• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권1호
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• pp.59-67
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• 2007

본 논문은 배터리를 사용하는 휴대 기기용 LCD driver IC를 위한 전류원 스위칭에 의한 저전력 듀얼레벨 저전압 차동신호 전송(DLVDS) 회로를 제안한다. 제안된 송신기는 기존의 DLVDS 회로의 송신기의 신호생성 방법을 개선하여 기존의 전송선 감소의 장점을 유지하면서 전력소모를 현저히 감소시켰다. 또한 개선된 신호생성 방법의 개선으로 인하여 디코딩이 변경되어 수신기 회로가 더 간단해졌다. 제안된 회로는 2.5V의 전원을 갖는 $0.25{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계 되었다. 제안된 회로의 시뮬레이션 결과는 800Mbps/2-line의 전송률, 송신기는 9mW, 수신기는 11.5mW의 전력소모를 나타내었으며, 기존의 DLVDS와 비교하여 약60% 전력소모가 감소했다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.292-297
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• 2003

We fabricated a single crystal silicon thin film transistor for active matrix organic light emitting displays(AMOLEDs) using silicon on insulator wafer (SOI wafer). Poly crystal silicon thin film transistor(poly-Si TFT) Is actively researched and developed nowsdays for a pixel switching devices of AMOLEDs. However, poly-Si TFT has some disadvantages such as high off-state leakage currents and low field-effect mobility due to a trap of grain boundary in active channel. While single crystal silicon TFT has many advantages such as high field effect mobility, low off-state leakage currents, low power consumption because of the low threshold voltage and simultaneous integration of driving ICs on a substrate. In our experiment, we compared the property of poly-Si TFT with that of SOI TFT. Poly-Si TFT exhibited a field effect mobility of 34 $\textrm{cm}^2$/Vs, an off-state leakage current of about l${\times}$10$\^$-9/ A at the gate voltage of 10 V, a subthreshold slope of 0.5 V/dec and on/off ratio of 10$\^$-4/, a threshold voltage of 7.8 V. Otherwise, single crystal silicon TFT on SOI wafer exhibited a field effect mobility of 750 $\textrm{cm}^2$/Vs, an off-state leakage current of about 1${\times}$10$\^$-10/ A at the gate voltage of 10 V, a subthreshold slope of 0.59 V/dec and on/off ratio of 10$\^$7/, a threshold voltage of 6.75 V. So, we observed that the properties of single crystal silicon TFT using SOI wafer are better than those of Poly Si TFT. For the pixel driver in AMOLEDs, the best suitable pixel driver is single crystal silicon TFT using SOI wafer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2116-2118
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• 2000

In the technique of Q-switching, very fast electronically controlled optical shutters can be made by using the electro-optic effect in crystals or liquids. The driver for the Pockels cell must be a high-speed, high-voltage switch which also must deliver a sizeable current. Common switching techniques include the use of vacuum tubes, cold cathode tubes, thyratrons, SCRs, and avalanche transistors. Semiconductor devices such as SCRs, avalanche transistors, and MOSFETs have been successfully employed to drive Pockels cell Q-switch. In this study, a simple driver for the Pockels cell Q-switch was developed by using SCRs, pulse transformer and TTL ICs. The Pockels cell Q-switch which was operated by this driver was employed in pulsed Nd:YAG laser system to investigate the operating characteristics of this Q-switch. And we have investigated the output characteristics of this Q-switch as a function of the Q-switch delay time to Xe flashlamp current on.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.463-464
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• 2008

As the demands of LCD and PDP TV are increasing, the high performance HVICs(High Voltage Gate Driver ICs) technology is becoming more necessary. In this paper, we designed the HVIC that has enhanced noise immunity and high driving capability. It can operate at 500KHz switching frequency and permit 600V input voltage. High-side level shifter is designed with noise protection circuit and schmitt trigger. Therefore it has very high dv/dt immunity, the maximum being 50V/ns. The HVIC was designed using $1{\mu}m$ BCD 650V process and verified by Spectre and PSpice of Cadence inc. simulation.

• Smart Structures and Systems
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• 제14권4호
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• pp.617-641
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• 2014

The energy constraint is still a common issue for the practical application of wireless sensors, since they are usually powered by batteries which limit their lifetime. In this paper, a practical compound energy efficiency strategy is proposed and realized in the implementation of a real time wireless sensor platform. The platform is intended for wireless structural monitoring applications and consists of three parts, wireless sensing unit, base station and data acquisition and configuration software running in a computer within the Matlab environment. The high energy efficiency of the wireless sensor platform is achieved by a proposed adaptive radio transmission power control algorithm, and some straightforward methods, including adopting low power ICs and high efficient power management circuits, low duty cycle radio polling and switching off radio between two adjacent data packets' transmission. The adaptive transmission power control algorithm is based on the statistical average of the path loss estimations using a moving average filter. The algorithm is implemented in the wireless node and relies on the received signal strength feedback piggybacked in the ACK packet from the base station node to estimate the path loss. Therefore, it does not need any control packet overheads. Several experiments are carried out to investigate the link quality of radio channels, validate and evaluate the proposed adaptive transmission power control algorithm, including static and dynamic experiments.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.48-54
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• 2004

플라즈마 디스플레이 패널의 구동실험을 용이하게 할 수 있는 구동실험장치를 개발하였다. 이 장치는 펄스의 타이밍을 컴퓨터상에서 설계하고 시뮬레이션 할 수 있고 이렇게 설계된 타이밍을 사용하여 PLD에 프로그래밍하고 고전압 FET 스위치들을 제어할 수 있다. 이 장치는 기존의 로직 gate IC를 이용하여 하드웨어적으로 스위칭 로직을 구현하는 것 보다 펄스로직의 설계시간을 단축시킬 수 있으며 구동방식의 변경에 따른 펄스의 타이밍 변경도 용이하다. 이 구동장치를 가지고 상용화 되어있는 ADS 구동방식을 구현하여 3전극 AC PDP의 계조구현 실험을 하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.105-109
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• 2018

본 논문에서는 시간 조절 배열(time-modulated array: TMA)의 성능향성에 대하여 논의하였다. 제안한 시간 조절 배열은 전형적인 배열의 topology를 기반으로 하지만, side-band suppression을 갖는 beamforming 기능을 성취하기 위하여 위상 shifter 대신 apodized 이산 시간 스위치를 사용하였다. 16-소자 선형 배열의 apodised 시계열에 기초한 beamforming 시스템의 성능을 분석하기 위하여 수치해석을 수행하였다. 수치해석 결과 제안한 기법은 전형적인 기법들과 비교하여 낮거나 매우 낮은 수준의 side-lobe level (SLL)을 갖는 빔 패턴을 생성하며, 보다 유연하고 정확한 방법을 제공하는 것으로 나타났다.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.129-136
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• 2007

본 논문에서는 Dual-Port 구조를 사용하는 Display IC용 내장형 1T-SRAM에 적합한 간단하고 효과적인 새로운 데이터라인 리던던시 회로(dataline redundancy circuit)를 제안하고 이를 0.18-um CMOS 1T-SRAM 공정을 이용하여 $320{\times}120{\times}18$-Bit Dual-port 1T-SRAM로 구현하여 검증하였다. 한 개의 인버터와 한 개의 낸드 게이트로 이루어진 시프트 로직 회로(shift logic circuit)를 이용해서 기존의 데이터라인 리던던시 회로 보다는 훨씬 간단하게 컨트롤 로직을 구현함으로써 한 개의 비트라인 페어(bit line pair)의 피치(pitch) 내에서 필요한 컨트롤 로직을 모두 구현할 수 있었다. 또한 시프트 로직 회로를 개선해서 worst case에서의 delay를 12.3ns에서 5.9ns로 52% 감소시켜서 워드라인 셋업 후에서 센스앰프 셋업까지의 시간 동안에 데이터라인 스위칭 작업을 완료할 수 있게 하여서 데이터라인 리던던시 회로의 타이밍 오버헤드(timing overhead)를 row cycle 시간에 의해 감추어지게 할 수 있었다. 본 논문에서 제시된 데이터라인 리던던시 회로의 면적 오버헤드(area overhead)는 약 7.6%로 예측된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.567-574
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• 2015

본 논문에서는 MCU(Micro Controller Unit) IC를 위한 50ns 256Kb EEPROM 회로를 설계하였다. 설계된 EEPROM IP는 기준전압을 이용한 차동증폭기 형태의 DB(Data Bus) 센싱 회로를 제안하여 읽기 동작시 데이터 센싱 속도를 빠르게 하였으며, DB를 8등분한 Distributed DB 구조를 적용하여 DB의 기생 커패시턴스 성분을 줄여 DB의 스위칭 속도를 높였다. 또한 기존의 RD 스위치 회로에서 5V 스위치 NMOS 트랜지스터를 제거함으로써 읽기 동작 시 BL의 프리차징 시간을 줄여 액세스 시간을 줄였고 데이터 센싱 시 DB 전압과 기준전압 간의 전압차 ${\Delta}V$를 0.2VDD 정도 확보하여 출력 데이터의 신뢰도를 높였다. 매그나칩반도체 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정으로 설계된 256Kb EEPROM IP의 액세스 시간은 45.8ns 이며 레이아웃 면적은 $1571.625{\mu}m{\times}798.540{\mu}m$이다.