Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권4호
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pp.169-172
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2008
We attempted to fabricate carbon nanotube field effect transistor (CNT-FET) using single walled carbon nanotube(SWNT) on the heavily doped Si substrate used as a bottom gate, source and drain electrode were fabricated bye-beam lithography on the 500 nm thick $SiO_2$ gate dielectric layer. We investigated electrical and physical properties of this CNT-FET using Scanning Probe Microscope(SPM) and conventional method based on tungsten probe tip technique. The gate length of CNT-FET was 600 nm and the diameter of identified SWNT was about 4 nm. We could observed gating effect and typical p-MOS property from the obtained $V_G-I_{DS}$ curve. The threshold voltage of CNT-FET is about -4.6V and transconductance is 47 nS. In the physical aspect, we could identified SWNT with phase mode of SPM which detecting phase shift by force gradient between cantilever tip and sample surface.
본 연구에서는 N -채널 실리콘 게이트 제작기술에 의하여 일련의 크기를 가지는 커페시터와 트렌지스터들이 제작되었다. 그 결과 다양한 이온 주입 조걸, 즉 B 의 경우 에너지 30keV∼60keV와 도오스 3 × 10 ~ 5 × 10 개/㎠ 그리고 P 의 경우 에너지 1001keV∼ 175keV와 4 ×10 ~ 7×11개/㎠ 도오스 영역에서 이들에 대한 D.C. 인자들의 측정치들이 이론적인 계산치들과 비상, 분석되어 있다. 이 D.C. 인자들에는 threshold전압, 공핍층의 폭, 게이트 산화물 두께, 표면상태, 가동 하전입자 밀도, 전자의 이동도 그리고 마지막으로 누설전류가 있는데, 이중 실제 MOS의 제작에 있어서 특허 중요한 threshold전압에 있어서는, 커어브트레이서와 C - V plot을 통하여 측정된 값들이 실제 재산에서 이용된 SUPREM II 컴퓨우터 프로그램에 의한 결과와 훌륭히 접근하고 있다. 그 밖에 여기나온 D.C.인자들 중에서 도오핑 수준은 기판의 역 게이트 바이어스에서 threshold전압들로 부터 계산된 것이고, 역전도는 정의된 subthreshold 기울기로 부터 추산된 것임을 밝혀 둔다. 마지막으로 이와같은 D. C. 시험 결과들을 종합적으로 평가해 볼 때 만들어진 커페시터와 트렌지스터들이 N -채널 MOS I. C. 기억소자용으로 적합함을 보여주고 있다.
Samec et al.(1997)의 UBV 광도곡선과 Lu & Rucinski(1999)의 시선속도곡선을 2003년에 개정한 Wilson-Devinney 쌍성모델을 적용하여 W형 과접촉쌍성 V417 Aql의 측광 및 분광학적 해를 새롭게 산출하였다. 광도곡선 분석에서 Qian(2003)이 제안한 제3천체의 광도를 광도곡선 분석에서 고려한 결과, 삼체의 광도가 U, B, V 필터에서 각각 2.7%, 2.2%, 0.4% 존재하고, 삼체의 광도를 고려한 경우가 그렇지 않은 경우보다 이론치와 관측치가 극심 부근에서 더 잘 일치하였다. 우리의 해로부터 V417 Aql의 절대 물리량을 $M_1$= 0.53 $M_{ }$, $M_2$= 1.45 $M_{*}$, $R_1$= 0.84 $R_{*}$, 그리고 $R_2$= 1.31 $M_{*}$으로, 거리를 216pc으로 산출하였다. 우리가 구한 거리는 Rucinski & Duerbeck(1997)의 관계식 $M_{v}$ = $M_{v}$(log P, B-V)으로부터 계산한 거리(204pc)와 잘 일치하는 반면, Hipparcos 삼각시차에 의한 거리(131$\pm$40pc)보다 멀다. 그 차이는 Hipparcos 시차의 비교적 큰 오차 때문에 생긴 것일 수 있다. 수 있다.
Dye sensitized solar cells(DSCs) have been very economical and easy method to convert solar energy to electricity. DSC can reach low costs in future outdoor power applications. However, to commercialize the DSC, there are still many shortages to overcome such a low efficiency in a large size DSC. In this study, DSCs were fabricated by an electrospray coating method for the $TiO_2$ thin film. They were compared with DSCs prepared by conventional coating methods. We conducted an experiment to obtain the optimized parameters of voltage, flow rate, incident angle and distance in the electrospray method. After we fabricated $TiO_2$ film using that way, we investigated the characteristics of DSC through I-V Curve, SEM and EIS. This novel method shows stable performance with an energy conversion efficiency of 3.44 % under 1 sun illumination (AM 1, $P_{in}$ of $100\;mW/cm^2$).
An all-perovskite oxide heterostructure composed of SrSnO3/Nb-doped SrTiO3 was fabricated using the pulsed laser deposition method. In-plane and out-of-plane structural characterization of the fabricated films were analyzed by x-ray diffraction with θ-2θ scans and φ scans. X-ray photoelectron spectroscopy measurement was performed to check the film's composition. The electrical transport characteristic of the heterostructure was determined by applying a pulsed dc bias across the interface. Unusual transport properties of the interface between the SrSnO3 and Nb-doped SrTiO3 were investigated at temperatures from 100 to 300 K. A diodelike rectifying behavior was observed in the temperature-dependent current-voltage (IV) measurements. The forward current showed the typical IV characteristics of p-n junctions or Schottky diodes, and were perfectly fitted using the thermionic emission model. Two regions with different transport mechanism were detected, and the boundary curve was expressed by ln I = -1.28V - 13. Under reverse bias, however, the temperature- dependent IV curves revealed an unusual increase in the reverse-bias current with decreasing temperature, indicating tunneling effects at the interface. The Poole-Frenkel emission was used to explain this electrical transport mechanism under the reverse voltages.
장기간의 수분 및 양료 stress를 받는 다섯 가지 주요 수종의 생리적인 대사 반응을 알아보기 위하여 상이한 토양수분 및 양료 조건의 pot에서 기른 실생묘의 시기적인 생육, 엽록소 함량 및 수분특성의 변화를 조사하였다. 이를 위해 상수리나무, 굴참나무, 신갈나무, 졸참나무 및 물푸레나무 실생묘를 내경 16cm, 깊이 16cm의 프라스틱 용기에 번식시켰다. 이들 묘목은 5월~9월까지 비닐 온실 내에서 건, 습 두가지 토양수분 조건 및 N+P+K 시비, 무시비의 두가지 시비 조건으로 조합 처리하였다. 환경 stress에 대한 반응을 분석하기 위해 5월, 7월, 9월에 묘고, 근원경, 엽록소 함량, P-V curve 모수들을 반복하여 측정했다. 수분 및 양료 부족에 따른 환경 stress는 묘목의 생육에 있어 수종, 생육시기 및 묘고와 근원경 간에 각기 다른 영향을 미쳤다. 상수리나무의 생육은 stress에 보다 예민하게 반응하여 감퇴되었지만 신갈나무는 나머지 수종에 비해 stress에 의한 생육부진 영향이 적었다. 엽록소의 함량은 생육기간 중 일반적으로 물푸레나무에 비해 참나무류에서 더 높은 값을 보였다. 엽록소 중 chlorophyll a의 함량은 0.14~1.96mg/g dry wt., chlorophyll b는 0.16~1.79mg/g dry wt. 내에서 생육기간 중 수종 및 처리 별로 변화했다. 그러나 엽록소 함량은 지속적인 환경 stress와 잎의 노화에 따라 점차 감소되었다. 최대포수상태와 위조점에서의 osmotic potential(${\Psi}{{\pi}o}$, (${\Psi}{{\pi}p}$)은 일부 예외는 있지만 각각 5월의 -7.0~-12.4bars에서 9월의 -10.2~-17.5bars로 3~5bars까지, 또한 5월의 -7.6~-14.2bars에서 9월의 -12.9~-20.4bars로 5~6bars까지 시간이 지나면서 감소했다. ${\Psi}{{\pi}p}$의 값은 일반적으로 5월 및 7월에 물푸레나무에서 높았으나 9월에는 졸참나무에서 높은 값을 보였다. 위조점에서의 상대수분함량 (RWCp)은 일반적으로 물푸레나무에서 높았지만 그 값의 시기적인 변화는 수종이나 처리 조건에 따라 상당한 차이를 보였다.
The pharmacokinetic of paclitaxel (1 mg/kg, i.v.) was investigated in rabbits with carbon tetrachloride-induced hepatic failure. The area under the plasma concentration-time curve (AUC) of paclitaxel was significantly (p<0.01) increased in severe carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($1364.54{\pm}382.07$ ng/ml$\cdot$hr) compared to that of normal rabbits ($567.52{\pm}141.88$ ng/ml$\cdot$hr), but not significantly in moderate carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($803.1{\pm}208.81$ ng/ml$\cdot$hr). The volume of distribution (Vd) (6.25$\pm$1.56 L) and the elimination rate constant($\beta$) ($0.09{\pm}0.025{\;}hr^{-1}$) of paclitaxel in severe carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits were significantly (p<0.05) decreased compared to those of normal rabbits ($11.65<{\pm}2.91$L, $0.12{\pm}0.030{\;}hr^{-1}$), but not significantly in moderate carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($9.46{\pm}2.37$ L, $0.10{\pm}0.026{\;}hr^{-1}$). Total body clearance ($CL_t$) of paclitaxel in severe carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($0.733{\pm}0.183$ L/hr/kg) was significantly (p<0.01) decreased compared to that of normal rabbits ($1.762{\pm}0.440$ L/hr/kg), but not significantly in moderate carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($1.245{\pm}0.311$ L/hr/kg). The half-life(t1/2) of paclitaxel in severe carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($7.71{\pm}2.16$ hr) was significantly (p<0.05) increased compared to that of normal rabbits ($5.75{\pm}1.44$hr), but not significantly in moderate carbon tetrachloride-induced hepatic failure rabbits ($6.77{\pm}1.76$hr). This results could be due to inhibition of paclitaxel metabolism in liver disorder rabbits since paclitaxel is essentially metabolized in liver. The findings suggest that the dosage regimen of paclitaxel should be adjusted when the drug would be administered in patients with liver disorder in a clinical situation.
Pharmacokinetic and pharmacodynamic properties of gliclazide were studied after an oral administration of gliclazide tablets in healthy volunteers. After an overnight fasting, gliclazide tablet was orally administered to 11 volunteers; Additional 10 volunteers were used as a control group (i.e., no gliclazide administration). Blood samples were collected, and the concentration determined for gliclazide and glucose up to 24 after the administration. Standard pharmacokinetic analysis was carried out for gliclazide. Pharmacodynamic activity of the drug was expressed by increase of glucose concentration ($\Delta$PG), by area under the increase of glucose concentration-time curve ($AUC_{$\Delta$PG}$) or by the difference in increase of glucose concentration ($D_{$\Delta$PG}$) at each time between groups with and without gliclazide administration. Pharmacokinetic analysis revealed that $C_{max}, T_{max}$, CL/F (apparent clearance), V/F (apparent volume of distribution) and half-life of gliclazide were $4.69\pm1.38 mg/L, 3.45\pm1.11 h, 1.26\pm0.35 L/h, 17.78\pm5.27 L, and 9.99\pm2.15 h$, respectively. When compared with the no drug administration group, gliclazide decreased significantly the $AUC_{$\Delta$PG}$ s at 1, 1.5, 2, 2.5, 3 and 4 h (p<0.05). The $\Delta$PGs were positively correlated with $AUC_{gliclazide}$ at 1 and 1.5 h (p<0.05), and the correlation coefficient was maximum at 1 h (r = 0.642) and gradually decreased at 4 h after the administration. The $AUC_{$\Delta$PG}$s were positively correlated with $AUC_{gliclazide}$ at 1, 2, 3 and 4 h (p<0.05), and the maximum correlation coefficient was obtained at 2 h (r=0.642) after the administration. The $D_{$\Delta$PG}$ reached the maximum at 1 h, remained constant from 1 h to 3 h, and decreased afterwards. Therefore, these observations indicated that maximum hypoglycemic effect of gliclazide was reached at approximately at 1.5 h after the administration and the effect decreased, probably because of the homeostasis mechanism, in health volunteers.
본 연구에서는 $Fe_3O_4$ (magnetite)의 함량 변화와 온도 변화가 NBR/$Fe_3O_4$ 혼합물의 전기걱도도 ($\sigma$)에 미치는 영향을 조사하였다. 최소 최적 혼합비 (percolation threshold, $P_c$) 개념이 본 연구에서 제조한 전도성 입자가 충전된 복합체에 적용되며, 혼합물내 $Fe_3O_4$의 농도가 22%를 초과할 때 $\sigma$가 급격히 증가함을 확인하였다. $\sigma$의 온도 의존성은 $P_c$ 또는 그 이하에서 열적으로 활성화되며, 마그네이트가 NBR 고무의 강화 및 전도성 충전제로서의 역할을 할 수 있음을 조사하였으며, 충전제 함량이 30 phr인 복합체는 실온에서 고전압을 걸어줄 경우 전류는 전압제곱에 비례한 것으로 나타났다. 또한, 50 pk의 마그네이트가 충전된 복합체가 최적의 물리적 가교점으로 인하여 가장 우수한 인장강도와 파단시 신장율을 보였으며 모듈러스가 마그네이트의 강화효과 및 혼합물의 토오크 곡선으로부터 얻은 점도와 관련이 있음을 확인하였다.
본 연구에서는 고분해능 X선 회절법을 이용해 Ni/Ag 반사막 p형 오믹 전극의 Ag 집괴에 따른 전극의 구조 분석을 수행하였다. 대기 분위기에서 오믹 전극을 고온 열처리할 경우, 열처리 시간이 증가할수록 Ag의 집괴가 진행되어 24시간 열처리 후, 전류-전압 곡선은 쇼트키 특성을 나타내었고, 또한 460 nm 파장에서 21%의 낮은 반사도를 나타내었다. X선 회절 결과로부터 Ag의 집괴가 진행될수록, Ag 박막의 내부 변형율을 감소되는 방향으로 Ag 원자의 확산이 진행되어, Ag (111) 결정면의 면간 거리가 bulk Ag와 거의 동일하게 나타났다. 이러한 반사막 오믹 전극의 구조 분석은 고출력 고효율 수직형 LED에 적합한 열적 안정성이 우수한 오믹 전극의 개발에 매우 중요함을 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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