• 전자공학회논문지A
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• 제32A권12호
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• pp.142-148
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• 1995

Sb ${\delta}$-doped Si layers were grown by Si MBE (Molecular Beam Epitaxy) system using substrate temperature modulation technique. The Si substrate temperatures were modulated between 350$^{\circ}C$ and 600$^{\circ}C$. The doping profile was as narrow as 41$\AA$ and the doping concentration of up to 3.5${\times}10^{20}cm^{3}$ was obtained. The film quality was as good as bulk material as verified by RHEED (Reflected High Energy Electron Diffraction), SRP (Spreading Resistance Profiling) and Hall measurement. Since the film quality is not degraded after the growth a Sb ${\delta}$-doped Si layer, the ${\delta}$-doped layers can be repeated as many times as we want. The doping technique is useful for many Si devices including small scale devices and those which utilize quantum mechanical effects.

• 정보와 통신
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• 제17권12호
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• pp.59-66
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• 2000

소자의 특성을 정확히 묘사하고 이를 회로설계에 사용하기 위해서는 정확한 모델링과 이에 관련된 모델변수를 정확히 추출하는 것이 중요하다. 특히, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 SiGe HBT를 비롯한 이종접합 트랜지스터의 베이스 저항은 베이스 단자로부터 전류가 에미터-베이스의 접합면을 향해 퍼져 들어가기 때문에 이 전류가 겪는 저항 성분(spreading resistance)은 하나의 고정값으로 구할 수가 없으며 전류값에 따라 그 효과가 민감하게 변하게 된다. 이와 같은 이유로 다른 어떠한 모델변수들 보다 베이스 저항 모델변수의 정확한 추출이 매우 어렵다. 본 논문에서는 DC에서 측정된 베이스 저항값을 기본으로 하여 베이스 저항 모델변수들을 정확하고 체계적으로 추출하는 방법에 관하여 논의한다. 본 논문의 베이스 저항 관련 모델변수들의 추출에는 한국전자통신연구원에서 개발한 SiGe HBT 소자를 사용하였으며, 또한 모델 변수 추출은 SILVACO사의 UTMOST III 컴퓨터 프로그램을 이용하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권9호
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• pp.881-888
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• 1997

This study demonstrats the profiles of phosphorus ions in silicon by MeV implantation(1∼3 MeV). Implanted profiles could be measured by SIMS(Cameca 4f) and compared with simulation results(TRIM program and analytical description method only using on Pearson function). The experimental result in the peak concentration region has a little bit deviation from simulation data. By RBS and Channeling measurements the defect distribution of implanted samples could be measured and spectrum are calibrated depth with RUMP simulation By XTEM measurement the thickness of defect zone also could be measured. Finally thermal annealing for the electrical activation of implanted ions carried out by RTA(rapid thermal annealing). The concentration-depth profiles after heat treatment was measured by SR(spreading resistance)-method.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제5권1호
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• pp.13-17
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• 1977

한국야쿠르트 제조공장의 배수중에 존재하는 L. casei 숙주로 하는 Lactobacillus phage J$_1$계의 분포를 조사한 결과는 다음과 같다. 1. 공장의 배수중의 J$_1$계 phage에는 Type I, II, III, IV가 존재하고 있었으며 분포순위로 보면 Type IV>Type II>Type I>Type III 이었 다. 2. 공장배수중의 phage는 역성비누를 격포하여 완전히 제거되었다. 3. 각종 소독제의 Phage에 대한 살균핵과는 염소수, 역성비누, 크레졸이 가장 강력한 효력을 나타내었고, isopropyl alcohol, ethyl alcohol등은 살균력이 미약하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권3호
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• pp.46-55
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• 1998

This stud demonstrates the profiles of heavy ions (As, Sb) in silicon by high energy (1~10 MeV) implantation. Implanted profiles were measured by SIMS (Cameca 4f) and compared with simulation results (TRIM) program and analytical description method using Pearson function). The experimental results have a little bit deviation with simulation data in the case of As high energy implatation. But in the case of Sb, the experimental results are in good agreement with TRIM data. SIMS profiles are perfectly fitted with a analytical description method only using one pearson function in Sb implantation. but in the case of As, fitted profilesshow with a little bit deviations by channeling effects of SIMS profiles. Thermal annealing for electrical activation of implanted ions was carried out by furnace annealing and RTA(Rapid Thermal Annealing). Concentration-depth profile after heat treatement were measured by SR(Spreading Resistance) method.

• 대한설비공학회:학술대회논문집
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• 대한설비공학회 2007년도 동계학술발표대회 논문집
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• pp.640-645
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• 2007

An experimental apparatus to show the hot spot cooling of an IC chip using a thermoelectric cooler is developed. The spot heating in very small area is achieved by the applying CO$_2$ laser source and temperatures are measured using miniature thermocouples. The active effects of thermoelectric cooler on the hot spot cooling system such as rapid heat spreading in the chip and lowering the peak temperature around the hot spot region are investigated. The experimental results are simulated numerically using the TAS program, which the performance characteristics such as Seebeck coefficient, electrical resistance and thermal conductivity of the thermoelectric cooler are searched by trial and error. Good agreements are obtained between numerical and experimental results if the appropriate performance data of the thermoelectric cooler are given.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권4호
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• pp.263-270
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• 2020

In this study, the physical mechanism and diffusion effects in aluminium implanted silicon was investigated. For fabricating power semiconductor devices, an aluminum implantation can be used as an emitter and a long drift region in a power diode, transistor, and thyristor. Thermal treatment with O₂ gas exhibited to a remarkably deeper profile than inert gas with N₂ in the depth of junction structure. The redistribution of aluminum implanted through via thermal annealing exhibited oxidation-enhanced diffusion in comparison with inert gas atmosphere. To investigate doping distribution for implantation and diffusion experiments, spreading resistance and secondary ion mass spectrometer tools were used for the measurements. For the deep-junction structure of these experiments, aluminum implantation and diffusion exhibited a junction depth around 20 ㎛ for the fabrication of power silicon devices.

• 한국식물병리학회지
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• 제14권6호
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• pp.563-566
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• 1998

Two soybean cultivars, Kwanggyo and Hwanggeum (soybean mosaic potyvirus (SMV)-resistant cultivars), that had been inoculated with a virulent strain (G-5H, 4) of soybean mosaic potyvirus produced necrotic lesions on inoculated leaves as well as on upper trifoliate leaves. Cells in the lesion area contained sparse numbers of virus particles and very few characteristic pinwheel inclusions. Although a hypersensitive-like cellular response occurred in the two resistant cultivars, this response did not prevent the virus from spreading systemically in these resistant hosts, indicating a different mechanism from the general hypersensitive reaction in relation to host resistance.

• 원예과학기술지
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• 제30권1호
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• pp.93-96
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• 2012

1999년 'Bristol Fairy' 유래의 결실되는 아조변이체인 'Gyp99' 계통을 선발하였고, 계통의 실생 중 선발을 거듭한 결과, 특성이 우수한 'Gyp08-63' 계통을 선발하여 2년간 특성검정을 통해 'Double Shine' 품종을 육성하였다. 'Double Shine' 품종의 초형은 개장형이고, 잎 모양은 둥근 피침형, 소화는 꽃잎수가 많고 암술이 2개인 밝은 백색 겹꽃으로 꽃잎은 주걱형, 꽃받침 모양은 컵형인 식물체 고유 특성을 가졌다. 또한 화경이 단단하고, 흰가루병과 충해에도 강한 편이다. 여름절화 작형에서 'Double Shine' 개화는 대조품종인 'Bristol Fairy'보다 16일 늦고 절간장과 화경장이 길었으며, 측지 분화가 많고 줄기가 굵고 분지각은 작았고, 기형화 발생이 없었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제39권4호
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• pp.432-436
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• 2015

본 연구에서는 해수를 활용하여 수동적으로 냉각되는 폴리머 히트싱크의 열성능을 전산적으로 탐구한다. 폴리머 히트싱크는 폐열회수를 위한 열전생성기의 저온면의 냉각모듈로 제안되었고, 상세한 수치연구를 위해 3차원 전산유체역학 모델링이 수행되었다. 폴리머 히트싱크의 기본 소재로 polyphenylene sulfide (PPS)와 pyrolytic graphite (PG)가 선택되었고, 전산연구는 다양한 휜 수와 휜 두께에서 PPS와 PG 히트싱크의 성능을 결정하고, 이 결과는 알루미늄 (Al)과 티타늄 (Ti) 히트싱크와 비교된다. 연구결과는 PG 히트싱크가 Ti 히트싱크 보다 3~4배 열성능이 우수함을 보이는데, 이 결과는 Ti 히트싱크보다 더 우수한 PG 히트싱크의 열확산에 기인한 것으로 보인다. 연구결과에 의하면 PG 히트싱크의 열성능에 대한 휜 수 증가의 효과가 PPS와 Ti 히트싱크 경우와는 상반됨을 보이는데, 이는 휜 수 증가에 대한 열확산, 표면적 증대, 유동저항의 상관관계로 설명이 가능하다.