본 논문은 SUS MASK을 FeCl3에 첨가제 (F300)를 첨가하여 에칭하는 것이 목적이다. 실험에 사용된 장비는 자체 제작된 자동 액 관리 시스템이다. 자동 액 관리 시스템은 비중(S.G)과 산화환원전위 (ORP)를 실시간으로 제어하고 FeCl3 및 첨가제를 정량 공급할 수 있는 장치이다. SUS MASK를 10장 단위로 200장까지 1분 동안 에칭하였다. 초기 SUS MASK가 10장 일 때 ORP 값이 628 mV로 시작하여 40장 투입할 때부터 611 mV로 측정되어 200장까지 610 mV에 가깝게 유지되는 것을 확인하였다. 또한 비중은 1.640 근처에서 유지되었다. 그리고 SUS MASK가 50장 이후부터 200장까지 0.4 mm에 근접하게 측정되었다. 실험은 ORP는 610 mV, 비중은 1.463, 에칭 압력은 3.0 kg/cm2, 첨가제 (F300) 비율은 1.2%로 하였고 한번 에칭할 때 10장씩 200장까지 하여 홀 크기를 측정하였다. 그 결과, 20장부터 직경이 0.4 mm에 근접하였다. SUS MASK 매수가 늘어나도 ORP 및 비중 조절이 잘 되었고 실험 목표치인 0.4 mm에 근접된 것을 확인하였다.
Extreme ultraviolet (EUV) lithography using 13.5 nm wavelengths is expected to be adopted as a mass production technology for 32 nm half pitch and below. One of the new issues introduced by EUV lithography is the shadowing effect. Mask shadowing is a unique phenomenon caused by using mirror-based mask with an oblique incident angle of light. This results in a horizontal-vertical (H-V) biasing effect and ellipticity in the contact hole pattern. To minimize the shadowing effect, a refilled mask is an available option. The concept of refilled mask structure can be implemented by partial etching into the multilayer and then refilling the trench with an absorber material. The simulations were carried out to confirm the possibility of application of refilled mask in 32 nm line-and-space pattern under the condition of preproduction tool. The effect of sidewall angle in refilled mask is evaluated on image contrast and critical dimension (CD) on the wafer. We also simulated the effect of refilled absorber thickness on aerial image, H-V CD bias, and overlapping process window. Finally, we concluded that the refilled absorber thickness for minimizing shadowing effect should be thinner than etched depth.
인공지능, 빅데이터, 자율주행 등 4차 산업혁명시대를 이끄는 핵심기술은 컴퓨팅 파워의 급속한 발전과 사물인터넷에 기반한 초연결 네트워크를 통해 구현되고 서비스된다. 본 논문에서는 자율주행을 위한 기본적인 기능으로 다양한 환경에서도 정확하게 주행가능한 영역을 인식하여 추출하는 인공지능 딥러닝 모델들을 구현하고, 그 결과를 비교, 분석한다. 주행가능한 영역을 추출하는 딥러닝 모델은 영상 분할 분야에서 성능이 우수하고 자율주행 연구에서 많이 사용하는 Deep Lab V3+와 Mask R-CNN을 활용하였다. 다양한 환경에서의 주행 정보를 위해 여러 가지 날씨 조건과 주 야간 환경에서의 주행 영상 및 이미지를 제공하는 BDD 데이터셋을 학습데이터로 사용하였다. 활용한 모델들의 실험 결과, DeepLab V3+는 48.97%의 IoU를 보였으며, Mask R-CNN은 68.33%의 IoU로 더 우수한 성능을 보였다. 또한, 구현한 모델로 추출된 주행가능 영역을 이미지에 표시하여 육안으로 검사한 결과, Mask R-CNN은 83%, Deep Lab V3+는 69% 정확도로 Mask R-CNN이 Deep Lab V3+ 보다 주행가능한 영역을 추출하는 분야에서는 더 성능이 높은 것으로 확인하였다.
광 패키징에서 광섬유와 광전자소자를 정확히 정렬하기 위한 V-groove의 치수 정밀도에 미치는 마스크 재료와 에칭용액의 영향을 연구하였다. PECVD nitride, LPCVD nitride, thermal oxide($SiO_2$)를 마스크재료로 사용하였고 실리콘을 이방성에칭하는 용액으로 KOH(40wt%)용액과 KOH(40wt%)용액에 IPA를 첨가한 용액을 이용하였다. 마스크재료로는 LPCVD nitride가 가장 좋은 선택적에칭특성을 나타내었으며 사용된 마스크재료 중 thermal oxide가 가장 빠른 속도로 에칭되었다. V-groove의 크기 증가는 마스크충 아래로의 undercutting에 의해 생겼는데 이는 주로 (111)면으로의 에칭 때문이었다. KOH(40wt%)용액에서 (111)면의 에칭속도는 0.034 - 0.037 $\mu\textrm{m}$/min로 마스크재료에 관계없이 거의 일정하였다. IPA를 KOH(40wt%)용액에 첨가하면 (100)면과 (111)면의 에칭속도는 모두 감소하지만 (111)면에 대한 (100)면의 에칭속도비는 증가하였다. 그러므로 이런 용액에서 (111)면으로의 에칭에 의한 undercutting현상은 줄어들었으며 V-groove의 크기를 더 정확하게 조절할 수 있었다.
Ultraviolet radiation have much influenced with a deep wrinkles, roughness, laxity of skin damage and pigmentation through oxidative stress and oxidative photo-damage. This study investigates the functional properties of hydrogel facial mask sheets made from agar, Styela clava tunics and Broussonetia papyrifera tunics. The skin of S. clava is covered with a hard cellulose containing glycoprotein, glycosaminoglycan and chondroitin sulfate. B. papyrifera is better known as Paper mulberry. It contains kazinol which serves as a tyrosinase inhibitor and skin whitening agent. The tensile strength of facial mask sheet was measured by universal testing machine, and the water absorption and moisture permeability of facial mask sheet were measured by dryer. Additionally, the DPPH assay and MTT assay were conducted for anti-oxidative activity and cytotoxicity of facial mask sheet. The whitening effect of the facial mask sheet was measured by tyrosinase inhibitor assay. These tests showed that the three ingredients are suitable cosmetic materials. The results reveal that they produce a high quality hydrogel facial mask sheet when the membrane contains 1%(W/V) of agar, 0.1%(W/V) of B. papyrifera tunics and 0.05%(W/V) of S. clava tunics.
본 논문은 OLED에 사용되는 SUS MASK를 자동액관리 시스템을 사용하여 제작 하였다. SUS MASK의 홀 직경은 0.4 mm으로 설정하여 실험 하였다. 첨가제 F300이 홀 직경이 0.4 mm에 근접하고 오차범위는 평균 0.08로 측정되어 우수함을 알 수 있었다. 그리고 산화환원전위(ORP) 변화에 따른 CuCl2와 FeCl3의 무게 감소량을 측정결과, FeCl3이 ORP 변화에 상대적으로 민감도가 높은 것으로 나타났다. SUS Mask를 연속적으로 에칭하면서 ORP(610 mV)와 비중(1.463)이 자동으로 조절되는지를 실험를 하였다. 실험결과로서는 셋팅 값이 크게 변화되지 않아 자동액관리 시스템이 잘 조절이 잘 되는 것으로 나타났다. 그리고 홀 직경을 0.4 mm로 목표치로 설정한 후 실험 한 결과는 0.36부터 0.44까지 측정되었다. 따라서 SUS MASK 제조공정에서 에칭가공공정은 제작된 자동액관리 시스템을 적용시키면 보다 안정성 높은 정밀도로 향상 시킬 수 있을 것으로 기대된다.
PMOS집적기술을 이용하여 512-Bit mask programmable ROM을 설계하고 제작하였다. ROM의 내용은 제작공정에서 gate pattern으로 기억시켰으며 chip의 출력을 512(32×16)개의 점의 행렬로써 오실로스코프에 나타내어 확인하였다. 제작된 chip은 -6V와 - l2V의 범위에서 정상적으로 동작하였다 소모전력과 전달지연시간은 -6V에서 각각 3mW와 13μsec였다. -12V에서는 소모전력이 27mW로 증가하였으며 전달지연시간은 3μsec로 감소하였다. Chip의 출력은 TTL gate의 인력을 직접 구동시킬 수 있었으며 chip select에 의하여 출력을 disable 시켰을 때는 높은 임피던스 상태를 유지하였다.
The nonlinear vibration of the CRT shadow mask is analyzed in consideration of the V-shaped tension distribution and the effect of wire impact damping. The reduced order FEM model of the shadow mask is obtained from dynamic condensation for the mass and stiffness matrices. Damping wire is modeled using the lumped parameter method to effectively describe its contact interactions with the shadow mask. The nonlinear contact-impact model is composed of spring and damper elements, of which parameters are determined from the Hertzian contact theory and the restitution coefficient, respectively. The analysis model of the shadow mask with damping wires is experimentally verified through impact tests of shadow masks performed in a vacuum chamber. Using the validated analysis model of the shadow mask with damping wires, the‘design of experiments’technique is applied to search fur the optimal damping wire configuration so that the vibration attenuation of the shadow mask is maximized.
An optimum design methodology for the power MOSFET's with a predetermined mask is proposed and verified by comparing with the results of MEDICI simulation and the data of commercially available devices. Optimization is completed by determining a doping concentration and a thickness of the epitaxial layer which satisfy a specific voltage and current rating requirements as well as a minimum on-resistance for the mask set. The commercial HEX-1 mask set with a die area of $40.4{\times}10^{-3}\;cm^2$ and a T0-220 package has the on-resistance of $1.5{\Omega}$ at 200 V/2.5 A rating while the M-1 mask from this study exhibits $0.6{\Omega}$ on-resistance at 200 V/6 A. The 60 % reduction in the on-resistance and 58 % enhancement in the current rating have been obtained by the proposed method.
Communications for Statistical Applications and Methods
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제12권3호
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pp.625-634
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2005
A procedure is proposed to identify multiple outliers in the logistic regression. It detects the leverage points by means of hierarchical clustering of the robust distances based on the minimum covariance determinant estimator, and then it employs a V-mask type criterion on the scatter plot of robust residuals against robust distances to classify the observations into vertical outliers, bad leverage points, good leverage points, and regular points. Effectiveness of the proposed procedure is evaluated on the basis of the classic and artificial data sets, and it is shown that the procedure deals very well with the masking and swamping effects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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