• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.23 no.1
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• pp.60-66
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• 1986

The effect of composition size of sintered body and electrode on resonant characteristics of the system $Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3 PbTiO_3-PbZrO_3$ has been decribed. Composition ranged from X=40 to X=55 diameter of sintered body ranged from D=6.5 to D=12.5(mm) and diameter of electrode ranged from De=5.5 to De=11 (mm) In the composition of morphotropic phase boundary antiresonant frequency (fa) dcreased slowly whereas resonant frequency (fr) decreased rapidly on the ground of this Δf(fa-fr) and electromechanical coupling fractor Kp increased and Qm showed low value. On the contrary in toward the composition of tetragonal and rhombo-hedral fa increased slowly whereas fr increased rapidly on the ground of this Δf and Kp decreased and Qm increased abruptly. Substance of the above statements have no concern with size of sintered body and ele-ctrode. The other side as the size of electrode decreased Qm fr, fa and Δf increased. Cm and Co dominantly affect the resonant frequency and antiresonant frequency.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.4 no.2
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• pp.29-40
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• 1993

Intensive studies on the electrochemical characteristics of TiFe type alloy electrodes have been carried out to clarify the mechanism of electrochemical hydrogen absorption and desorption. It was found that electrochemical activation of the TiFe type alloys is difficult and that charge efficiencies are very low even after a decade of activation cycles. However, by the pretreatment of the powders such as gas activation and/or Ni chemical plating, charge efficiencies fairly increased, especially for the $TiFe_{0.8}Ni_{0.2}$ alloy. It was considered that difficulties to activation and lower charge efficies of the alloys are due to the presence of the passivation films, which prohibit inward diffusion of hydrogen and promote the combination of adsorbed hydrogen atom to gas bubbles during the electrochemical charge. In addition, lower diffusivity of hydrogen in the alloys may be played an important role lowering the charge efficiencies.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.29 no.10
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• pp.620-624
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• 2016

Ferroelectric $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ (PZT) films were deposited on SrTiO3(100) substrate by using conductive $SrRuO_3$ films as underlayer and their structural and ferroelectric properties were investigated. PZT films were grown in (00l) orientation on well lattice-matched pseudo-cubic $SrRuO_3$ films. Thickness dependence of ferroelectric and electrical properties of PZT films was investigated. PZT film with 400 nm thickness showed a remanent polarization ($P_r$) of $29.0{\mu}C/cm^2$ and coercive field ($E_c$) of 83 kV/cm, and $P_r$ decreased and $E_c$ increased with thickness reduction. The dielectric constant for PZT films showed gradual decrease with thickness reduction. Breakdown field of PZT films did not show the thickness dependence and displayed as high value as 1 MV/cm.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.53.2-53.2
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• 2011

Dye-sensitized solar cells(DSSCs) have been recognized as an alternative to the conventional p-n junction solar cells because of their simple fabrication process, low production cost, and transparency. A typical DSSC consists of a transparent conductive oxide (TCO) electrode, a dye-sensitized oxide semiconductor nanoparticle layer, liquid redox electrolyte, and a Pt-counter electrode. In dye-sensitized solar cells, charge recombination processes at interfaces between coducting glass, $TiO_2$, dye, and electrolyte play an important role in limiting the photon-to-electron conversion efficiency. A layer of ZTO thin film less than ~200nm in thickness, as a blocking layer, was deposited by DC magnetron sputtering method directly onto the anode electrode to be isolated from the electrolyte in dye-sensitized solar cells(DSCs). This is to prevent the electrons from back-transferring from the electrode to the electrolyte ($I^-/I_3^-$). The presented DSCs were fabricated with working electrode of Ga-doped ZnO glass coated with blocking ZTO layer, dye-attached nanoporous $TiO_2$ layer, gel electrolyte and counter electrode of Pt-deposited GZO glass. The effects of blocking layer were studied with respect to impedance and conversion efficiency of the cells.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.179-179
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• 2011

관통전극(TSV, Trough Silicon Via) 기술은 전자부품의 소형화, 고성능화, 생산성 향상을 이룰 수 있는 기술이다. Cu는 현재 배선 기술에 적용되고 있고 전기적 저항이 낮아서 TSV filling 재료로 사용된다. 하지만 확산 방지막에 의해 완벽히 감싸지지 않는다면, Cu+은 빠르게 절연막을 통과하여 Si 웨이퍼로 확산된다. 이런 현상은 절연막의 누설과 소자의 오동작 등의 신뢰성 문제를 일으킬 수 있다. 현재 TSV의 제조와 열 및 기계적 응력에 관한 연구는 활발히 진행되고 있으나 Biased-Thermal Stress(BTS) 조건하의 Cu 확산에 관한 연구는 활발하지 않는 것이 실정이다. 이를 위해 본 연구에서는 TSV용 Cu 확산 방지막 Ti에 대해 Cu+의 drift 억제 특성을 조사하였다. 실험을 위해 Cu/확산 방지막/Thermal oxide/n-type Si의 평판 구조를 제작하였고 확산 방지막의 두께에 따른 영향을 조사하기 위해 Ti의 두께를 10 nm에서 100 nm까지 변화하였으며 기존 Cu 배선 공정에서 사용되는 확산 방지막 Ta와 비교하였다. 그리고 Cu+의 drift 측정을 위해 Biased-Thermal Stress 조건(Thermal stress: $275^{\circ}C$, Bias stress: +2MV/cm)에서 Capacitance 및 Timedependent dielectric breakdown(TDDB)를 측정하였다. 그 결과 Time-To Failure(TTF)를 이용하여 Cu+의 drift를 측정할 수 있었으며, 확산 방지막의 두께가 증가할수록 TTF가 증가하였고 물질에 따라 TTF가 변화하였다. 따라서 평판 구조를 이용한 본 실험의 Cu+의 drift 측정 방법은 향후 TSV 구조에서도 적용 가능한 방법으로 생각된다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.975-980
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• 2000

스테인레스 스틸 기판 위에 Pb($Zr_{0.45}$ $Ti_{0.55}$) $O_3$후막을 졸-겔 스핀 코팅법으로 제조하였다. 스테인레스 스틸은 그 자체로 좋은 도체이지만 PZT 후막의 강유전 특성을 개선하고자 Ru $O_2$박막을 중간층 겸 하부전극으로 사용하였다. PZT 전구체 용액을 코팅하고 급속 열처리하였을 때 5$50^{\circ}C$ 이하에서 pyrochlore 상이 먼저 나타났고 이 transient 상은 61$0^{\circ}C$에서 모두 perovskite 상으로 변화하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리된 PZT 후막은 잔존하는 pyrochlore로 인해 걸어준 전기장에 무관하게 5-7$\mu$C/$ extrm{cm}^2$의 낮은 $P_{r}$값을 나타내었으나 61$0^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 시편들은 모두 25$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ 이상의 잔류분극을 가지고 있었다. 또한 Ru $O_2$중간층이 PZT의 강유전성에 미치는 영향을 조사하였을 때 잔류분극 값은 거의 영향을 받지 않았으나 항전계 값은 상당한 영향을 받았다. 즉 100nm 두께의 Ru $O_2$박막을 중간층으로 사용할 경우 중간층 없이 직접 스테인레스 스틸 위에 코팅할 때에 비해 항전계 값을 45% 가량 줄일 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.29 no.2
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• pp.69-74
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• 2016

In this study, we proposed an a-IGZO (amorphous In-Ga-Zn-O) TFT (thin-film transistor) with off-planed source/drain structure. Furthermore, two different electrode materials (ITO and Ti) were applied to the source and drain contacts for performance improvement of a-IGZO TFTs. When the ITO with a large work-function and the Ti with a small work-function are applied to drain electrode and source contact, respectively, the electrical performances of a-IGZO TFTs were improved; an increased driving current, a decreased leakage current, a high on-off current ratio, and a reduced subthreshold swing. As a result of gate bias stress test at various temperatures, the off-planed S/D a-IGZO TFTs showed a degradation mechanism due to electron trapping and both devices with ITO-drain or Ti-drain electrode revealed an equivalent instability.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.192.1-192.1
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• 2016

타이타늄은 밸브 메탈의 일종으로, 다양한 전해질 조건에서 양극산화되어 이산화 타이타늄($TiO_2$)을 형성한다. 이산화 타이타늄은 저렴한 가격, 풍부함, 무독성, 높은 안정성 등 다양한 장점을 지닌다. 또한 리튬 이온의 삽입/탈리 이후에도 구조적인 변화가 적은 성질과 비교적 높은 방전 전압(1.0-2.5 V vs Li/Li+)으로 인해 그래파이트를 대체할 리튬이온 전지의 전극재료로써 연구되어 왔다. 하지만 낮은 이온 및 전기 전도도로 인해 다양한 분야에서의 활용에 한계가 있어왔다. 이러한 한계 극복을 위해, 이산화 타이타늄에 전도성이 높은 탄소 계열의 물질을 코팅하는 방법이 고려되었다. 그래핀 산화물은 강한 산을 이용하여 그래파이트를 산화시킨 물질로, 많은 산소작용기를 함유하고 있어 탄소 고유의 전기전도성을 갖지 못한다. 환원 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)는 빛, 열, 화학 작용울 통해 그래핀 옥사이드를 환원시켜 산소작용기를 없앤 물질로, 환원과정에서 전기전도성을 회복한다. 이에 본 연구에서는 이산화 타이타늄에 환원 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)를 코팅하여 전기 전도도를 향상시키고. 이에 대한 활용 분야를 연구하고자 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.16 no.3
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• pp.202-206
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• 2003

In this study, modified PbTi $O_3$ ceramics was manufactured to apply for 30MHz SMD type ceramic resonator with the variations of electrode weight. To investigate the effects of electrode weight on resonant characteristics of ceramic resonator using 3$^{rd}$ overtone thickness vibration mode, ceramic wafers for resonator were fabricated by evaporating electrode weights of 0.66, 1.765, 2.32, 3.87$\times$ 10$^{-4}$ g/c $m^2$ with silver, respectively. And then, SMD type ceramic resonators were fabricated with the size of 3.7$\times$3.1mm and electrode radius size of 0.77mm. With increasing electrode weight, resonant resistance was gradually decreased. At the electrode weight of 2.32$\times$10$_{-4}$ g/c $m^2$, mechanical quality factor( $Q_{mt3}$) and dynamic range(D.R) showed the maximum value of 2,152 and 49dB, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05c
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• pp.219-222
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• 2003

$0.2(PbMg_{1/3}Nb_{2/3}O_3)-0.8(PbZr_{0.475}Ti_{0.525}O_3)$ 조성을 이용하여 $5{\times}5{\times}5mm^3$의 적층형 세라믹 액츄에이터 소자를 tape casting 방법으로 제작하였다. 전극재로서는 Ag-Pd를 이용하여 총 50층의 layer를 적층하였으며, 적층된 액츄에이터를 $1100^{\circ}C$의 온도에서 소결하였다. X-ray diffractometer를 이용하여 제작된 소자와 열화된 소자의 구조적인 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 열화 특성을 알아보기 위하여 60 Hz 의 triangular wave를 인가하여 열화전과 후의 p-E hystcresis loop의 변화를 살펴보았으며, 인가된 전압의 변화에 따라서 소자에서 발생되는 양의 열을 측정하였다. 파괴된 소자의 파단면에 대한 SEM 분석을 통하여 소자의 파괴 메카니즘을 알아보도록 하였다. 이로부터 전기적 기계적 열화가 소자의 동작에 미치는 영향에 대해서 알아 보았다.