• 제목/요약/키워드: Sub-channel

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Mist-CVD법으로 증착된 다결정 산화갈륨 박막의 MOSFET 소자 특성 연구 (Characteristics of MOSFET Devices with Polycrystalline-Gallium-Oxide Thin Films Grown by Mist-CVD)

  • 서동현;김용현;신윤지;이명현;정성민;배시영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제33권5호
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    • pp.427-431
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    • 2020
  • In this research, we evaluated the electrical properties of polycrystalline-gallium-oxIde (Ga2O3) thin films grown by mist-CVD. A 500~800 nm-thick Ga2O3 film was used as a channel in a fabricated bottom-gate MOSFET device. The phase stability of the β-phase Ga2O3 layer was enhanced by an annealing treatment. A Ti/Al metal stack served as source and drain electrodes. Maximum drain current (ID) exceeded 1 mA at a drain voltage (VD) of 20 V. Electron mobility of the β-Ga2O3 channel was determined from maximum transconductance (gm), as approximately, 1.39 ㎠/Vs. Reasonable device characteristics were demonstrated, from measurement of drain current-gate voltage, for mist-CVD-grown Ga2O3 thin films.

황화 암모늄을 이용한 Al2O3/HfO2 다층 게이트 절연막 트랜지스터 전기적 및 계면적 특성 향상 연구 (Improvement of the carrier transport property and interfacial behavior in InGaAs quantum well Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors with sulfur passivation)

  • 김준규;김대현
    • 센서학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.266-269
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    • 2020
  • In this study, we investigated the effect of a sulfur passivation (S-passivation) process step on the electrical properties of surface-channel In0.7Ga0.3As quantum-well (QW) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with S/D regrowth contacts. We fabricated long-channel In0.7Ga0.3As QW MOSFETs with and without (NH4)2S treatment and then deposited 1/4 nm of Al2O3/HfO2 through atomic layer deposition. The devices with S-passivation exhibited lower values of subthreshold swing (74 mV/decade) and drain-induced barrier lowering (19 mV/V) than the devices without S-passivation. A conductance method was applied, and a low value of interface trap density Dit (2.83×1012 cm-2eV-1) was obtained for the devices with S-passivation. Based on these results, interface traps between InGaAs and high-κ are other defect sources that need to be considered in future studies to improve III-V microsensor sensing platforms.

AMC 기반 OFDMA 시스템에서 멀티미디어 서비스를 지원하기 위한 서브 채널 할당 방법 (Sub-channel Allocation Scheme for Multi-media Service in AMC-based OFDMA Systems)

  • 송우람;정조운;김동회
    • 방송공학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.178-188
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    • 2009
  • 본 논문에서는 AMC(Adaptive Modulation Coding) 기반 OFDMA 시스템에서 멀티미디어 서비스를 지원하는 모든 핸드오버 호와 신규 호 사용자들에 대하여 무선자원 할당의 기본 단위인 서브 채널의 효율적인 할당에 관한 방법을 제안한다. 먼저 셀 내에서는 단말들의 위치에 따라서 다른 변조 및 코딩 방식을 가지는 Multi-band 방식을 적용할 수 있다. 또한 기지국이 여러 개의 서브 채널로 구성되어 있는 OFDMA 시스템 환경에서 멀티미디어 서비스를 가지는 핸드오버 호 또는 신규 호들에 대하여 핸드오버 호와 실시간 서비스에 대한 우선 정책을 주는 서브 채널 할당 방법을 적용한다. 시뮬레이션 결과, 제안된 Multi-band 서브채널 할당 방식은 Single-band 서브채널 할당방식과 비교하여 핸드오버 호와 신규 호의 블럭킹 확률 측면에서 좋은 성능을 보여줌을 확인하였다.

채널 영역의 불균일 농도를 고려한 MOSFET 문턱전압 모델 (Threshold Voltage Model of the MOSFET for Non-Uniform Doped Channel)

  • 조명석
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제51권11호
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    • pp.517-525
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    • 2002
  • The channel region of seep-sub-micrometer MOSFET is non-uniformly doped with pocket implant. Therefore, the advanced threshold voltage model is needed to account for the Short-Channel Effect and Reverse-Short-Channel Effect due to the non-uniform doping concentration in the channel region. In this paper, A scalable analytical model for the MOSFET threshold voltage is developed. The developed model is verified with MEDICI and TSUPREM simulator.

GaAs MESFET의 채널전하에 의한 전기적 특성해석 (Electrical Characteristics of GaAs MESFET's Considering Channel Charge)

  • 원창섭;홍재일
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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    • pp.165-168
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    • 2005
  • In this paper, we examined channel charge which occurs in electron accumulation after electron velocity saturation. Generally, short gate GaAs MESFET show, saturated electron velocity leading to current satulation. When electron velocity is saturated, deletion layer is still open channel and it plays a key role in deciding saturation current mode we proposed channel charge model in channel after electron velocity saturation.

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128 채널 뇌파를 이용한 사이버멀미 평가법 개발 (Development of a Method of Cybersickness Evaluation with the Use of 128-Channel Electroencephalography)

  • 한동욱;이동현;지경하;안봉영;임현균
    • 감성과학
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    • 제22권3호
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    • pp.3-20
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    • 2019
  • 가상현실 기술이 발전하면서 다양한 영역에서 여러 목적으로 활용되고 있다. 하지만 사용자로부터 메스꺼움, 어지러움 등과 같은 멀미 증상에 대한 부작용도 함께 보고되고 있다. 이런 멀미 증상을 사이버멀미라고 말하며, 사용자에게 불편을 야기시켜 불쾌감과 스트레스와 같은 부정적 영향을 줄 수 있으며, 현재 사이버멀미의 발생 원인과 해결책에 관한 공식적인 표준이 없다. 본 연구에서는 이런 한계점을 극복하기 위해 정량적, 객관적 사이버멀미 평가법을 제안하였다. 10명의 20대 남성 대상으로 이동과 회전을 하는 가상현실을 경험하게 하면서 128채널의 뇌파를 측정하였다. 11개 영역에서 Delta와 Alpha 상대 파워를 계산하고, ROC curve를 통해 area under the ROC curve (AUC)가 가장 높은 값을 가지는 다중회귀모형을 도출하였다. 이렇게 도출한 다중회귀모형은 11개의 설명변수로 피험자가 응답한 사이버멀미의 정도와 비교하여 95.1 % (AUC = 0.951)의 정확성으로 사이버멀미를 구분하는 것이 가능함을 알 수 있었다. 이러한 결과를 정리하면 본 연구에서는 128 채널의 뇌파를 통해 멀미에 대한 객관적 반응을 확인하였으며, 뇌의 특정부위에서 반응이 있는 것으로 나타났다. 본 연구 결과와 분석법을 활용하면 추후 사이버멀미 관련 연구에 도움이 될 수 있을 것으로 기대된다.

얇은 게이트 산화막 $30{\AA}$에 대한 박막특성 개선 연구 (A study on Improvement of $30{\AA}$ Ultra Thin Gate Oxide Quality)

  • 엄금용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.421-424
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    • 2004
  • As the deep sub-micron devices are recently integrated high package density, novel process method for sub $0.1{\mu}m$ devices is required to get the superior thin gate oxide characteristics and reliability. However, few have reported on the electrical quality and reliability on the thin gate oxide. In this paper I will recommand a novel shallow trench isolation structure for thin gate oxide $30{\AA}$ of deep sub-micron devices. Different from using normal LOCOS technology, novel shallow trench isolation have a unique 'inverse narrow channel effects' when the channel width of the devices is scaled down shallow trench isolation has less encroachment into the active device area. Based on the research, I could confirm the successful fabrication of shallow trench isolation(STI) structure by the SEM, in addition to thermally stable silicide process was achiever. I also obtained the decrease threshold voltage value of the channel edge and the contact resistance of $13.2[\Omega/cont.]$ at $0.3{\times}0.3{\mu}m^2$. The reliability was measured from dielectric breakdown time, shallow trench isolation structure had tile stable value of $25[%]{\sim}90[%]$ more than 55[sec].

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장애물 감지용 24GHz 대역 패치 배열 안테나 설계 (Design of 24GHz Patch Array Antenna for Detecting Obstacles)

  • 이광;김영수
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.1075-1080
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    • 2021
  • 본 논문에서는 단일 측정 사이클 내에서 단일 물체의 범위와 속도를 동시에 측정하기 위한 근거리 차량용 레이더 시스템에 장착되는 24.4GHz 2채널 송신 및 4채널 수신 패치 배열 안테나를 Rogers사의 RO4350B(εr=3.48, 0.5T) 기판을 사용하여 설계·제작하였다. 측정을 통해 24.4GHz 주파수에서 안테나 이득( > 10dBi 이상) 및 복사패턴(Elevation HPBW > 10deg.)의 설계 사양을 만족하는 것을 확인하였다.

A Novel Active User Identification Method for Space based Constellation Network

  • Kenan, Zhang;Xingqian, Li;Kai, Ding;Li, Li
    • International Journal of Computer Science & Network Security
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    • 제22권12호
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    • pp.212-216
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    • 2022
  • Space based constellation network is a kind of ad hoc network in which users are self-organized without center node. In space based constellation network, users are allowed to enter or leave the network at any given time. Thus, the number of active users is an unknown and time-varying parameter, and the performance of the network depends on how accurately this parameter is estimated. The so-called problem of active user identification, which consists of determining the number and identities of users transmitting in space based constellation network is discussed and a novel active user identification method is proposed in this paper. Active user identification code generated by transmitter address code and receiver address code is used to spread spectrum. Subspace-based method is used to process received signal and judgment model is established to identify active users according to the processing results. The proposed method is simulated under AWGN channel, Rician channel and Rayleigh channel respectively. Numerical results indicate that the proposed method obtains at least 1.16dB Eb/N0 gains compared with reference methods when miss alarm rate reaches 10-3.

직접대역확산 방식의 시분할 다중접속 위성통신 제어채널 고속 부호동기 방법 (Fast code synchronization method of the DS-SS/TDMA control channel for satellite communication)

  • 류영재
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제4권1호
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    • pp.14-20
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    • 2009
  • 본 논문은 작전범위 내에 분포된 수백 대의 위성 단말의 상태를 제어, 감시하기 위한 DS-SS/TDMA 역방향 제어채널의 동기 구조 및 방법에 대하여 언급한다. 군용 위성은 전자전 기능 및 수백 대의 위성단말의 상태를 동시에 제어하기 위해 DS-SS/TDMA 방식의 제어채널이 필요하나 동기 시간이 긴 문제가 있다. 본 논문은 짧은 주기의 세부 Bin으로 구성된 프리앰블을 제어채널 데이터 앞부분에 삽입하고 각 세부 Bin을 병렬적으로 수신하는 정합 필터형태의 동기회로를 적용함으로서 심각한 재밍환경에서 수 ms이내에 대부분의 제어채널 패킷을 수신할 수 있는 제어채널 동기방법을 제안한다.

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