• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.356-362
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• 2004

Using multi wrapped copper by polyimide film for HTS transformer, the breakdown and V-t characteristics of two type models for turn-to-turn, one is point contact model, the other is surface contact model, were investigated under ac and impulse voltage at 77 K. A material that is Polyimide film (Kapton) 0.025 mm thickness is used for multi wrapping of the electrode. Statistical analysis of the results using Weibull distribution to examine the wrapping number effects on V-t characteristics under at voltage as well as breakdown voltage under ac and impulse voltage in $LN_2$ was carried. Also, survival analysis was performed according to the Kaplan-Meier method. The breakdown voltages for surface contact model are lower than that of the point contact model, because the contact area of surface contact model is wider than that of point contact model. At the same time, the shape parameter of the point contact model is a little bit larger than the of the surface contact model. The time to breakdown tn is decreased as the applied voltage is increased, and the lifetime indices slightly are increased as the number of layers is increased. According to the increasing applied voltage and decreasing wrapping number, the survival probability is increased.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제40권4호
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• pp.192-197
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• 2013

환경위해성평가 연구 대상인 형질전환 이벤트로서의 자격을 확인하고자 형질전환세대($T_0V_0$)에서와 같이 영양번식 제1세대($T_0V_1$)에서도 도입유전자 LeLs-antisense의 발현 특성인 무측지성을 유지한 국화 무측지성 형질전환계통 LeLs80의 영양번식 제2세대($T_0V_2$)의 형태적 및 분자 생물학적 특성을 조사하였다. LeLs80 계통의 $T_0V_2$에서도 LeLs-antisense 유전자의 발현 특성인 무측지성이 안정적으로 유지되는 것을 확인하였다. 또한, Southern 및 Northern 분석에 의해 LeLs-antisense 유전자가 3 copy 도입되었으며, LeLs-antisense 유전자의 전사체가 정상적으로 발현되는 것도 확인할 수 있었다. 또한 flanking T-DNA sequencing method를 이용하여 LeLs-antisense 유전자의 주변 염기서열 분석 통해 LeLs80 계통의 genome내 LeLs-antisense 유전자 주변에 186 ~ 464 bp의 pCAMBIA2300 T-DNA right border 부근으로 추정되는 염기서열이 확인되었고, pCAMBIA2300 전 염기서열과의 비교 분석한 결과, pCAMBIA2300 T-DNA left border와 right border내 선발마커 유전자 NPT II의 발현 promoter 부분과 LeLs-antisense 유전자 발현 terminator 일부 염기서열과 일치하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1965-1967
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• 1999

We have investigated the electrical characteristics of the poly-Si TFT's with the novel gate insulator structure. The gate insulator makes the offset region to reduce leakage current, and the electrical characteristics are obtained by employing Virtual Wafer Fab. simulator. As increases the gate insulator thickness above the offset region of this structure from $0{\AA}$ to $2000{\AA}$, the OFF state current at $V_G$=10V decrease by two orders in magnitude while ON state current doesn't decrease significantly. ON/OFF current ratios for conventional device and the proposed device with $2000{\AA}$ gate insulator thickness are $1.68{\times}10^5$ and $1.07{\times}10^7$, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.793-798
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• 2016

본 연구에서는 1T-DRAM 응용을 위해 Bipolar Junction Transistor 모드 (BJT mode)에서 비대칭 소스/드레인 수직형 나노와이어 소자의 순방향 및 역방향 메모리 윈도우 특성을 분석하였다. 사용된 소자는 드레인 농도가 소스 농도보다 높으며 소스 면적이 드레인 면적보다 큰 사다리꼴의 수직형 gate-all-around (GAA) MOSFET 이다. BJT모드의 순방향 및 역방향 이력곡선 특성으로부터 순방향의 메모리 윈도우는 1.08V이고 역방향의 메모리 윈도우는 0.16V이었다. 또 래치-업 포인트는 순방향이 역방향보다 0.34V 큰 것을 알 수 있었다. 측정 결과를 검증하기 위해 소자 시뮬레이션을 수행하였으며 시뮬레이션 결과는 측정 결과와 일치하는 것을 알 수 있었다. 1T-DRAM에서 BJT 모드를 이용하여 쓰기 동작을 할 때는 드레인 농도가 높은 것이 바람직함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.168-171
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• 2002

A SSIMT(Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor) sensor with high linearity is presented in this thesis. The prototype is fabricated by using the Hynix 0.6$\mu\textrm{m}$ P-substrate twin-well double poly three-metal CMOS Process. The fabricated SSIMT shows that variation of the collector current is extremely linear by varing the magnetic induction from -200mT to 200mT at I$\_$B/=500${\mu}$A, V$\_$CE/=2V and V$\_$SUB/=5V. The relative sensitivity is up to 120%/T. At B = 0, magnetic offset is about 79mT, there relative sensitivity is 30.5%/T. The nonlinearity of the fabricated SSIMT is measured about 1.4%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.349-352
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• 1996

When the ideality factor of collector current of AIGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) is larger than unity, conventional $I_{CO}$ / $T^2$ versus 1000/T plot used in the determination of the barrier height of base-emitter junction of HBT was deviated from the straight line. We introduced the effective temperature $T_{eff}$ as nT in the Thermionic-emission equation. The modified $I_{CO}$ /TB versus 1000/ $T_{eff}$ plot was on the straight line in the temperature range considered. The activation energy obtained from the modified plot is 1.61 eV. The conduction band discontinuity calculated using this value was 0.305 eV and this value is coincident with the generally accepted value of 0.3 eV. eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.443-446
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• 2003

A 2-Dimensional SSIMT(Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor) sensor with high linearity is presented in this paper. The prototype is fabricated by using the Hynix $0.6{\mu}m$ CMOS Process. The fabricated SSIMT shows that the variation of each collectors current are extremely linear by varing the magnetic induction from -200mT to 200mT at $I_B\;:\;1000{\mu}A,\;V_{CE}\;=\;5V\;and\;V_{SUB}\;=\;5V$. The relative sensitivity is up to 13%/T. At B = 0, magnetic offset is about 40mT, there relative sensitivity is 4.72%/T. The nonlinearity of the fabricated 2-D SSIMT is measured about 1.2%.

• 전기학회논문지P
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• 제57권3호
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• pp.275-278
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• 2008

It has been issued that the necessity of Live line work for 765kV vertical double circuit six bundle conductors transmission line when the characteristics of transmission line, the composition of T/L and near the T/L circumstances etc. Others are considered. The Barehand method of UHV T/L is extremely dangerous work and especially it is directly related with lineman life so it is very dangerous. It should be performed several technology developments for live-line work on the UHV T/L, that should be considered such as the electrical influence on workers near the T/L, development of live-line facilities, guarantee of safety, the technical rules of live-line work, the safe method of live-line work and etc. In order to maintain the 765kV transmission lines safely by barehand work, first of all, we should know the analysis of electrical safety level test in live-line work at 765kV vertical double circuit six bundle conductors on the suspension string tower type.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제7권1호
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• pp.1-6
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• 2006

Hot carrier degradation and roll off characteristics of threshold voltage ($V_{t1}$) on NMOSFETs as I/O transistor are studied as a function of Lightly Doped Drain (LDD) structures. Pocket dose and the combination of Phosphorus (P) and Arsenic (As) dose are applied to control $V_{t1}$ roll off down to the $10\%$ gate length margin. It was seen that the relationship between $V_{t1}$ roll off characteristic and substrate current depends on P dopant dose. For the first time, we found that the n-p-n transistor triggering voltage ($V_{t1}$) depends on drain current, and both $I_{t2}$ and snapback holding voltage ($V_{sp}$) depend on the substrate current by characterization with a transmission line pulse generator. Also it was found that the improved lifetime for hot carrier stress could be obtained by controlling the P dose as loosing the $V_{t1}$ roll off margin. This study suggests that the trade-off characteristic between gate length margin and channel hot carrier (CHC) lifetime in NMOSFETs should be determined by considering Electrostatic Discharge (ESD) characteristic.

• 한국지진공학회논문집
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• 제10권2호
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• pp.51-62
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• 2006

동반논문 (I)에서는 국내 지반특성에 적합하도록 국내 내진설계기준이 개선되어야 한다는 결론을 얻었다. 본 논문에서는 우수한 지반분류 방법을 찾기 위하여 상부 토층 30m의 평균 전단파속도$(V_{S30})$, 지반의 고유주기$(T_G)$ 및 기반암 깊이를 이용한 지반분류 방법에 대하여 심도있게 검토하였다. 증폭계수$(F_a,\;F_v)$의 표준편차, 해석결과의 평균 스펙트럼 가속도와 재산정된 응답스펙트럼을 비교한 결과 각각의 방법에서 큰 차이가 발생하지 않아 특정한 방법이 우수하다고 판단하기 힘들었다. 그러나, $T_G$를 이용한 방법에서 RRS 값의 증폭구간이 좁은 구간에 집중되는 경향을 보여 지진시 유사한 거동특성을 나타내는 지반을 같은 지반그룹으로 분류할 수 있는 장점이 있었다. 또한, 증폭계수와 $T_G$의 상관관계를 나타내는 추세선의 경우, $V_{S30}$ 방법 보다 입력 가속도의 증가에 따른 지반의 비선형성 효과를 더욱 명확하게 나타낼 수 있었다. 마지막으로, $V_{S30}$을 이용하여 지반을 분류할 경우 기반암이 30m 보다 얕은 곳에 존재하는 경우에도 무조건 심도 30m까지 기반암의 전단파속도를 가정하여 계산해야 하나, $T_G$를 이용할 경우 이러한 불확실성을 제거할 수 있어 우수한 방법으로 판단된다. 본 논문에서는 지반의 고유주기를 이용한 방법을 기반암 깊이가 얕은 국내지반특성에 적합한 지반분류 방법으로 제안하였다.