To improve the photocatalyticactivity of $TiO_2$-coated coal fly ash, tungsten hydroxide was doped by impregnation method and was oxidized by heat treatment in temperature ranges of $WO^{\circ}C$ for 2 hrs. The changes of crystal structure and crystal size of $TiO_2$and $WO_3$on coal fly ash were investigated by X-ray diffraction analysis. The crystal structure of titanium dioxide showed only anatase type and $TiO_2$-$WO_3$ compounds appeared in the heat treatment temperature ranges of $500∼600^{\circ}C$. By adding $V_3$in $TiO_2$coated on fly ash, the growth of crystal size of anatase was restrained and the anatase phase was stabilized in temperature ranges of TEX>$500∼<800^{\circ}C$. And $WO_3$acted as a trap site of electrons excited from anatase by irradiating UV. The maximum removal efficiency of NO gas for $TiO_2$/$WO_3$-coated coal fly ash was 84% and appeared when the ammonium tungstate of $1.3${\times}$10^{-3}$ M was doped and then heated at $600^{\circ}C$ for 2 hrs.
광촉매반응에서 티타니아에 금속물질을 담지하면 광촉매표면이 변화되며 담지된 금속물질은 반응속도를 증가시킨다. 회분식 광반응기를 이용하여 $TiO_2$ 광촉매에 대한 금속물질 담지와 담지된 촉매의 소성조건 영향을 조사하였다. 광분해 효율을 증진시키기 위해 $TiO_2$ 촉매에 여러 종류의 금속물질을 담지하였다. 모든 실험에서의 수분함량은 3wt%, 반응기 온도는 $40^{\circ}C$이었다. $TiO_2$에 팔라듐을 담지한 경우가 가장 우수하였으며, Pt와 W을 첨가한 경우도 양호하였다. Pd/$TiO_2$ 촉매에 백금 또는 텅스텐을 부가적으로 담지하여도 제거효율에서의 증가는 없었다. 적절한 소성조건을 얻기위해 소성온도와 소성시간에 대하여 다양하게 실험을 수행하였으며, 실험결과 최적의 소성조건은 소성온도 $400^{\circ}C$, 소성시간 1시간이었다.
Halide-activated pack cementation was utilized to deposit B-doped silicide coating. The pack powders were consisted of $3Wt.c/oNH_4Cl$, 7Wt.c/oSi, $90Wt.c/oAl_2O_3+TiB_2$. B-doped silicide coating was consisted of two layers, an outer layer of $NbSi_2$ and an inner layer of $Nb_5Si_3$. Isothermal oxidation resistance of B-doped silicide coating was tested at $1250^{\circ}C$ in static air. B-doped silicide coating had excellent oxidation resistance, because continuous $SiO_2$ scale which serves as obstacle of oxygen diffusion was formed after oxidation.
The dielectric properties and microstructure of SrTiO3-based grain boundary layer (GBL) capacitor were investigated, and SrTiO3 GBL capacitor was made by penetrating the Frit (PbO-Bi2O3-B2O3 system). The Nb2O5-doped SrTiO3 ceramics were fired for 4-hours, at 145$0^{\circ}C$ in H2-N2 atomsphere to get semiconductive ceramics. The grain size of SrTiO3 sintered at reduction atmosphere had increased as the amount of Nb2O5 increases and then decreased as the amount of Nb2O5 exceeded 0.2 mole%. Insulating reagents which contained PbO-Bi2O3-B2O3 system frit and oxide mixture were printed on the each semiconductive ceramics and fired at varying temperature and for different holding time. The optimum dielectric properties could be obtained by second heat treatment at 110$0^{\circ}C$ for 1 hour, when frit paste was printed. A SrTiO3-based GBLC had the apparent permitivity of about 3.2$\times$104, the dielectric loss of 0.01~0.02 and the stable temperature coefficient of capacitance. The influence of frit paste on dielectric properties was similiar to that of oxide paste but the stability of temperature property of capacitance was improved.
Using the $(Ba_{0.5}Sr_{0.5}){TiO_3}$(BST) powders prepared by the Sol-Gel method, the EST thick films were fabricated on the ${Al_2}{O_3}$ substrates coated with Pt by the screen printing method. Compared with pure EST thick films, the structural and dielectric properties of the EST thick films doped with 1${\sim}$10 wt % MgO were investigated. It was observed that the Mg substitution into EST causes a shift in the cubic-tetragonal EST phase transition peak to a lower temperature. The microstructure of the EST substituted with Mg was homogeneous and dense. Mg substitution into EST had a significant effect on the grain size reduction. Dielectric constant was decreased with increasing the MgO content and temperature. In the case of EST thick films doped with 1 wt% MgO, the relative permittivity and dielectric loss were 158] and 1.4 % at 1 MHz.
지난 수 년간 본 연구팀은 새로운 티탄염 응집제를 이용하여 폐수를 응집한 후 생산된 슬러지에서 산화티탄을 생산하는 연구를 진행하였다. 티탄염의 응집 효율은 일반적으로 많이 사용되는 철염과 알루미늄염 응집제와 비슷하였으며 슬러지를 소성하여 제조한 산화티탄은 상용 산화티탄보다 더 넓은 표면적과 높은 광촉매 활성을 나타내었다. 산화티탄의 광촉매 활성 향상과 pH를 높이기 위해 응집보조제로서 철, 알루미늄, 칼슘을 사용하여 광촉매 활성이 높은 Fe, Al, Ca 도핑 산화티탄을 제조하였다. 이 기술의 실제 적용 가능성을 확인하기 위하여 염색폐수 파일럿 장치에 적용한 결과, 우수한 유기물 제거 능력과 빠른 응집체 형성이 확인되었다. 염색폐수 슬러지에서 제조한 산화티탄은 높은 유기물 제거 광촉매 활성과 물 광분해에 의해 수소를 생성하였다. 티탄염 응집제와 슬러지에서 제조한 산화티탄의 독성을 D. magna로 조사한 결과, 낮은 독성을 확인할 수 있었다. 이 총설은 미래의 슬러지 재활용 기술로 높은 적용 가능성을 가지는 티탄염으로 제조한 산화티탄의 특성을 체계적으로 정리하였다.
SDC (Samarium doped Ceria) electrolyte was developed for Intermediate temperature SOFC ($500^{\circ}C-800^{\circ}C$) which showed a good electrical conductivity. In this study, we used sintering aids to reduce the SDC sintering temperature down to $1000^{\circ}C$, especially which can help the SOFC scale-up. In order to reduce the SDC sintering temperature, $Li_2CO_3$ and $TiO_2$ were used as a sinering aids for decreasing sintering temperature. $Li_2CO_3$ and $TiO_2$ doped SDC sintered at $1000^{\circ}C$ showed 99% of the theoretical density and higher electrical conductivity than the pure SDC sintered at $1500^{\circ}C$. When measuring the OCV (Open circuit voltage) with the $Li_2CO_3$ and $TiO_2$ doped SDC electrolyte, however, the OCV values were lower than the theoretical OCV values which means that the modified SDC still had electronic conductivity.
A mechanism for formation of surface reoxidation layer in Surface Boundary Layer Capacitor (SBLC) has been studied. SBLC were prepared by reduction of $BaTiO_3$ doped with $Bi_2O_3$ and electrode firing of silver paste containing $Bi_2O_3$ The apparent dielectric constant was in the order of $10^5$ and the insulation resistance larger than $10^6$$\Omega$ It can be expected that $Bi_2O_3$ dopant in $BaTiO_3$ plays the role of inhibition of grain growth and decreasing the resistivity of $BaTiO_3$. In order to confirm the process of surface reoxidation layer effects of atmosphere and annealing time in electrode sintering were investigated.
Effects of oxygen deficiency on the room temperature ferromagnetism in Fe-doped reduced $TiO_2$ have been investigated by comparing the air-annealed $Ti_{0.97}Fe_{0.03}O_2$ compound with secondly post-annealed one in vacuum ambience. The air-annealed sample showed a paramagnetic behavior at room temperature. However, when the sample was further annealed in vacuum, a strongly enhanced ferromagnetic behavior was observed at same temperature. $M{\"{o}}ssbauer$ spectra of air-annealed sample at 295K showed a single doublet of $Fe^{3+}$, suggesting that the Fe ions are paramagnetic. On the other hand, the absorption spectra after vacuum-annealing exhibited two doublets, in which one is the same component with air-annealed sample and the other is new doublet corresponding to $Fe^{2+}$ state. This result suggests that the occurrence of ferromagnetism in reduced sample may be interpreted as the contribution of unquenched orbital moment of $Fe^{2+}$ ions.
In this study, the photo-deposition method was used to introduce Ag onto the surface of TiO2 to synthesize an Ag-TiO2 composite. The effects of the varying amounts of AgNO3 precursor and annealing time periods on the Ag content in the composites, as well as their antibacterial characteristics under visible light conditions were studied. SEM analysis revealed the spherical morphology of the Ag-TiO2 composite. Compared with TiO2, the Ag particles were too small to be observed. An XPS analysis of the Ag-TiO2 surface confirmed the Ag content and showed the peak intensities for elements such as Ag, Ti, O, C, and Si. The highest Ag content was observed when 33.3 wt.% of AgNO3 and an annealing time of 6 h were employed; this was the optimum annealing time for Ti-Ag-O bonding, in that the lowest number of O bonds and the highest number of Ag bonds were confirmed by XPS analysis. Superior antibacterial properties against Bacillus and Escherichia coli, in addition to the widest inhibition zones were exhibited by the Ag-TiO2 composite with an increased Ag content in a disk diffusion test, the bacterial reduction rate against Staphylococcus aureus and Escherichia coli being 99.9%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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