• 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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• 제32권8호
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• pp.819-833
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• 2005

하나의 instruction으로 여러 메모리 블록을 읽거나 쓰는 MLS(Multiple Load/store) 명령어를 사용하면 전체 코드에서 메모리 명령어의 수를 최소화해서 코드 사이즈를 축소할 수 있다. 이러한 장점 때문에 많은 마이크로 프로세서에서 이 명령어를 지원하고 있으나 현재까지 개발되어 있는 컴파일러들은 MLS 명령어의 장점을 효과적으로 이용하고 있지 못하고 있고 오직 제한적인 용도로 MLS 명령어를 사용하고 있다. 기존의 컴파일러에서 MLS 명령어를 효율적으로 지원하지 못하는 것은 일반적으로 MLS 명령어를 효과적으로 이용하기 위해서 해결해야 할 문제가 NP-hard의 범주에 속하기 때문이다. 이것은 stack frame에서 변수들에 대한 최적의 메모리 옵셋을 찾는 문제와 레지스터 할당에 관련된 복합적인 문제이다. 본 논문에서는 heuristic 기법을 효율적으로 이용하여 위에 언급된 문제를 polynomial time bound에 해결할 수 있는 기법을 제안한다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제15권12호
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• pp.93-100
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• 2010

본 논문에서는 병렬 TCAM을 기반으로 한 IP 주소 검색 구조에서 프리픽스를 신속하게 삭제하는 기법을 제안한다. 기존의 삭제 기법들은, 프리픽스의 순서 유지와 가용 메모리 공간의 연속성 유지를 위해 한 차례 이상의 메모리 이동을 필요로 하고 있다. 본 기법에서는 삭제 시 TCAM에서 실제 메모리를 이동하지 않고, SRAM으로 구현된 스택을 사용하여 삭제된 프리픽스의 주소를 이 스택에 저장한다. SRAM은 TCAM에 비해 접근시간이 매우 짧기 때문에, 제안된 기법이 신속한 갱신을 수행할 수 있다. 그리고 실제 사용되는 포워딩 테이블과 갱신 내용을 적용한 실험을 통해, 프리픽스 삽입과 삭제에 따른 메모리 접근 시간의 관점에서 제안된 기법의 성능을 평가한다. 또한 상대적으로 매우 작은 크기의 스택을 사용해도 좋은 성능을 나타내고 있음을 실험 결과를 통해 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2010

Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is one of the best semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. For the realization of high density MRAM, the etching of MTJ stack with good properties is one of a key process. Recently, there has been great interest in the MTJ stack using MgO as barrier layer for its huge room temperature MR ratio. The use of MgO barrier layer will undoubtedly accelerate the development of MTJ stack for MRAM. In this study, high-density plasma reactive ion etching of MgO films was investigated in an inductively coupled plasma of $Cl_2$/Ar gas mixes. The etch rate, etch selectivity and etch profile of this magnetic film were examined on vary gas concentration. As the $Cl_2$ gas concentration increased, the etch rate of MgO monotonously decreased and etch slop was slanted. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of MgO thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of MgO displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of MgO films was achieved using $Cl_2$/Ar plasma at the optimized etch conditions.

• 정보처리학회논문지:소프트웨어 및 데이터공학
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• 제7권8호
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• pp.307-324
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• 2018

최근 순환 신경 망(Recurrent Neural Networks)은 시간에 대한 의존성을 고려한 구조를 통해 순차 데이터(Sequential data)의 예측 문제 해결에서 각광받고 있다. 하지만 순차 데이터의 시간 스텝이 늘어남에 따라 발생하는 그라디언트 소실(Gradients vanishing)이 문제로 대두되었다. 이를 해결하기 위해 장단기 기억 모델(Long Short-Term Memory)이 제안되었지만, 많은 데이터를 저장하고 장기간 보존하는 데에 한계가 있다. 따라서 순환 신경망과 메모리 요소(Memory component)를 활용한 학습 모델인 메모리-증대 신경망(Memory-Augmented Neural Networks)에 대한 연구가 최근 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 딥 러닝(Deep Learning) 분야의 화두로 떠오른 메모리-증대 신경망 주요 모델들의 구조와 특징을 열거하고, 이를 활용한 최신 기법들과 향후 연구 방향을 제시한다.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제15권7호
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• pp.2434-2454
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• 2021

This paper developed the software testing factory-cloud testing platform (STF-CTP) to address the software compatible issues in various smart devices. Software developers who only require uploading the application under test (AUT) and test script can test plenty of smart devices in STF-CTP. The challenge for the cloud test platform is how to optimize the resource and increase the performance in the limited resource. This paper proposed a new scheduling mechanism and a new process of the system operation which is based on the OpenStack platform. We decrease about 40% memory usage of OpenStack server, increase 3% to 10% Android device usage of STF-CTP, enhance about 80% test job throughput and reduces about 40% test job average waiting time.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권7호
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• pp.30-36
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• 2011

많은 반도체 회사들이 메모리 층 사이에서 수직 버스의 역할을 하는 TSV를 사용한 3차원 메모리를 개발하고 있다. 3차원 메모리는 KGD로 이루어지며, 만약 추가 고장이 접합 공정 중에 발생한다면, 반드시 수리되어야 한다. 공유 예비 셀을 가지는 3차원 메모리의 수율을 증진시키기 위해서, 3차원 메모리 내의 메모리 다이를 효과적으로 적층하는 다이 매칭 방법이 필요하다. 본 논문에서는 공유 예비 셀을 가지는 3차원 메모리의 수율 증진을 위해 접합 공정에서 추가 고장이 발생하는 경우를 고려한 다이 매칭 방법을 제안한다. 세 가지 경계 제한 조건이 제안하는 다이 매칭 방법에서 사용된다. 이 조건은 3차원 메모리를 제작하기 위해 선택하는 메모리 다이의 검색 범위를 제한한다. 시뮬레이션 결과는 제안하는 다이 매칭 방법이 3차원 메모리의 수율을 크게 향상 시킬 수 있음을 보여 준다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.615-619
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• 2008

A molecular memory device which has a structure of Al/$Al_2O_3$/ASA-15 LB monolayer/Ti/Al device, was fabricated. To study a charge transfer mechanism of molecular memory devices, current density-voltage (J-V) characteristics were measured at an increasing temperature range from 10 K to 300 K with an interval of 30 K. Strong temperature-dependent electrical property and tunneling through organic monolayer at low bias (below 0.5 V) were appeared. These experimental data were fitted by using a theoretical formula such as the Simmons model. In comparison between the theoretical and the experimental results, it was verified that the fitting results using the Simmons model about direct tunneling was fairly fitted below 0.5 V at both 300 K and 10 K. Hopping conduction was also dominant at all voltage range above 200 K due to charges trapped by defects located within the dielectric stack, including the $Al_2O_3$, organic monolayer and Ti interfaces.

• 정보처리학회논문지A
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• 제13A권7호
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• pp.589-598
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• 2006

본 논문에서는 블루투스 무선 링크를 이용한 실시간 오디오 스트리밍을 위해 DSP를 내장한 SoC (System-on-Chip) 플랫폼 상에서 임베디드 블루투스 솔루션의 개발과 최적화에 대해 설명한다. 개발된 솔루션을 이식성을 고려해서 가상 운영체제 상에서 구현된 임베디드 블루투스 프로토콜 스택, 프로파일과 타겟 멀티미디어 SoC의 특성을 이용한 최적화 기법들을 포함한다. 수요 최적화 기법으로는 SoC 내의 스크래치 패드 메모리의 활용을 통한 메모리 접근 최소화, DSP 연산과 병렬 메모리 접근 명령을 이용한 코덱 구현, 무선 통신 환경을 고려한 동적 오디오 품질 조정 등이 있다. 실험 결과는 본 연구에서 제안한 최적화 기법을 적용한 임베디드 솔루션은 별도의 외부 메모리 없이 고품질 오디오 스트리밍을 지원할 수 있음을 보여준다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.822-827
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• 2000

The Si-SiO$_2$interface trap and nitride bulk trap distribution of SONOSFET(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor) NVSM (nonvolatile semiconductor memory) cell is investigated by single junction charge pumping method. The device was fabricated by 0.35㎛ standard logic fabrication process including the ONO stack dielectrics. The thickness of ONO dielectricis are 24$\AA$ for tunnel oxide, 74 $\AA$ for nitride and 25 $\AA$ for blocking oxide, respectively. By the use of single junction charge pumping method, the lateral profiles of both interface and memory traps can be calculated directly from experimental charge pumping results without complex numerical simulation. The interface traps were almost uniformly distributed over the whole channel region and its maximum value was 7.97$\times$10$\^$10/㎠. The memory traps were uniformly distributed in the nitride layer and its maximum value was 1.04$\times$10$\^$19/㎤. The degradation characteristics of SONOSFET with write/erase cycling also were investigated.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.1225-1228
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• 2005

This paper compares the differences between Java virtual machine and x86 processor in data transfer viewpoint. Memory models of JVM and x86 are analyzed and the data transfer paths are identified. As all operations must be performed to the values on operand stack, a great many data transfer operation is unavoidable in JVM. We also lists the number of data transfer operations necessary for executing some typical high-level language statements including assignment, arithmetic, conditional, and iterative statements.