• 한국정밀공학회지
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• 제23권7호
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• pp.152-158
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• 2006

The objective of this work is to develop the knee joint model for representing various pendulum motions and quantifying the spasticity. Knee joint model included the extension and flexion muscles. The joint moment consists of both the active moment from the stretch reflex and the passive moment from the viscoelastic joint properties. The stretch reflex was modeled as nonlinear feedback of muscle length and the muscle lengthening velocity, which is Physiologically-feasible. Moreover, we modeled the spastic reflex as having dynamic threshold to account far the various pendulum trajectories of spastic patients. We determined the model parameters of three patients who showed different pendulum trajectories through minimization of error between experimental and simulated trajectories. The simulated joint trajectories closely matched with the experimental ones, which show the proposed model can predict pendulum motions of patients with different spastic severities. The predicted muscle force from spastic reflex appeared more frequently in the severe spastic patient, which indicates the dynamic threshold relaxes slowly in this patient as is manifested by the variation coefficient of dynamic threshold. The proposed method provides prediction of muscle force and intuitive and objective evaluation of spasticity and it is expected to be useful in quantitative assessment of spasticity.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권1호
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• pp.40-50
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• 2011

A two-dimensional (2D) analytical model for the potential distribution and threshold voltage of short-channel ion-implanted GaAs MESFETs operating in the sub-threshold regime has been presented. A double-integrable Gaussian-like function has been assumed as the doping distribution profile in the vertical direction of the channel. The Schottky gate has been assumed to be semi-transparent through which optical radiation is coupled into the device. The 2D potential distribution in the channel of the short-channel device has been obtained by solving the 2D Poisson's equation by using suitable boundary conditions. The effects of excess carrier generation due to the incident optical radiation in channel region have been included in the Poisson's equation to study the optical effects on the device. The potential function has been utilized to model the threshold voltage of the device under dark and illuminated conditions. The proposed model has been verified by comparing the theoretically predicted results with simulated data obtained by using the commercially available $ATLAS^{TM}$ 2D device simulator.

• 정보처리학회논문지C
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• 제9C권6호
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• pp.841-846
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• 2002

이 논문에서는 네트워크의 QoS에 가장 큰 영향을 미치는 네트워크 선로 이용률의과거 데이터를 기반으로 단기간 예측과 계절성(seasonality) 예측에 적합한 계절자기회귀이동평균(SARIMA : seasonal ARIMA) 모형을 적용하여 네트워크 특성을 고려한 동적인 임계값을 학습하는 알고리즘을 제시하였다. 이 기법을 통해 선로 이용률의 임계값은 네트워크환경과 시간에 따라 동적으로 변경되며, 확률을 근거로 그 신뢰성을 제공할 수 있다. 또한,실제 환경을 통하여 제시한 모델의 적합성 여부를 평가하였으며, 알고리즘의 성능을 실험하였다. 네트워크 관리자들은 이 알고리즘을 통하여 고정 임계값이 가지는 단점을 극복할 수있을 것이며, 관리 행위의 효율성을 높일 수 있을 것이다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제15권12호
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• pp.943-947
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• 2009

소프트웨어의 결함을 예측하고 검증과 확인 활동을 통하여 효율적인 자원을 관리하기 위하여 많은 연구에서 결함 예측 모형을 제안하고 있다. 하지만 기존의 연구는 예측율이 최대 효과를 보이는 임계치에 결함 예측 모형의 예측율을 평가하고 있다. 이는 측정 시스템의 결함 정보를 알고 있는 가정하에서 평가가 이루어지는 것이기 때문에 실제 결함 정보를 알 수 없는 시스템에서는 최적의 임계치를 결정할 수 없다. 그러므로 임계치 선정의 중요성을 확인하기 위하여 본 연구에서는 결함 예측 모형으로 타 시스템의 결함을 예측하는 비교 실험을 하였다. 실험은 기존에 제안된 3개의 결함 예측 모형과 4개의 시스템을 대상으로 하였고 결함 예측 모형의 임계치별 예측의 정확성을 비교하였다. 실험결과에서 임계치는 모형의 예측율과 높은 관련이 있었지만 실제 결함 정보가 확인 안 되는 시스템에 대하여 결함을 예측하는 경우에는 임계치를 선정할 수 없음을 확인하였다. 따라서 결함 예측 모형을 타 시스템에 적용하기 위하석 임계치 선정에 관한 추후 연구가 필요함을 확인하였다.

• Imaging Science in Dentistry
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• 제32권1호
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• pp.27-33
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• 2002

Purpose: To evaluate the influence of threshold value of computed tomography on the accuracy of rapid prototyping (RP) medical model Material and Methods : CT datas of a human dry skull were transferred from CT scanner via compact disk to a personal computer (PC). 3-dimensional image reconstruction on PC by V-works/sup TM/ 3.0 (CyberMed. Inc.) software and RP models fabrication were followed. 2-RP models were produced by threshold value of 500 and 800 selected in surface rendering process. Linear measurements between arbitrary 12 anatomical landmarks on dry skull, 3-D image model, and 2-RP models were done and compared. Thus, the accuracy of 500 RP and 800RP models was respectively evaluated. Results: There was mean difference (% difference) in absolute value of 2.27 mm (2.73%) between linear measurements of dry skull and 500 RP model. There was mean difference (% difference) in absolute value of 1.94 mm (2.52%) between linear measurements of dry skull and 800 RP model. Conclusion: Slight difference of threshold value in rendering process of 3-D modelling made a influence on the accuracy of RP medical model.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권3호
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• pp.154-159
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• 2015

In this paper, we propose a numerical method to model temperature dependent threshold voltage shift observed in metal oxide thin-film transistors (TFTs). The proposed model is then implemented in AIM-SPICE circuit simulation tool. The proposed method consists of modeling the well-known stretched-exponential time dependent threshold voltage shift and their temperature dependent coefficients. The outputs from AIM-SPICE tool and the stretched-exponential model at different temperatures in the literature are compared and they show a good agreement. Since metal oxide TFTs are the promising candidate for flat panel displays, the proposed method will be a good stepping stone to help enhance reliability of fast-evolving display circuits.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.1-7
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• 1985

본 논문에서는, drain 전압과 substrate bias에 종속적인 관계를 갖는 short-channel enhancement-mode IGFET의 threshold전압에 대한 보다 개선된 모델을 제시한다. 특히, 최근에 발표된 몇몇 모델들에 비해. short-channel effect에 의한 correction factor를 정확히 해석함으로써 오차를 충분히 줄일 수 있었으며, 본 모델을 이용하여 계산한 이론값은 약 1μm 정도의 채널 길이를 갖는 device에 대해서도 실험값과 잘 일치한다.

• 한국음향학회지
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• 제19권2호
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• pp.90-94
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• 2000

본 논문에서는 HMM 기반의 인식시스템에서 신뢰성이 낮은 입력패턴을 거절하기 위해 필요한 임계 문턱값을 효과적으로 추정하는 방법을 제안한다. Anti-model을 이용한 거절방식은 통계적 가설(statistical hypothesis)에 근거하여 주어진 입력에 대한 HMM과 anti-model 간의 유사도를 임계 문턱값과 비교하여 거절 여부를 결정한다. HMM은 각 클래스 별로 출력값의 편차가 심하게 나타나므로 일률적인 문턱값을 적용하는 것이 어렵다. 본 논문에서는 각 클래스 별로 HMM 생성을 위해 사용된 학습데이터를 이용하여 클래스에 종속적인 임계 문턱값을 추정하는 방법을 제안한다. 각 클래스에서의 임계 문턱값은 학습데이터에 대한 HMM과 anti-model 간의 유사도로부터 추정된다. 실험에서는 HMM 기반의 3차원 손 제스처 인식시스템에 대해 제안한 문턱값 추정방법을 적용하여 거절검사를 수행하였다. 실험 결과로부터 제안한 임계 문턱값 추정방법이 anti-model 구현 방식에 관계없이 적용이 가능하고 추정된 문턱값을 이용하여 부적절한 입력 패턴을 적절하게 거절할 수 있음을 확인할 수 있었다.

• Communications for Statistical Applications and Methods
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• 제19권5호
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• pp.705-720
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• 2012

In this paper, we introduce a hierarchical Bayesian model to simultaneously estimate the thresholds of each 6 cities. It was noted in the literature there was a dramatic increases in the number of deaths if the mean temperature passes a certain value (that we call a threshold). We estimate the difference of mortality before and after the threshold. For the hierarchical Bayesian analysis, some proper prior distribution of parameters and hyper-parameters are assumed. By combining the Gibbs and Metropolis-Hastings algorithm, we constructed a Markov chain Monte Carlo algorithm and the posterior inference was based on the posterior sample. The analysis shows that the estimates of the threshold are located at $25^{\circ}C{\sim}29^{\circ}C$ and the mortality around the threshold changes from -1% to 2~13%.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권2호
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• pp.111-120
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• 2011

A two-dimensional analytical model for deriving the threshold voltage of a short channel fully depleted (FD) cylindrical/surrounding gate MOSFET (CGT/SGT) is suggested. By taking into account the lateral variation of the surface potential, introducing the natural length expression, and using the Bessel functions of the first and the second kinds of order zero, we can derive potentials in the gate oxide layer and the silicon core fully two-dimensionally. Making use of these potentials, the minimum surface potential can be obtained to derive the threshold voltage as a closed-form expression in terms of various device parameters and applied voltages. Obtained results can be used to explain the drain-induced threshold voltage roll-off of a CGT/SGT in a unified manner.