• 한국전자파학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.212-215
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• 2016

본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 5.08 GHz에서 동작하는 링 전압 제어 발진기(Ring Voltage Controlled Oscillator, Ring VCO)를 제작하였다. Ring VCO는 3단 구조로 각 단의 트랜지스터 크기 비율을 다르게 하여 전류 변화에 따른 소모 전력이 달라짐을 확인하였다. Core의 양단 위, 아래에는 Current Mirror로 전류를 제어하도록 구성하였고, 주파수 조절을 위해 제어 전압을 추가하였다. Ring VCO 측정 결과, 주파수 범위는 65.5 %(1.88~5.45 GHz), 출력 전력 -0.30 dBm, 5.08 GHz 중심주파수에서 -87.50 dBc/Hz @1 MHz의 위상잡음을 갖는다. 또한, 2.4 V 전원에서 31.2 mW 소모 전력을 확인하였다.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제40권5_6호
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• pp.915-923
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• 2022

The purpose of the present paper is to obtain commutativity of prime Γ-near-ring N with generalized derivations F and G with associated derivations d and h respectively satisfying one of the following conditions:(i) G([x, y]α = ±f(y)α(xoy)βγg(y), (ii) F(x)βG(y) = G(y)βF(x), for all x, y ∈ N, β ∈ Γ (iii) F(u)βG(v) = G(v)βF(u), for all u ∈ U, v ∈ V, β ∈ Γ,(iv) if 0 ≠ F(a) ∈ Z(N) for some a ∈ V such that F(x)αG(y) = G(y)αF(x) for all x ∈ V and y ∈ U, α ∈ Γ.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권6호
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• pp.601-607
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• 2015

A set of novel silicon controlled rectifier (SCR) devices' characteristics have been analyzed and verified under the electrostatic discharge (ESD) stress. A ring-shaped diffusion was added to their anode or cathode in order to improve the holding voltage (Vh) of SCR structure by creating new current discharging path and decreasing the emitter injection efficiency (${\gamma}$) of parasitic Bipolar Junction Transistor (BJT). ESD current density distribution imitated by 2-dimensional (2D) TCAD simulation demonstrated that an additional current path exists in the proposed SCR. All the related devices were investigated and characterized based on transmission line pulse (TLP) test system in a standard $0.5-{\mu}m$ 24 V CDMOS process. The proposed SCR devices with ring-shaped anode (RASCR) and ring-shaped cathode (RCSCR) own higher Vh than that of Simple SCR (S_SCR). Especially, the Vh of RCSCR has been raised above 33 V. What's more, their holding current is kept over 800 mA, which makes it possible to design power clamp with SCR structure for on chip ESD protection and keep the protected chip away from latch-up risk.

• 대한수학회논문집
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• 제34권1호
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• pp.83-93
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• 2019

Let R be a noncommutative prime ring of characteristic different from 2, U the Utumi quotient ring of R, C the extended centroid of R and f($x_1,{\ldots},x_n$) a noncentral multilinear polynomial over C in n noncommuting variables. Denote by f(R) the set of all the evaluations of f($x_1,{\ldots},x_n$) on R. If d is a nonzero derivation of R and G a nonzero generalized derivation of R such that $$d(G(u)u){\in}Z(R)$$ for all $u{\in}f(R)$, then $f(x_1,{\ldots},x_n)^2$ is central-valued on R and there exists $b{\in}U$ such that G(x) = bx for all $x{\in}R$ with $d(b){\in}C$. As an application of this result, we investigate the commutator $[F(u)u,G(v)v]{\in}Z(R)$ for all $u,v{\in}f(R)$, where F and G are two nonzero generalized derivations of R.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.199-204
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• 2010

본 논문에서는 전력반도체의 내압을 유지하는데 있어서 가장 중요한 필드 링의 개선을 위해 새로운 구조의 필드 링을 제안하였다. 제안한 트렌치 필드 링은 기존의 일반 필드 링에 비해 10%이상 효율을 개선하였다. 트렌치 필드 링의 설계를 위해 5가지의 변수를 두고 최적화 시뮬레이션을 수행하였으며, 수행한 파라미터 결과를 가지고 마스크를 설계하여 제작을 진행하였다. 내압이 증가하면 증가할 수록 트렌치 필드링이 일반 필드 링보다 더 좋은 결과를 가져올 수 있었다. 이러한 결과는 앞으로 전력반도체 소자인 IGBT, Power MOS 및 MCT 소자의 설계에 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.1-5
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• 2010

In this paper, we proposed trench field ring for breakdown voltage of power devices. The proposed trench field ring was improved 10% efficiency comparing with conventional field ring. we analyzed five parameters of trench field ring for design of trench field ring and carried out 2-D devices simulation and process simulations. That is, we analyzed number of field ring, juction depth, distance of field rings, trench width, doping profield. The proposed trench field ring was better to more 1000 V.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권12호
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• pp.105-112
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• 2009

본 논문에서는 $0.35{\mu}m$ Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)공정으로 설계한 스마트 파워 IC 내의 가드링 코너 영역에서 발생하는 비정상적인 정전기 불량을 관측하고 이를 분석하였다. 칩내에서 래치업(Latch-up)방지를 위한 고전압 소자의 가드링에 연결되어 있는 Vcc단과 Vss 사이에 존재하는 기생 다이오드에서 발생한 과도한 전류 과밀 현상으로 정전기 내성 평가에서 Machine Model(MM)에서는 200V를 만족하지 못하는 불량이 발생하였다. Optical Beam Induced Resistance Charge(OBIRCH)와 Scanning Electronic Microscope(SEM)을 사용하여 불량이 발생한 지점을 확인하였고, 3D T-CAD 시뮬레이션으로 원인을 검증하였다. 시뮬레이션 결과를 통해 Local Oxidation(LOCOS)형태의 Isolation구조에서 과도한 정전기 전류가 흘렀을 때 코너영역의 형태에 따라 문제가 발생하는 것을 검증하였다. 이를 통해 정전기 내성이 개선된 가드링 코너 디자인 방법을 제안하였고 제품에 적용한 결과, MM 정전기 내성 평가에서 200V이상의 결과를 얻었다. 통계적으로 Test chip을 분석한 결과 기존의 결과 대비 20%이상 정전기 내성이 향상된 것을 확인 할 수 있었다. 이 결과를 바탕으로 BCD공정을 사용하는 칩 설계 시, 가드링 구조의 정전기 취약 지점을 Design Rule Check(DRC) 툴을 사용하여 자동으로 찾을 수 있는 설계 방법도 제안하였다. 본 연구에서 제안된 자동 검증방법을 사용하여, 동종 제품에 적용한 결과 24개의 에러를 검출하였으며, 수정 완료 제품은 동일한 정전기 불량은 발생하지 않았고 일반적인 정전기 내성 요구수준인 HBM 2000V / MM 200V를 만족하는 결과를 얻었다.

• The Journal of Korean Physical Therapy
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• 제17권3호
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• pp.329-338
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• 2005

The determination of peripheral nerve conduction velocity is an important part to electrodiagnosis. Its value as neurophysiologic investigative procedure has been known for many years but normal value of digital nerve was not reported in Korea. To evaluate of digital nerve conduction velocity of median nerve for obtain clinically useful reference value and compare difference in each fingers. 71 normal volunteers(age, 19-65 years; 142 hands) examined who has no history of peripheral neuropathy, diabetic mellitus, chronic renal failure, endocrine disorders, anti-cancer medicine, anti-tubercle medicine, alcoholism, trauma, radiculopathy. Nicolet Viking II was use for detected conduction velocity and amplitude of digital nerves in median nerve. Data analysis was performed using SPSS. Descriptive analysis was used for obtain mean and standard deviation, ANOVA was used to compare each fingers and independent t-test was used to compare between Rt and Lt side also compare between different in genders. Conduction velocity of the right thumb was 49.77m/sec, index finger was 56.80m/sec, middle finger was 56.15m/sec and ring finger was 53.38m/sec. The left thumb was 50.48m/sec, index finger was 56.76m/sec, middle finger was 55.99m/sec and ring finger was 53.23m/sec. Amplitude of the right thumb was $64.30{\mu}V$, index finger was $73.95{\mu}V$, middle finger was $77.97{\mu}V$ and ring finger was $43.92{\mu}V$. The left thumb was $74.21{\mu}V$, index finger was $85.72{\mu}V$, middle finger was $88.06{\mu}V$ and ring finger was $47.28{\mu}V$. There were significantly difference between thumb, index, middle and ring fingers(p<.01) but there were no statistically difference between conduction velocity and amplitude of index and middle fingers(p>.01). The conduction velocity of index finger are faster than other fingers and amplitude of middle finger are greater than other fingers. The present results revealed that electodiagnosis can easily perform in index and middle finger for digital nerve of median nerve study.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제15권3호
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• pp.225-235
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• 2013

TBM의 암반 굴착도구인 디스크커터의 작용력은 TBM의 설계와 굴진성능 평가를 위해 핵심적인 항목이다. 본 연구에서는 디스크커터 링의 형상에 따른 디스크커터 작용력의 차이를 실물 선형절삭실험에 의해 실험적으로 분석하였다. 또한 절삭실험 중에 발생하는 커터 링의 변형률을 계측하여 커터 링의 강성을 추정하였다. 분석결과, V형상의 디스크커터를 사용하게 되면 동일한 절삭조건에서 커터 관입깊이를 증가시킬 수는 있지만, 커터의 회전방향으로 큰 응력이 작용하는 것으로 나타났다. 또한 커터 작용력을 예측모델에 의해 추정할 경우에는, 디스크커터의 형상과 관련된 변수들을 고려할 수 있는 모델을 사용하는 것이 타당함을 알 수 있었다.

• 대한수학회보
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• 제50권5호
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• pp.1711-1723
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• 2013

P. V$\acute{a}$mos called a ring R 2-good if every element is the sum of two units. The ring of all $n{\times}n$ matrices over an elementary divisor ring is 2-good. A (right) self-injective von Neumann regular ring is 2-good provided it has no 2-torsion. Some of the earlier results known to us about 2-good rings (although nobody so called at those times) were due to Ehrlich, Henriksen, Fisher, Snider, Rapharl and Badawi. We continue in this paper the study of 2-good rings by several authors. We give some examples of 2-good rings and their related properties. In particular, it is shown that if R is an exchange ring with Artinian primitive factors and 2 is a unit in R, then R is 2-good. We also investigate various kinds of extensions of 2-good rings, including the polynomial extension, Nagata extension and Dorroh extension.