• 전력전자학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.391-395
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• 2008

한국전력공사는 강진변전소에 FACTS 설비인 80MVA UPFC를 (주)효성과 공동으로 개발하여 2003. 5월 준공하였다. 강진 UPFC는 40MVA 병렬인버터와 40MVA 직렬인버터로 구성되어 있으며, 대용량 인버터 핵심기술은 지멘스와의 기술제휴로 개발되었다. 한국전력공사는 UPFC 운영을 통하여 확보된 기술을 기반으로 제어기술을 국산화하고 있으며, 현재 유지보수용으로 GTO Thyristor 밸브 시험 장비를 개발하였다. 본 설비는 기존 수작업에 의한 GTO Thyristor 밸브의 건전성 시험을 자동화하고, 자료를 체계적으로 이력 관리함으로써, UPFC 설비의 신뢰성 향상에 도움을 줄 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.401-406
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• 2005

Two dimensional MEDICI simulator is used to study the electrical characteristics of Dual Gate Emitter Switched Thyristor. The simulation is done in terms of the current-voltage characteristics with the variations of p-base impurity concentrations and current flow. Compared with the other power devices such as MOS Controlled Cascade Thyristor(MCCT), Conventional Emitter Switched Thyristor(C-EST) and Dual Channel Emitter Switched Thyristor(DC-EST), Dual Gate Emitter Switched Thyristor(DG-EST) shows to have tile better electrical characteristics, which is the high latch-up current density and low forward voltage-drop. The proposed DG-EST which has a non-planer u-base structure under the floating N+ emitter indicates to have the better characteristics of latch-up current and breakover voltage in spite of the same turn-off characteristics.

• 전기의세계
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• 제28권7호
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• pp.49-55
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• 1979

본논문은 Thyristor를 이용하여 교류회로의 고장전류를 차단하는 기구에 대한 것이다. 즉 Thyristor 한류차단회로를 설정하고 게이트제어회로 과전류검출기를 설계하고 동작과정을 확인하였다. 결과에 있어서 (1) 고속차단이 가능하다(60Hz 교류에서 4ms이내) (2) 이 방식에 의하면 차단용량을 감소시킬 수 있다. (3) 적은 신호로 지체없이 동작한다. (4) 기계적부분이 없으므로 반영구시 수명을 가진다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.308-309
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• 2011

HVDC 시스템에 적용되는 Thyristor Valve 설계 시 중요하게 고려해야 할 사항 중 Valve에서 발생되는 전압 및 전류에 대한 스트레스 분석이 있다. 이것은 실제 HVDC 운전 시 Valve에서 발생될 수 있는 과전압 및 써지성 전압에 대해서 Valve가 견딜 수 있는가에 대한 분석이다. 본 논문에서는 60MW ±80kV HVDC에 적용될 Valve의 전압 스트레스를 분석하였고 이 결과로 실제 설계된 Valve의 성능 및 thyristor의 제한치를 만족하는 가를 검증하였다.

• 전기의세계
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• 제25권4호
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• pp.28-31
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• 1976

Thyristor는 많은 전력기기와 결합되어 전기기기 전반의 양상을 크게 변화시키고 있다. 예를 들면 변압기의 불꽃없는 탭이나 회전기의 정류자에 대치되는 무정류자전동기와 그리고 개폐기, 차단기의 대용등을 생각할 수 있다. 전력변환장치로서는 (1)직류전력을 조정하는 목적으로 Thyristor를 일종의 스위치로써 직류전압을 단속시켜 직류평균전력을 제어하는 DC Chopper (2)교류전원에 두개의 Thyristor를 역병렬접속하여 교류전류의 통전기간을 위상제어에 의하여 교류를 제어하는 AC Chopper (3)직류를 교류로 변환하는 자여식 inverter등이 있다. 본 해설에서는 지면관계상 D.C Chopper방식에 대한 기본회로와 그의 이용만을 취급한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.236-237
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• 2012

본 연구에서는 Thyristor로 구성되는 HVDC System의 Thyristor밸브를 시험하기위한 새로운 합성시험회로를 제안하고 그 성능과 동작을 분석한 내용에 대해 기술하고 있다. 제안하는 시스템의 동작 타당성을 체계적으로 분석하기 위해 PSCAD/EMTDC 소프트웨어를 이용한 시뮬레이션 모델을 개발하였으며 이를 기반으로 하드웨어 시스템을 제작하여 제안하는 시스템의 동작특성을 분석하였다.

• 전기의세계
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• 제23권4호
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• pp.32-35
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• 1974

Thyristor inverter의 유형은 Switching기능에 따라 분류하고 있는데, 크게 나누어 Bridge형 converter와 Cycloconverter로 나누는데, 여기서는 이중 3상 Bridge형 Thyristor Inverter에 대한 전력변환과정을 Vector해석법에 의하여 그 개요를 설명하고, 여기에 현재 가장 효율적 switching방식이라 보고 있는 펼스폭변조환류게이트방식(Pulsewidth modulation commutation gating system)을 적용하였을 때의 효과를 첨가 설명코자 한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.303-304
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• 2011

본 논문은 HVDC System의 컨버터를 구성하는 Thyristor 밸브의 스위칭동작을 테스트하는 합성시험회로의 기본동작을 분석한 내용에 대해 기술하고 있다. 합성시험회로(STC : Synthetic Test Circuit)는 HVDC System의 컨버터가 동작할 때 각 Thyristor 밸브에 나타나는 턴-온 전류와 턴-오프 전압을 인위적으로 공급하여 정상동작 여부를 시험할 수 있는 모의실험회로를 의미한다. 본 연구에서는 PSCAD 프로그램을 이용하여 2kV, 200A급 Thyristor를 테스트하기 위한 합성시험회로의 시뮬레이션 모형을 개발하고 그 동작을 분석하였다. 개발한 합성시험회로의 시뮬레이션 모델은 향후 IEEE와 IEC 규정에 만족하는 새로운 합성시험회로를 개발하는데 참고 자료로 활용 될 것으로 기대된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2187-2188
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2185-2186
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.