dodecyl)-9H-carbazole-alt-4,7-di-thiophen-2-yl-benzo[1,2,5]thiadiazole] (PCD20TBT)와 poly[9,10-bis-(2-octyl-dodecyloxy)-phenanthrene-alt-4,7-di-thiophen-2-yl-benzo[1,2,5]thiadiazole] (PN40TBT)을 Suzuki coupling reaction을 이용하여 중합하였다. 합성한 고분자들은 chloroform, chlorobenzene, 1,2-dichlorobenzene, tetrahydrofuran, toluene과 같은 유기용매에 대한 용해도가 우수하였다. PCD20TBT의 최대흡수 파장과 밴드갭은 각각 535 nm와 1.75 eV이고, PN40TBT의 최대흡수 파장과 밴드갭은 각각 560 nm과 1.97 eV이었다. PCD20TBT의 HOMO 및 LUMO 에너지준위는 각각 - 5.11 eV와 - 3.36 eV이고, PN40TBT의 HOMO 및 LUMO 에너지준위는 각각 -5.31 eV와 -3.34 eV이었다. 합성한 고분자와 (6)-1-(3-(methoxycarbonyl)-{5}-1-phenyl[5,6]-fullerene(PCBM)을 1:2의 중량비로 블랜딩하여 제작한 이종접합형태(bulk heterojunction) 태양전지를 제작하였다. PCD20TBT의 광전변환효율은 0.52%, PN40TBT의 광전변환효율은 0.60%이었다. 그리고 소자의 단락 전류밀도, 충진 인자와 개방전압은 PCD20TBT가 각각 $-1.97mA/cm^2$, 38.2%, 0.69 V이며, PN40TBT의 경우 각각 $-1.77mA/cm^2$, 42.9%, 0.79 V이었다.

JORDAN ALGEBRAS ASSOCIATED TO T-ALGEBARS

  • Jang, Young-Ho
    • 대한수학회보
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    • 제32권2호
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    • pp.179-189
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    • 1995
  • Let $V \subset R^n$ be a convex homogeneous cone which does not contain straight lines, so that the automorphism group $$ G = Aut(R^n, V)^\circ = { g \in GL(R^n) $\mid$ gV = V}^\circ $$ ($\circ$ denoting the identity component) acts transitively on V. A convex cone V is called "self-dual" if V coincides with its dual $$ (1.1) V' = { x' \in R^n $\mid$ < x, x' > > 0 for all x \in \bar{V} - {0}} $$ where $\bar{V}$ denotes the closure of V.sure of V.

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TTA 시험$\cdot$인증 서비스 - 소프트웨어 분야 -

  • 김혜경
    • TTA 저널
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    • 통권87호
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    • pp.162-168
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    • 2003
  • TTA(한국정보통신기술 협회)는 2003년 4월 7일 품질 인증제품으로 연희정보통신㈜의''상·하수도 범용/UFCom v 1.0'', ㈜뉴테크웨이브의 ''VirusChaser v 5.0''등 2개의 제품에 대하여 Good Software 마크를 발급하였다. 그리고 2003년 4월 30일에 ㈜웨어밸리의''Orange for ORACLE v 2.2'', ㈜테크다임의''Techdigm Office v 2.0'', ㈜엔지스 테크널러지의''G-Solution Waterworks/Sewerage v 1.0'', 삼성에스디에스㈜의''uniCITY Standard v 1.0'', ''uniCITY Enterprise v 1.0''등 5개의 제품에 대하여 Good Software 마크를 발급하였다. 본 고에서는 상기의 인증 획득한 제품에 대하여 소개하고자 한다.

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MMT 기반 V3C 데이터 패킷화 방안 (MMT based V3C data packetizing method)

  • 문형준;김연웅;박성환;남귀중;김규헌
    • 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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    • 한국방송∙미디어공학회 2022년도 하계학술대회
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    • pp.836-838
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    • 2022
  • 3D Point Cloud는 3D 콘텐츠를 더욱 실감 나게 표현하기 위한 데이터 포맷이다. Point Cloud 데이터는 3차원 공간상에 존재하는 데이터로 기존의 2D 영상에 비해 거대한 용량을 가지고 있다. 최근 대용량 Point Cloud의 3D 데이터를 압축하기 위해 V-PCC(Video-based Point Cloud Compression)와 같은 다양한 방법이 제시되고 있다. 따라서 Point Cloud 데이터의 원활한 전송 및 저장을 위해서는 V-PCC와 같은 압축 기술이 요구된다. V-PCC는 Point Cloud의 데이터들을 Patch로써 뜯어내고 2D에 Projection 시켜 3D의 영상을 2D 형식으로 변환하고 2D로 변환된 Point Cloud 영상을 기존의 2D 압축 코덱을 활용하여 압축하는 기술이다. 이 V-PCC로 변환된 2D 영상은 기존 2D 영상을 전송하는 방식을 활용하여 네트워크 기반 전송이 가능하다. 본 논문에서는 V-PCC 방식으로 압축한 V3C 데이터를 방송망으로 전송 및 소비하기 위해 MPEG Media Transport(MMT) Packet을 만드는 패킷화 방안을 제안한다. 또한 Server와 Client에서 주고받은 V3C(Visual Volumetric Video Coding) 데이터의 비트스트림을 비교하여 검증한다.

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몰리브덴(V) 착물의 합성 및 특성에 관한 연구 (Synthesis and Characterization of Molybdeum(V) Complexes)

  • 김일출
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.254-260
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    • 2001
  • The Mo(V) $di-{\mu}-oxo$ type [$Mo_{2}O_{4}(H_{2}O)_{2}L_{2}$] $SO_{4}$ complexes(L: 2,2'-dipyridyl,4,4'-ethylenedianlline) have been prepared by the reaction of $[Mo_{2}O_{4}(H_{2}O)_{6}]SO_{4}$ with a series of chelate ligands. These complexes are completed by two terminal oxygens arranged trans to one another and each ligand forms a chelate types. In $Mo_{2}O_{4}(H_{2}O)_{2}L_{2}$, two $H_{2}O$ coordinated at trans site of terminal oxygens. The prepared complexes have been characterized by elemental analysis, infrared spectra, $^{1}H$ nuclear magnetic resonance spectra, and thermal analysis(TG-DTA). In the potential range -0.00V to -1.00V at a scan rate of $50mVs^{-1}$, a cathodic peak at -0.81V ${\sim}$ -0.87V (vs SCE) and an anodic peak at -0.61V ${\sim}$ -0.63V (vs SCE) have been observed in aquous solution. We infer these redox are irreversible reaction.

0.35 ㎛ BCD 공정을 이용한 보호회로 기능이 추가된 모바일용 LDO 레귤레이터 (Design of a LDO regulator with a protection Function using a 0.35 µ BCD process)

  • 이민지;손현식;박용수;송한정
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제16권1호
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    • pp.627-633
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    • 2015
  • 본 논문에서는 고속 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 회로를 위한 저전압 입력 보호기능을 가지는 모바일용 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 설계하였다. 설계된 LDO 레귤레이터는 밴드갭 기준전압회로, 오차 증폭회로, 파워 트랜지스터 등으로 이루어진다. LDO 레귤레이터는 3.3 V 전원전압으로부터 2.5 V 출력을 갖도록 설계되었으며, 저전압 입력보호 기능을 하는 UVLO 회로는 전원부와 파워 트랜지스터 사이에 삽입된다. 또한 UVLO는 3.3 V 구동전압에서, 하강시 1.2 V 에서 LDO 레귤레이터 동작을 멈추게 하고, 구동전압 상승 시 2.5 V 에서 LDO 레귤레이터가 정상 동작한다. $0.35{\mu}m$ 5 V 저전압 CMOS 공정을 사용하여 모의실험 한 결과, 설계한 LDO 레귤레이터는 0.713 mV/V의 라인레귤레이션을 가지고, 부하전류가 0 mA에서 40 mA로 변할 때 $8.35{\mu}V/mA$의 로드레귤레이션을 보였다.

V/비정질- $V_{2}$ $O_{5}$ /lV 박막소자에서의 양자화된 컨덕턴스 상태로의 문턱 스위칭 (Thereshold Switching into Conductance Quantized Sttes in V/vamorphous- $V_{2}$ $O_{5}$/V Thin Film Devices)

  • 윤의중
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권12호
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    • pp.89-100
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    • 1997
  • This paper investigated a new type of low voltage threshold switch (LVTS). As distinguished from the many other types of electronic threshold switches, the LvTS is ; voltage controlled, occurs at low voltages ($V_{2}$ $O_{5}$lV devices. The average low threshold voltage < $V_{LVT}$>=218 mV (standard deviation =24mV~kT/q, where T=300K), and was independent of the device area (x100) and amorphous oxide occurred in an ~22.angs. thick interphase of the V/amorphous- $V_{2}$ $O_{5}$ contacts. At $V_{LVT}$ there was a transition from an initially low conductance (OFF) state into a succession of quantized states of higher conductance (ON). The OFF state was spatically homogeneous and dominated by tunneling into the interphase. The ON state conductances were consistent with the quantized conductances of ballistic transport through a one dimensional, quantum point contact. The temeprature dependence of $V_{LVT}$, and fit of the material parameters (dielectric function, barrier energy, conductivity) to the data, showed that transport in the OFF and ON states occurred in an interphase with the characteristics of, respectively, semiconducting and metallic V $O_{2}$. The experimental results suggest that the LVTS is likely to be observed in interphases produced by a critical event associated with an inelastic transfer of energy.rgy.y.rgy.

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