• 제목/요약/키워드: V.A.S

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0.3 um급 Inverse-T Gate 모스와 LDD 모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성비교 (Characterization of Current Drivability and Reliability of 0.3 um Inverse T-Gate MOS Compared with Those of Conventional LDD MOS)

  • 윤창주;김천수;이진호;김대용;이진효
    • 전자공학회논문지A
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    • 제30A권8호
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    • pp.72-80
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    • 1993
  • We fabricated 0.3um gate length inverse-T gate MOS(ITMOS) and conventional lightly doped drain oxide spacer MOS(LDDMOS), and studied electrical characteristics for comparison. Threshold voltage of 0.3um gate length device was 0.58 V for ITMOS and 0.6V for LDDMOS. Measured subthreshold characteristics showed a slope of 85mV/decades for both ITLDD and LDDMOS. Maximum transconductance at V S1ds T=V S1gs T=3.3V was 180mS/mm for ITMOS and 163mS/mm for LDDMOS respectively. GIDL current was observed to be 0.1pA/um for ITOMS and 0.8pA/um for LDDMOS. Substrate current of ITMOS as a function of drain current was found to be reduced by a foactor of 2.5 compared with that of LDDMOS.

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HgGa2S4 단결정의 광학적 특성연구 (A Study on the Optical Properties of HgGa2S4 Single Crystal)

  • 이관교;이상열;강종욱;이봉주;김형곤;현승철;방태환
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.969-974
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    • 2003
  • HgGa$_2$S$_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The HgGa$_2$S$_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure (I 4). The lattice constants of the single crystal were found to be a = 5.635 $\AA$ and c = 10.473 $\AA$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84eV and 2.78eV, respectively. Photoluminescence peaks of HgGa$_2$S$_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

사회성 벌의 변이에 관한 연구 제 1 보 "땅벌" Vespula vulgaris L. 의 반문별이와 Synonyms에 관하여 (A STUDY ON THE VARIATIONS OF SOCIAL V ASPS 1. On the Marking-variation of Vespula vulgaris L. and on it's Synonyms)

  • Chang Whan KIM
    • Journal of Plant Biology
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    • 제1권1호
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    • pp.11-16
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    • 1958
  • 한국산 Genus Vespula THOMSON 으로는 다음 6종이 알려지고 있다. Vespula austpiaca PANZER 삼성말벌 V. germanica flevicets SMITH 해첨배기말벌 V. media RETZIUS 좀말벌 V. koieensis YADOSZKOWSKI 참땅벌 V. rufa L. var. schrenckii RADOSZAKOWSKI 슈렝크말벌 V. vulgaris L. var. Lewisii CAMERON 땅벌 상기종중에서 V. austriaca, V. rufa, V. vulgaris의 종간은 각지에서 채집된 기록이 있으나 나머지 것은 한국에 산한다고만 되어있다. 채집된 상기 3종은 형태초적으로는 거의 비슷하고 반문 만을 달리하니 그 반문의 변이를 조사하는 것은 중대한 의의를 가진다. 필자는 서울 근교우이동에서 밤을 이용하여 8개의 벌집속 벌을 모조리 채집하여 그 중 2 벌집의 개체만에 관하여 그 변이를 조사한 결과를 제1보로 여기에 발표한다. 한 벌집 속 개체수는 726과 661 이었고 다라서 총개체수 1337 마리를 조사한 결과 상당히 심히 문반변이가 잇음을 알었고 더우기 V. austriaca, V. rufa, V. koreensis 와 V. vulgaris 간의 반문차는 동일종내의 변이에 불과함을 알게 되었다. 따라서, V. austriaca, V. rufa, V. koreensis는 V. vulgaris 의 synonym 임을 밝히는 바이다. 본연구에 있어서 귀중한 교\ulcorner을 빌려주신 고대이과부장 조복의교수와 재료의 채집과 조사에 협력해준 고대생물학과생 김원임, 이경\ulcorner, 이병준, 이동\ulcorner \ulcorner군에게 감사를 표하는 바이다.

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A NEW VERTEX-COLORING EDGE-WEIGHTING OF COMPLETE GRAPHS

  • Farahani, Mohammad Reza
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제32권1_2호
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    • pp.1-6
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    • 2014
  • Let G = (V ; E) be a simple undirected graph without loops and multiple edges, the vertex and edge sets of it are represented by V = V (G) and E = E(G), respectively. A weighting w of the edges of a graph G induces a coloring of the vertices of G where the color of vertex v, denoted $S_v:={\Sigma}_{e{\ni}v}\;w(e)$. A k-edge-weighting of a graph G is an assignment of an integer weight, w(e) ${\in}${1,2,...,k} to each edge e, such that two vertex-color $S_v$, $S_u$ be distinct for every edge uv. In this paper we determine an exact 3-edge-weighting of complete graphs $k_{3q+1}\;{\forall}_q\;{\in}\;{\mathbb{N}}$. Several open questions are also included.

전조등 조도변동에 대한 운전자의 인식연구 : 3. 운전자의 심리적 특성 (A Study on Driver's Perception over the Change of the Headlamp's Illuminance : 3. Driver's psychological property)

  • 김현지;김현진;김기훈;김훈;안옥희
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.120-124
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    • 2006
  • In this study, psychological assessment was carried out to investigate the driver's psychological characteristics by the change of the headlight. The participants were 20 men and 20 women in their 20s and thirty-two different conditions in combinations of waveform of light, voltage, and alteration time were used. The questionnaire for the assessment was evaluated by 8 subjective items and 5-point SD criteria of 19 pair's adjective. The results were as follows. 1. The assessment results from SD method indicated 3 factors by factor analysis, and it was shown that A waveform had significances in a sense of security and impetus and B waveform had a significance in a sense of security The levels of the limitations for the voltage change were 12V in the factor of a sense of security and 11V in the factor of a sense of impetus for A waveform, 12.6V in the factor of a sense of security for B waveform. 2. The results of the subjective assessment showed that the limitation of A waveform's brightness change was 12V. Moreover, the limitations of voltage changes were 12.6V for B waveform brightness change, 12V for discomfort, 12.6V for darkness. And the limitation of C waveform's brightness change was 12V.

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Optical and Optoelectric Properties of PbCdS Ternary Thin Films Deposited by CBD

  • Mohammed, Modaffer. A.;Mousa, Ali M.;Ponpon, J.P.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제9권2호
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    • pp.117-123
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    • 2009
  • $Pb_{x}Cd_{1-x}S$ films are prepared in the composition range of 0.05${\leq}x{\leq}$0.25, using a chemical bath deposition growth technique under optimum conditions amide at realizing good photo response. The x-ray diffraction results show that the films are of PbS-CdS composite with individual CdS and PbS planes. The films exhibit two direct band gaps, 2.4 eV attributed to CdS, while the other varies continuously from 2.4 eV to 1.3 eV. The films surface morphology is smooth with crystallite, whose grain size increases with increasing mole fraction (x). The decrease in band gap with increase in lead concentration suggests inter-metallic compound of PbS (Eg=0.41 eV) with CdS (Eg=2.4 eV)

음향현미경의 V(z)곡선을 이용한 재료의 특성에 관한 연구 (A study on the characteristic of material using V(z) curve of acoustic microscope)

  • 문건;고대식;전계석
    • 한국음향학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.65-73
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    • 1988
  • 본 논문에서는 음향현미경의 V(z)곡선을 해석하고 실험결과와 비교 고찰하였으며 V(z)곡선과 재료의 탄성 특성사이의 관계를 연구분석하였다. V(z)곡선의 이론적인 해석은 angular spectrum과 ray optics 이론을 사용하였고 실험은 동작주파수가 3MHz인 음향현미경을 구성하여 행하였다. 실험결과 V(z)곡선은 재료마다 고유의 형태를 나타내며 V(z) 곡선에서 극대치 사이의 간격은 재료에서 Rayleigh 파의 음향속도를 산출하는 데 이용될 수 있음을 보였다.

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레일리파 분산을 역산하여 구한 횡파속도를 이용한 춘천시의 부지특성 (Site Characterization using Shear-Wave Velocities Inverted from Rayleigh-Wave Dispersion in Chuncheon, Korea)

  • 정진훈;김기영
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제17권1호
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    • pp.1-10
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    • 2014
  • 춘천시 인구 밀집지역의 지반특성 파악 및 분류를 목적으로 2011년 1월부터 2013년 5월까지 고유진동수 1 Hz인 수직성분 속도센서 4대와 4.5 Hz 수직 지오폰 24개를 이용하여 춘천시계 내의 50 지점(산림지 4 곳 포함)에서 레일리파를 기록하였다. 확장된 공간자기상관함수법으로 얻은 레일리파 분산곡선을 두께 1 m인 40개 수평층의 횡파속도($v_s$) 모델로 역산하였다. 또한 이를 바탕으로 풍화암질 기반암의 깊이($D_b$) 및 횡파속도($v_s^b$), 토양층의 평균 횡파속도($\bar{v}_s^s$), 깊이 30m까지의 횡파속도($v_s30$)를 각각 산출하였다. 46개 저고도 측점에서 구한 $D_b$, $v_s^b$, $\bar{v}_s^s$, $v_s30$는 각각 5 ~ 29 m, 404 ~ 561 m/s, 208 ~ 375 m/s, 226 ~ 583 m/s의 범위를 갖는다. 이는 국내 내진설계기준에 따르면 단단한 토사지반 $S_D$와 매우 조밀한 토사지반 및 연암지반인 $S_C$에 해당한다. $v_s30$의 대표적 지시자를 파악하기 위해 토지피복 종류, 기반암 암상, 지표면 경사도 및 지표 고도와의 상관도를 분석하였다. 그 결과, 가장 좋은 지시자인 고도와의 상관성(r = 0.41)도 미약하게 나타나서, 상대적으로 작은 면적의 춘천시만을 대상으로 적용하기에는 신뢰성에 한계가 있다고 판단된다.

에지 고장이 있는 Restricted Hypercube-Like 그래프의 해밀톤 경로 (Hamiltonian Paths in Restricted Hypercube-Like Graphs with Edge Faults)

  • 김숙연;전병태
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제18A권6호
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    • pp.225-232
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    • 2011
  • Restricted Hypercube-Like(RHL) 그래프는 교차큐브, 뫼비우스큐브, 엠큐브, 꼬인큐브, 지역꼬인큐브, 다중꼬인큐브, 일반꼬인큐브와 같이 유용한 상호연결망들을 광범위하게 포함하는 그래프군이다. 본 논문에서는 $m{\geq}4$ 인 m-차원 RHL 그래프 G에 대해서 임의의 에지 집합 $F{\subset}E(G)$, ${\mid}F{\mid}{\leq}m-2$, 가 고장일 때, 고장 에지들을 제거한 그래프 $G{\setminus}F$는 임의의 서로 다른 두 정점 s와 t에 대해서 dist(s, V(F))${\neq}1$ 이거나 dist(t, V(F))${\neq}1$이면 해밀톤 경로가 있음을 보인다. V(F)는 F에 속하는 에지들의 양 끝점들의 집합이고 dist(v, V(F))는 정점 v와 집합 V(F)의 정점들 간의 최소 거리이다.

HWE 방법에 의한 $AgGaS_2$단결정 박막성장과 특성에 관한 연구 (A study on the growth and characteristics of $AgGaS_2$ single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 홍광준;정준우
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.211-220
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    • 1998
  • 수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$, $440^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$= 8.695$\times$10-4 eV/K, $\beta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

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