• 대한전기학회논문지
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• 제36권10호
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• pp.713-718
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• 1987

A new method for the modeling of non-ideal dc-dc converters whose switching times are finite is proposed. The effects of finite turn-on, turn-off times, delay time, storage time, reverse recovery process on the system stability, dc transfer function and efficiency are investigated. It is verified how system poles are changed and how dc transfer function and efficiency are decreased by non-ideal switching.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 1998년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.265-268
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• 1998

This paper presents a soft-switching average current control PWM high power factor boost converter. Conventional boost ZVT-PWM converter has a disadvantage of hard-switching for auxiliary switch at turn-off. A soft switched auxiliary switch is proposed to achieve a high performance ZVT-PWM boost rectifier. The simulation and experimental results show that soft switching operation can be maintained for wide line and load range, which in turn improves the converter performance in terms of efficiency, switching noise and circuit reliability.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 1998년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.460-465
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• 1998

Due to high power ratings and low conduction loss, the IGBT has become more attractive in switching power supplies. However, its turn-on and turn-off characteristics cause severe switching loss and switching frequency limitation. This paper proposes 2.4kW, 48V, high efficiency half-bridge DC-DC converter using paralleled IGBT-MOSFET switch concept, where each of IGBT and MOSFET plays its part during on-periods and switching instants. The switching loss is analyzed by using the linearized model and the opteration of the converter are investigated by simulation results.

• 한국안전학회지
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• 제8권4호
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• pp.95-100
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• 1993

In power transistor switching circuit have shunt snubber(dv/dt limiting capacitor) and series snubber (di/dt limiting inductor). The shunt snubber is used to reduce the turn-off switching loss and the series snubber is used to reduce the turn-on switching loss. Design procedures are derived for selecting the capacitance, inductor and resistance to limit the peak voltage and current values. The action of snubber is analyzed and applied to the design for safety PWM inverter.

• KIEE International Transaction on Electrical Machinery and Energy Conversion Systems
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• 제2B권4호
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• pp.207-213
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• 2002

The paper introduces a switched reluctance motor drive system based on an 80C31 and an Intel 80C 196KB single-chip microprocessor control. Advance schemes are used in turn-on and turn-off angles with the power converter's main switches during traction and regenerative braking. The principles of traction speed control and braking torque control are given. The hardware and software patterns in the 80c31 and the Intel 80C196KB single-chip microprocessor control system are also presented.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.21-22
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• 2015

플라이백 컨버터에서 발생하는 EMI 공통모드 잡음은, 스위치 turn-off에서 1차 측 누설 인덕턴스로 인한 기생 진동과 turn-on에서 발생하는 2차 측 출력회로의 기생 진동으로 구성된다. 차동모드 잡음은 직류전원의 스위칭 전류로 인한 전압 강하 성분으로 나타나며 직류전원 임피이던스에 비례하여 증가한다. 1차 측 기생진동은 느린 속도의 일반 다이오드와 직렬저항 삽입으로, 2차 측기생진동은 정류 다이오드의 RC 스너버로 감소 시킨다. 누설 인덕턴스가 큰 UU코어 EMI 필터가 잡음 감소에 유효함을 보인다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1482-1483
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• 2007

SI-Thyristor는 스위칭 특성상, turn on시에는 전압구동 특성을 지니며, turn off시에는 전류구동 특성과 전압구동 특성을 지니고 있기 때문에, 그 두가지 특성을 명확히 하여 스위칭 특성을 구분 짓는 것이 어렵다. 본 논문은 SI-Thristor-정전유도용량 사이리스터-의 펄스파워 어플리케이션으로 고안된 게이트 드라이버를 이용하여 직렬연결 특성을 측정했으며, 펄스파워 어플리케이션으로서의 SI-Thrysitor의 스위칭 특성과 그에 적합한 게이트 드라이버의 개선점과 특성에 대하여 기술되어 있다.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.49-56
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• 2007

빔의 열적효과는 세포조직의 서로 다른 구성성분과 레이저 빔의 서로 다른 파장에서 다른결과를 나타내며 세포조직에서 온도증가는 먼저 응고가 이루어지고, 절단이나 탄화과정이 일어나며 $300^{\circ}$이상에서는 세포조직의 파괴에 의한 증발이 발생하게 된다. $CO_2$ 레이저는 최소한 조직손상으로 이러한 효과를 얻는데 최적이라고 보며 0.1mm의 최소한의 세포조직 깊이에서 일어나는 효과의 근본적인 장점은 생체조직이나 내장기관에 안정적이다. $CO_2$레이저사용에 있어서 단점은 무엇보다도 세포파괴에서 생성되는 입자들의 부품흡착 등으로 결과적으로 레이저의 출력감소가 일어나는데, 영 전압, 영 전류 스위칭 포워드 컨버터를 도입하여 기존의 하드 스위칭 포워드 컨버터에 있어서 Turn-off, on시 발생되는 스위칭 방식을, 적용함으로써 1차 측 스위칭 소자의 Turn-off, on시 영전압, 영전류 스위칭을 이루어 정밀도가 요구되는 산부인과용 $CO_2$ 연속 형 레이저의 고압출력 모듈에 따른 펄스 트랜스의 안정화에 필수적으로 기여하며, 레이저 출력과 안정화가 되도록 설계 및 제작한 결과, 기존제품보다 향상된 결과를 가져왔다. 추후 시스템적으로 보완을 하면 우수한 결과가 될 것으로 사려된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.110-117
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• 2008

본 연구는 전력용 스위칭 소자로 널리 활용되고 있는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)소자로서 NPT(Non Punch Through) IGBT 구조에 기반 한 새로운 구조의 IGBT를 제안하였다. 제안된 구조는 기존 IGBT 구조의 P-베이스 영역 우측 부분에 N+를 도입함으로 N-드리프트 영역의 정공분포를 N+영역으로 밀집시켜 턴-오프 시 정공의 흐름을 개선, 기존 구조보다 더 빠른 턴-오프 시간과 더 낮은 순방향 전압강하를 갖는 구조이다. 또한 P+를 게이트 우측 하단에 형성함으로써 순방향 전압 강하 특성을 개선시키기 위해 도입한 캐리어 축적 층인 N+에 의해 발생하는 낮은 래치-업 특성과 낮은 항복 전압 특성을 개선시킨 구조이다. 시뮬레이션 결과 제한된 구조의 턴-오프와 순방향 전압강하는 기존 구조대비 각각 0.3us, 0.5V 향상된 특성을 보였다.

• 전기학회논문지
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• 제58권12호
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• pp.2446-2452
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• 2009

A Ceramic Metal-halide lamp is achieved by adding multiple metals to a basic mercury discharge. Because the vapor pressure of most metals is very much lower than mercury itself, metal-halide salts of the desired metals, having higher vapor pressures, are used to introduce the material into the basic discharge. The metal compounds are usually polyatomic iodides, which vaporize and subsequently dissociate as they diffuse into the bulk plasma. Metals with multiple visible transitions are necessary to achieve high photometric efficiency and good color. Compounds of Sc, Dy, Ho, Tm, Ce, Pr, Yb and Nd are commonly used. The maximum visible efficacy of a Ceramic Metal Halide lamp, under the constant of a white light source, is predicted to be about 450lm/W. This is controlled principally by the chemical fill chosen for a particular lamp. Current these lamps achieve 130lm/W and these life time are the maximum 16,000[hr]. So factors of performance lower are necessary to improve lamp performance. In this paper, we analyzed factors of performance lower by accelerated deterioration test. The lamp was operated with short duration turn-on/turn-off procedure to enhance the effect due to electrode sputtering during lamp ignition. The tested lamp that was operated with a longer turn-on/off(20/20 minutes) showed blackening, changed distance between electrodes and lowered color rendering & color temperature by losses of Dy at 421.18nm, I at 511nm, T1 at 535nm and Na at 588nm compared with the new lamp.