• 한국재료학회지
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• 제8권5호
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• pp.470-473
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• 1998

Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 $CoSi_{2}$에 $As^+$을 이온주입한 후, 500~$1000^{\circ}C$에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 $n_{+}$ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. $500^{\circ}C$에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 $CoSi_{2}$Si의 계면이 균일하였기 때문이다.

• 한국식물생명공학회:학술대회논문집
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• 한국식물생명공학회 2006년도 한국육종학회 공동심포지엄 및 학술대회
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• pp.21.2-22
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• 2006

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.499-504
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• 1998

코발트 폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 원주형(columnar)과 입자형(granular)다결정 Si 및 비정질 Si 기판위에 Co 단일막(Co monolayer)또는 Co/Ti 이중막(Co/Ti bilayer)을 사용하여 형성한 $CoSi_{2}$의 열정안정을 비교하여 기판의 결정성과 CoSi/ sub 2/ 형성방법이 열적안정성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 900^{\circ}C$에서 600초까지 급속열처리하였을 때 , 기판을 비정질을 사용하거나 기판에 관계없이 Co/Ti 이중막을 사용하면 열적안정성이 향상되었다, 이는 평탄하고 깨끗한 기판 Si표면과 지연된 Co확산으로 인해,조성이 균일하고 계면이 평탄한 CoSi$_{2}$가 형성되었기 때문이다. $ CoSi_{2}$의 열적안정성에 가장 중요한 인자는 열처리 초기 처음 형성된 실리사이드의 조성 균일성과 기판과의 계면 평탄성이었다.

• 한국재료학회지
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• 제13권7호
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• pp.460-464
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• 2003

Ni and Ti films were deposited by the thermal evaporator, and then annealed in the N$_2$ ambient at 300-80$0^{\circ}C$ in a RTA(rapid thermal annealing) system. Four point probe, AEM, FESEM, AES, and XPS were used to study the effects of Ti-capping layers on the thermal stability of NiSi thin films. The Ti-capped NiSi was stable up to $700^{\circ}C$ for 100 sec. RTA, while the uncapped NiSi layers showed high sheet resistance after $600^{\circ}C$. These results were due to that the Ni in-diffusion and Si out-diffusion were retarded by the capping layer, resulting in the suppression of the formation of NiSi$_2$and Si grains at the surface.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권3호
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• pp.262-275
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• 1994

SiC/C계 경사기능재료를 화학기상증착법에 의하여 흑연기판위에 증착시키고자 하였다. 본 실험에서 경사기능재료의 최적증착조착조건은 온도 $1300^{\circ}C, H_2/[SiCl_4+CH_4]=10, CH_4/[$SiCl_4+CH_4]=0.5-0.6$이었다. 불연속적인 입력개시비의 변화에도 불구하고 연속적으로 조성이 변화된 경사기능재료를 얻을 수 있었으며, 명확한 계면이 존재하지 않는 연속적인 구조변화가 주사전자현미경 관찰로 확인되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.971-973
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• 1999

채널길이에 따른 n-채널과 p-채널 poly-Si TFT's를 제작하고 그 전기적 특성을 분석하였다. n-채널과 p-채널소자는 공통적으로 기생바이폴라트 랜지스터현상(parasitic bipolar transistor action)에 의한 kink 효과, 전하공유(charge sharing)에 의한 문턱전압의 감소, 소오스와 드레인 근처의 결함에 의한 RSCE(reverse short channel effect) 효과, 수직전계에 의한 이동도의 감소, 그리고 avalanche 증식에 의한 S-swing의 감소가 나타났다. n-채널은 p-채널 보다 더 큰 kink, 이동도, S-swing의 변화가 나타났으며, 높은 드레인 전압에서의 문턱전압의 이동은 avalanche 증식(multiplication)에 의한 것이 더 우세한 것으로 나타났다. 누설전류의 경우, 채널 길이가 짧아짐에 따라 n-채널은 큰 증가를 나타냈으나 p-채널의 경우는 변화가 나타나지 않았다.

• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.3-7
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• 1997

VO$_{2}$ 써모크로믹 원도우의 가시광 투과율을 높히기 위하여 내마모성이 우수한 SiO$_{2}$박막을 이용하여 AR(anti-rdflection)코팅을 하였다. 두가지 중요한 공정변수인 기판온도와 증착속도가 AR효과에 미치는 영향을 조사하였다. 그리고 SiO$_{2}$박막의 AR효과는 낮은 기판온도와 높은 증착속도에서 더 우수한 것으로 나타났으며, 이는 SiO$_{2}$AR 박막의 굴절율과 상관관계가 있는 것으로 나타났다. VO$_{2}$ 써모크로믹 유리 위에 SiO$_{2}$AR-코팅을 했을 때 약 30% 정도의 가시광 투과율의 향상이 있었다. 그리고 AR-코팅을 하지 않은 경우보다 더 뚜렷한 써모크로미즘을 나타냈다. 또한 천이온도는 7$0^{\circ}C$정도로 AR-코팅을 하지 않은 VO$_{2}$써모크로믹 유리의 경우와 같게 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제5권3호
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• pp.324-332
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• 1995

전자빔 증착법을 사용하여 Ti과 Co를 Si(100) 단결정, 다결정 Si 및 Si$O_{2}$기판에 증착한 후 90$0^{\circ}C$에서 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중박막으로부터의 실리사이드화 반응을 조사하였다. 단결정 시편의 경우 Ti의 두께를 5~6mm로 최소화함으로서 두께가 균일하고 기판과의 계면이 평탄하며 비저항이 낮고 열적 안정성이 높은 Co$Si_{2}$ 에피박막을 형성할 수 있었다. 그러나 다결정 시편에는 두께와 계면이 불균일하고 열적으로도 불안정한 다결정의 Co$Si_{2}$와 그 위에 두개의 Co-Ti-Si혼합층이 형성되었다. 한편 Si$O_{2}$ 우에 증착된 Co/Ti은 열처리를 하여도 확산하지 않고 그대로 남아 있어서, Co/Ti 이중박막의 Si$O_{2}$와의 반응성이 미약함을 보여 주었다.

• 한국재료학회지
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• 제16권10호
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• pp.614-618
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• 2006

The thermal stability of Cu/Ti(or Ta)/NiSi contacts was investigated. Ti(Ta)-capping layers deposited to form NiSi was utilized as the Cu diffusion barrier. Ti(Ta)/NiSi contacts was thermally stable upto $600^{\circ}C$. However when Cu/Ti(Ta)/NiSi contacts were furnace-annealed at $300{\sim}400^{\circ}C$ for 40 min., the Cu diffusion was found to be effectively suppressed, but NiSi was dissociated and then Ni diffused into the Cu layer to form Cu-Ni solutions. On the other hand, the Ni diffusion did not occur for the Al/Ti/NiSi system. The thermal instability of Cu/Ti(Ta)/NiSi contacts was attributed to the high heat of solution of Ni in Cu.

• 한국재료학회지
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• 제9권11호
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• pp.1117-1122
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• 1999

5~10nm 두께의 얇은 산화막 위에 $\alpha$-실리콘과 Co/Ti 이중막을 순차적으로 증착하고 급속열처리하여 코발트 폴리사이드 전극을 만든 후, SADS법으로 다결정 Si을 도핑하여 MOS 커패시터를 제작하였다. 이때 drive-in 열처리조건에 따른 커패시터의 C-V 특성과 누설전류를 측정하여, $\textrm{CoSi}_{2}$의 열적안정성과 도판트 (B 및 As)의 재분포가 Co-폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 700^{\circ}C$에서 60~80초간 열처리시, 다결정 Si층의 도핑으로 우수한 C-V 특성과 낮은 누설전류를 나타냈으나, 그 이상 장시간 또는 $900^{\circ}C$의 고온에서는 $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해에 따른 Co의 확산으로 전기적 특성이 저하되었다. SADS법으로 Co-폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 도판트가 다결정 Si층으로 충분히 확산되는 것뿐만 아니라, $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해를 억제하는 것이 매우 중요하다.