• 한국환경과학회지
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• 제15권7호
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• pp.635-642
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• 2006

Present study evaluated the low-temperature destruction of n-hexane and benzene using mesh-type transition-metal platinum(Pt)/stainless steel(SS) catalyst. The parameters tested for the evaluation of catalytic destruction efficiencies of the two volatile organic compounds(VOC) included input concentration, reaction time, reaction temperature, and surface area of catalyst. It was found that the input concentration affected the destruction efficiencies of n-hexane and benzene, but that this input-concentration effect depended upon VOC type. The destruction efficiencies increased as the reaction time increased, but they were similar between two reaction times for benzene(50 and 60 sec), thereby suggesting that high temperatures are not always proper for thermal destruction of VOCs, when considering the destruction efficiency and operation costs of thermal catalytic system together. Similar to the effects of the input concentration on destruction efficiency of VOCs, the reaction temperature influenced the destruction efficiencies of n-hexane and benzene, but this temperature effect depended upon VOC type. As expected, the destruction efficiencies of n-hexane increased as the surface area of catalyst, but for benzene, the increase rate was not significant, thereby suggesting that similar to the effects of the re- action temperature on destruction efficiency of VOCs, high catalyst surface areas are not always proper for economical thermal destruction of VOCs. Depending upon the inlet concentrations and reaction temperatures, almost 100% of both n-hexane and benzene could be destructed, The current results also suggested that when applying the mesh type transition Metal Pt/SS catalyst for the better catalytic pyrolysis of VOC, VOC type should be considered, along with reaction temperature, surface area of catalyst, reaction time and input concentration.

• 한국추진공학회지
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• 제20권3호
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• pp.71-77
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• 2016

내열고무 성능평가 모사시험장치를 이용하여 고체로켓추진기관 연소관의 내부단열을 위해 사용하는 Kevlar/EPDM 내열고무의 압력변화에 따른 열반응 특성을 비교하였다. 연소실 유효평균압력 및 유효연소시간은 각각 1,030 psi, 35.86 s 및 1,406 psi, 36.63 s이었다. 시험후 시편의 표면 상태는 차이가 없었으며, 열파괴두께는 각각 4.10 mm 및 4.18 mm이었다. 열반응 상수 ${\xi}$, ${\zeta}$ 및 열파괴 속도 $V_{TD}$는 각각 0.7839, -0.1646, 0.1328 및 0.7836, -0.1730, 0.1346이었다. Kevlar/EPDM 내열고무의 열반응 특성은 압력변화에 따른 차이를 보이지 않았다.

• 한국식품영양학회지
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• 제34권1호
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• pp.26-35
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• 2021

Myrosinases (thioglucosidases) catalyze the hydrolysis of a class of compounds called glucosinolates, of which the aglycones show various biological functions. It is often necessary to minimize the loss of myrosinase activity during thermal processing of cruciferous vegetables. Myrosinase was isolated from a popular spice, white mustard (Sinapis alba), and its thermal inactivation kinetics was investigated. The enzyme was extracted from white mustard seeds and purified by a sequential processes of ammonium sulfate fractionation, Concanavalin A-Sepharose column chromatography, and gel permeation chromatography. At least three isozymes were revealed by Concanavalin A-Sepharose column chromatography. The purity of the major myrosinase was examined by native polyacrylamide gel electrophoresis and on-gel activity staining with methyl red. The molecular weight of the major enzyme was estimated to be 171 kDa. When the consecutive step model was used for the thermal inactivation of the major myrosinase, its inactivation energy was 44.388 kJ/mol for the early stage of destruction and 32.019 kJ/mol for the late stage of destruction. When the distinct two enzymes model was used, the inactivation energy was 77.772 kJ/mol for the labile enzyme and 95.145 kJ/mol for the stable enzyme. The thermal inactivation energies lie within energy range causing nutrient destruction on heating.

• 한국추진공학회지
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• 제27권1호
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• pp.9-16
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• 2023

본 연구에서는 고체추진기관 내 연소관단열재의 열분해와 삭마를 고려하여 단열재의 열응답을 예측할 수 있는 일차원 해석기법을 개발하였다. 모델링에는 연소관단열재 내부에서 발생하는 열분해로 인한 물성변화, 숯층의 팽창 및 분해가스 이동을 고려하였다. 또한 연소가스로부터의 복사/대류 열유속을 경계조건으로 적용하였으며 단열재 표면에서 발생하는 화학적 삭마속도를 대수식으로 모델링하였다. 해석기법 검증을 위해 열전대가 설치된 시험모터에 대한 해석을 수행하였다. 해석으로 도출된 온도분포는 시험과 유사한 값을 나타냈으며 시험과 예측 열파괴두께의 오차는 0.1 mm 내외였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권2호
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• pp.343-347
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• 2012

충전형 저온 플라즈마 반응기 내에서의 가스 상 시안화합물의 분해특성을 반응기로 투입되는 방전 전력, 시안화합물의 유입농도, 운반기체인 공기의 습도 및 반응기 내의 충전물질 등을 변수로 연구하였다. 저온플라즈마 방전의 경우 시안화합물들의 분해는 트리클로로에틸렌에 비하여 상대적으로 매우 낮은 효율을 보였다. 그러나 플라즈마 방전 영역에 알루미나 또는 백금/알루미나 구슬을 충전한 경우 분해효율이 크게 높아졌으며 이는 플라즈마 반응과 더불어 백금/알루미나의 촉매작용에 의한 촉매 반응이 동시에 작용함에 기인한 것으로 판단된다.

• 대한환경공학회지
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• 제29권5호
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• pp.577-583
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• 2007

다양한 산업체에서 배출되는 독성오염물질들을 제어하는 기존의 기술이 안고 있는 일부 단점을 보완하기 위하여 전이금속 지지체로 구성된 스테인레스스틸-백금 촉매를 이용하는 열촉매 시스템을 구축하고 다섯 가지의 염소계 탄화수소[chlorobenzene(CHB), chloroform(CHF), perchloroethylene(PCE), 1,1,1-trichloroethane(TCEthane), trichloroethylene(TCE)]의 열촉매 분해효율을 평가하기 위해서 본 연구가 수행되었다. 또한, 본 연구는 촉매독이 열촉매 분해 효율에 미치는 영향을 평가하였다. 열촉매 시스템의 주요 세 가지 운전인자인 유입농도, 소각 온도 및 촉매시스템내 체류시간이 본 연구에서 고려되었다. 유입농도가 증가함에 따라 염소계탄화수소의 분해효율이 최대 100%에서 오염물질의 종류에 따라 최저 0%(CHB) 가까이로 감소하는 것으로 나타났다. TCEthane을 제외한 네 가지 염소계탄화수소의 분해효율은 온도 증가에 따라 100% 가까게 나타났으나, TCEthane의 분해효율은 온도가 증가해도 거의 변화가 없는 것으로 나타났다. TCEthane을 제외한 조사대상물질에 대하여 촉매시스템내의 체류시간이 10초에서 60초로 증가시 오염물질에 따라 30%에서 97%까지 점진적으로 증가하는 경향을 나타내었지만, TCEthane은 체류시간 30초에서 분해효율이 더 이상 증가하지 않았다. 이러한 결과는 체류시간 길이가 항상 분해효율과 비례하는 것이 아님을 제안한다. 결론적으로, 본 연구 결과는 염소계 탄화수소를 보다 고효율로 제어하기 위해서 전이금속 촉매시스템을 적용할 경우에 유입농도, 반응온도, 그리고 촉매시스템내 체류시간과 더불어 제어하고자하는 오염물질의 종류도 함께 고려되어야 할 것을 제안한다. 한편으로, 황화메틸 1.0 ppm을 첨가함으로서 조사대상오염물질의 분해효율이 $0\sim50%$로 감소하는 결과가 나타났지만, 일반적으로 산업 배기가스에서 측정되는 황화합물의 오염도 수준보다 다소 낮은 농도에 해당하는 황화메틸 0.1 ppm을 오염물질에 첨가하였을 때는 오염물질의 분해효율에 영향이 나타나지 않았다.

• 한국추진공학회지
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• 제23권1호
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• pp.108-115
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• 2019

고온 고압의 연소가스로부터 구조물을 보호하는 탄성내열재는 재료 조성 및 열환경 조건에 따라 열반응에 차이를 보인다. 본 논문에서는 탄성내열재의 배합 환경 변화에 따른 열반응 특성을 비교하였다. 탄성내열재의 내열 성능 시험은 내열고무성능평가장치(TPREM)를 이용하였으며, 연소실 압력 1,000 psig에서 연소가스속도를 각각 20 m/s과 100 m/s로 시험하였다. 연소실 압력-시간 선도, 재료 내부 온도-시간 선도, 탄성내열재 시편의 잔류 두께 및 열파괴두께를 획득하였다. 배합 환경에 따른 탄성내열재의 내열 성능은 유사하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1512-1513
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• 2007

In this paper the influence of CMOS- and TTL-technology on the breakdown and destruction effects by artificial electromagnetic waves is determined. Different electronic devices(3 CMOS & 5 TTL) were exposed to high amplitude electromagnetic waves. CMOS ICs were occurred only destruction below the max electric field and TTL ICs were occurred breakdown and destruction below the max electric field. The SEM analysis of the destruction devices showed onchipwire and bondwire destruction like melting due to thermal effect. The test results are applied to the data which understand electromagnetic wave effects of electronic equipments.

• 전기학회논문지
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• 제56권7호
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• pp.1282-1287
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• 2007

We investigated the damage of the CMOS IC which manufactured three different technologies by high power microwave. The tests separated the two methods in accordance with the types of the CMOS IC located inner waveguide. The only CMOS IC which was located inner waveguide was occurred breakdown below the max electric field (23.94kV/m) without destruction but the CMOS IC which was connected IC to line organically was located inner waveguide and it was occurred breakdown and destruction below the max electric field. Also destructed CMOS IC was removed their surface and a chip condition was analyzed by SEM. The SEM analysis of the damaged devices showed onchuipwire and bondwire destruction like melting due to thermal effect. The tested results are applied to the fundamental data which interprets the combination mechanism of the semiconductors from artificial electromagnetic wave environment and are applied to the data which understand electromagnetic wave effects of electronic equipments.

• 한국안전학회지
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• 제22권5호
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• pp.27-32
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• 2007

We investigated the damage of the TTL ICs which manufactured five different technologies by artificial microwave. The artificial microwave was rated at a microwave output from 0 to 1000W, at a frequency of 2.45GHz. The microwave power was extracted into a standard rectangular waveguide(WR-340) and TTL ICs were located into the waveguide. TTL ICs were damaged two types. One is breakdown which means no physical damage is done to the system and after a reset the system is going back into function. The other is destruction which means a physical damage of the system so that the system will not recover without a hardware repair. TTL SN74S08N and SN74ALS08N devices get a breakdown and destruction occurred but TTL SN74LS08N, SN74AS08N and 74F08N devices get a destruction occurred. Also destructed TTL ICs were removed their surface and a chip conditions were analyzed by SEM. The SEM analysis of the damaged devices showed onchipwire and bondwire destruction like melting due to thermal effect. The tested results expect to be applied to the fundamental data which interprets the combination mechanism of the semiconductors from artificial microwave environment.