• 제목/요약/키워드: Si target

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DC/RF Magnetron Co-Sputter를 이용하여 성막한 유기 태양 전지용 Si-Doped $In_2O_3$ (ISO) 박막의 특성 연구

  • 이혜민;강신비;정권범;김한기
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.327-327
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    • 2013
  • 본 연구에서는 $SiO_2$ Target과 $In_2O_3$ Target으로 co-sputtering방법을 이용해 증착한 Si-doped $In_2O_3$ (ISO) 박막의 Si 도핑 농도에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 연구하였고, 이를 유기태양 전지(OPVs) 에 적용함으로써 그 가능성을 타진하였다. $In_2O_3$ target의 DC power를 100 W로 고정시킨 채 $SiO_2$ target의 RF power 크기를 20~60 W 변화시키면서 상온에서 실험을 진행한 결과 최적 조건은 박막의 두께가 200 nm일 때 Working pressure는 3 mTorr이고, RF power는 50 W이었다. 이 조건으로 제작된 ISO 박막은 550 nm에서 81.51%의 광투과율과 51.91 Ohm/sq.의 비교적 낮은 면저항이 나타남을 Hall measurement 및 UV/Vis spectroscopy 분석을 통해 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 분석법과 Transmission Electron Microscope 분석법을 통해 $SiO_2$ 도핑 power가 50 W 이상으로 증가할 경우 ISO 박막의 결정성이 감소하여 완벽한 비정질상의 ISO 투명박막이 형성됨을 확인할 수 있었다. 비정질 특성을 갖는 ISO 투명 전극을 이용하여 유기 박막형 태양전지를 제작한 결과 Voc (0.576 V), Jsc (7.671 mA/$cm^2$), FF (62.96%), PCE (2.78%)의 특성을 나타냄으로서 co-sputtering 공정을 통해 최적화된 ISO 박막을 유기 박막형 태양전지에 적용함으로써 광전소자로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.

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An in-silico approach to design potential siRNAs against the ORF57 of Kaposi's sarcoma-associated herpesvirus

  • Rahman, Anisur;Gupta, Shipan Das;Rahman, Md. Anisur;Tamanna, Saheda
    • Genomics & Informatics
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    • 제19권4호
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    • pp.47.1-47.12
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    • 2021
  • Kaposi's sarcoma-associated herpesvirus (KSHV) is one of the few human oncogenic viruses, which causes a variety of malignancies, including Kaposi's sarcoma, multicentric Castleman disease, and primary effusion lymphoma, particularly in human immunodeficiency virus patients. The currently available treatment options cannot always prevent the invasion and dissemination of this virus. In recent times, siRNA-based therapeutics are gaining prominence over conventional medications as siRNA can be designed to target almost any gene of interest. The ORF57 is a crucial regulatory protein for lytic gene expression of KSHV. Disruption of this gene translation will inevitably inhibit the replication of the virus in the host cell. Therefore, the ORF57 of KSHV could be a potential target for designing siRNA-based therapeutics. Considering both sequence preferences and target site accessibility, several online tools (i-SCORE Designer, Sfold web server) had been utilized to predict the siRNA guide strand against the ORF57. Subsequently, off-target filtration (BLAST), conservancy test (fuzznuc), and thermodynamics analysis (RNAcofold, RNAalifold, and RNA Structure web server) were also performed to select the most suitable siRNA sequences. Finally, two siRNAs were identified that passed all of the filtration phases and fulfilled the thermodynamic criteria. We hope that the siRNAs predicted in this study would be helpful for the development of new effective therapeutics against KSHV.

고온 액상 성형용 금형 수명 향상을 위한 TiAlCrSiN 코팅의 특성 (Characteristics of TiAlCrSiN coating to improve mold life for high temperature liquid molding)

  • 여기호;박은수;이한찬
    • 한국표면공학회지
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    • 제54권5호
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    • pp.285-293
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    • 2021
  • High-entropy TiAlCrSiN nano-composite coating was designed to improve mold life for high temperature liquid molding. Alloy design, powder fabrication and single alloying target fabrication for the high-entropy nano-composite coating were carried out. Using the single alloying target, an arc ion plating method was applied to prepare a TiAlCrSiN nano-composite coating had a 30 nm TiAlCrSiN layers are deposited layer by layer, and form about 4 ㎛-thickness of multi-layered coating. TiAlCrSiN nano-composite coating had a high hardness of about 39.9 GPa and a low coefficient of friction of less than about 0.47 in a dry environment. In addition, there was no change in the structure of the coating after the dissolution loss test in the molten metal at a temperature of about 1100 degrees.

FBAR용 $ZnO/AZO/SiO_2/Si$ 박막의 결정학적 특성에 관한 연구 (Crystallography properties of $ZnO/AZO/SiO_2/Si$ thin film for FBAR)

  • 강태영;금민종;손인환;김경환
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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    • pp.880-883
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    • 2003
  • ZnO thin films for Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR) were prepared by FTS (Facing Target Sputtering) system. The FTS methode enable to generate high density plasma, and it has a high deposition rate at 1mTorr pressure. Therefore, the ZnO thin films were deposited on $AZO/SiO_2/Si$ substrates with oxygen gas flow rate, and the other sputtering conditions were fixed such as a sputtering current of 0.8A, a substrate temperature at room temperature. AZO bottom electrode were deposited on $SiO_2/Si$ substrate and by Zn:Al(Al:2wt%) metal target. ZnO thin film thickness and the c-axis preferred orientation of ZnO thin film were evaluated by ${\alpha}-step$ and XRD.

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FTS 장치를 이용한 가스 차단막용 SiOx 및 SiOxNy 박막의 공정특성 (Process Characteristics of SiOx and SiOxNy Films on a Gas Barrier Layer using Facing Target Sputtering (FTS) System)

  • 손진운;박용진;손선영;김화민
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권12호
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    • pp.1028-1032
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    • 2009
  • In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.

Composite target으로 증착된 Ti-silicide의 형성에 관한 연구(I) (The Study of Formation of Ti-silicide deposited with composite target(I))

  • 최진석;강성건;황유상;백수현;김영남;정재경;문환구;심태언;이종길
    • 한국재료학회지
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    • 제1권3호
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    • pp.168-174
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    • 1991
  • Ti-Silicides를 single-Si wafer와 그 위에 oxide를 성장시킨 기판위에 composite target($TiSi_{2.6}$)을 sputtering함으로써 증착시켰다. 증착된 비정질 상태의 Ti-silicide는 급속 열처리(RTA)방법으로 $600^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$가지 20초간 처리하였다. RTA온도가 $800^{\circ}C$가 되어서야 비로소 안정한 $TiSi_2$가 형성되었으며, 그 때의 비저항 값은 $27~29{\mu}\Omega-cm$로 Ti-metal reactive방법에 의한 $TiSi_2$보다 약간 높은 값으로 드러났다. X-ray로 상천이를 조사한 결과 역시 $750^{\circ}C$가지 C49 $TiSi_2$가 형성되고, $800^{\circ}C$가 되어서야 안정한 C54 $TiSi_2$로의 상천이가 일어남을 나타내고 있다. 또한 완전히 형성된 Ti-silicide의 조성비는 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)결과에서 Ti : Si이 1 : 2로 드러났으며, 그 동안 reactive 시켰을 때 $TiSi_2$의 단점으로 지적되어 왔던 형성 완료된 $TiSi_2$의 surface roughness는 $17{\pm}1mm$이내로 매우 우수한 값으로 판명되어, device에 대한 응용 가능성을 높이고 있다.

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폴리디메틸실록산(PDMS)을 이용한 그래핀 전사법 개선을 위한 계면처리 연구 (Improvement of PDMS graphene transfer method through surface modification of target substrate)

  • 한재형;최무한
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제32권2호
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    • pp.232-239
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    • 2015
  • 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 Cu-foil 위에 합성된 대면적의 단층 그래핀(Graphene)을 폴리머 탄성융합체 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 이용하여 건식으로 전사하는 기술을 연구하였다. 이때, $UV/O_3$처리를 통해 목표 기판(target substrate)의 표면 개질을 변화시켜 그래핀의 손상이 최소화되로록 그래핀을 전사하였다. 이 과정을 반복 실행하여 그래핀을 다층(1~4 layers)으로 $SiO_2/Si$기판 위에 적층하였으며, 전사된 다층 그래핀의 품질평가를 위하여 광투과율과 면저항의 변화를 측정하였다.

Stability of Sputtered Hf-Silicate Films in Poly Si/Hf-Silicate Gate Stack Under the Chemical Vapor Deposition of Poly Si and by Annealing

  • Kang, Sung-Kwan;Sinclair, Robert;Ko, Dae-Hong
    • 한국세라믹학회지
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    • 제41권9호
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    • pp.637-641
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    • 2004
  • We investigated the effects of SiH$_4$ gas on the surface of Hf-silicate films during the deposition of polycrystalline (poly) Si films and the thermal stability of sputtered Hf-silicate films in poly Si/Hf-silicate structure by using High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Hf-silicate films were deposited by using DC-mag-netron sputtering with Hf target and Si target and poly Si films were deposited at 600$^{\circ}C$ by using Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) with SiH$_4$ gas. After poly Si film deposition at 600$^{\circ}C$, Hf silicide layer was observed between poly Si and Hf-silicate films due to the reaction between active SiH$_4$ gas and Hf-silicate films. After annealing at 900$^{\circ}C$, Hf silicide, formed during the deposition of poly Si, changed to Hf-silicate and the phase separation of the silicate was not observed. In addition, the Hf-silicate films remain amorphous phase.

효과적인 siRNA의 디자인 (Designing An Effective siRNA)

  • 구남진;조광휘
    • Bioinformatics and Biosystems
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    • 제2권1호
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    • pp.17-23
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    • 2007
  • Short interfering RNA(siRNA)는 특별한 gene의 발현을 막는데 사용될 수 있고 그 gene의 기능과 치료의 적용에 많은 가능성을 가지고 있지만, 효과적인 siRNA를 디자인하는 방법은 아직까지 명확하지 않다. 효과적인 siRNA는 서열적인 경향을 가지고 있는데 낮은 G/C content, Sense strand의 3' 끝에 적은 안정성과 1번 위치에는 G/C, 19번 위치에는 A/U의 존재 여부를 들 수 있다. 이러한 특성 말고도 최근에는 mRNA의 2차구조가 RNAi 작용에 중요한 역할을 하게 되는데 복잡한 구조(hairpin, multi loop)를 가지고 수소결합을 많이 하여 안정한 상태에 있는 부분은 siRNA의 기능을 크게 줄어들게 한다. 또한, siRNA가 특정한 mRNA에 작동하도록 BLAST 검색을 하여 부작용의 가능성을 배제한다.

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