• Title/Summary/Keyword: Si 나노구조

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나노 입자 분산 레진의 임프린트 공정을 통한 기능성 패턴 제작

  • Jo, Han-Byeol;Byeon, Gyeong-Jae;O, Sang-Cheol;Lee, -Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.31.1-31.1
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    • 2011
  • 현재 발광 소자, 태양전지, 디스플레이 등의 산업 분야에서는 저반사 나노 패턴, 광결정 패턴, 초소수성 나노 구조 등을 적용하여 소자의 효율을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 하지만 이러한 기능성 패턴 제작을 위해서는 기능성 소재의 증착, 노광 공정, 식각 등의 복잡하고 고가인 공정이 필요하기 때문에 실제 적용이 어려운 한계가 있다. 이에 본 연구에서는 나노 입자가 분산된 레진을 직접 임프린팅하는 저비용의 간단한 공정으로 나노 크기에서 마이크론 크기에 이르는 다양한 기능성 패턴을 제작하였다. 구체적으로, ZnO 나노 입자를 PMMA 레진에 분산하여 나노 입자 솔루션을 제작하였고 열경화 임프린트 공정을 통해서 Si 및 글래스 기판 위에 micron 및 sub-micron 급의 격자 패턴을 형성하였다. 이후 레진에 포함되는 ZnO 나노 입자 함량비에 따른 굴절률 및 투과도와 표면 거칠기에 따른 접촉각 측정을 통해서 기능성 패턴의 광학특성 및 표면특성을 분석하였다.

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Analysis of Effect of Surface Modified Silica Nanofluid Injection on Carbonate Rock (탄산염암 내 표면개질된 실리카 나노유체 주입 효과 분석)

  • Jang, Hochang
    • Journal of the Korean Institute of Gas
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    • v.26 no.2
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    • pp.1-8
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    • 2022
  • The purpose of this study is to prepare GPTMS((3-Glycidoxypropyl) trimethoxysilane)-SiO2 nanofluid and analyze the effect of nanofluid injection on carbonate reservoirs. Structural analysis of silica nanoparticles modified by GPTMS was investigated by FTIR(Fourier transform infrared spectroscopy). C-H stretching vibrations at 2,950 cm-1 indicating the silica surface modification with GPTMS were observed when the silane feed was over 0.5 mmol/g. Also, the coreflooding test by nanofluid injection on the aged limestone and dolomite plug samples was carried out with different particle concentration and flow rate. The incremental oil recovery was up to 18.9%, and contact angle and permeability of carbonate samples were changed by the effect of nanoparticle adsorption on pore which caused wettability alteration and pore size change. Therefore, the prepared nanofluid will be utilized as an injection fluid for enhancing oil recovery and modifying fluid flow properties such as change of rock wettability and permeability in carbonate reservoirs.

표면 Texture 및 나노 Particle 공정에 의한 III-V 태양전지의 효율 변화

  • Sin, Hyeon-Uk;O, Si-Deok;Lee, Se-Won;Choe, Jeong-U;Sin, Jae-Cheol;Kim, Hyo-Jin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.320-320
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    • 2012
  • III-V 화합물 태양전지는 실리콘, CdTe, CIGS, 염료, 및 유기 등 다른 태양전지에 비해 1sun 상 30% 이상의 고효율을 갖고 있고 앞으로도 계속 증가할 수 있는 가능성을 갖고 있다. 그 이유는 직접천이형 밴드갭, 높은 이동도 등의 고성능 물질특성과 더불어 3족과 5족의 비율을 조절함으로써 같은 결정구조를 갖고 에너지 밴드갭이 다른 물질들을 만들기에 용의하여, 태양전지 스펙트럼의 넓은 영역을 흡수할 수 있는 장점이 있기 때문이다. 그러나, 셀자체의 물질이 실리콘에 비하여 고가이므로, 고성능이 요구되는 우주 인공위성등에 적용이 되었지만, 2000년대 이후로 집광에 적용가능한 태양전지의 연구를 거듭하여 2005년부터는 값싼 프레넬 렌즈를 이용하여 1sun에 비해 500배 해당하는 빛을 셀에 집광하여 보다 효율을 증가시킴으로써 지상발전용에도 적용가능한 셀을 형성하게 되었다. 더불어 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 개선된 구조적 변화의 시도도 많이 이루어지고 있다. 최근 보고에 의하면 실리콘 태양전지의 표면에 texture 또는 나노 구조를 주어 높은 흡수율과 낮은 반사율을 갖게 함으로써 효율을 증가시키는 사례가 많아지고, III-V 화합물 태양전지도 texturing에 의해 증가된 효율을 발표한바 있다. 본 연구에서는 태양전지의 효율을 증가시키기 위하여 III-V 화합물 태양전지 표면에 micro-hole array texture 구조를 형성한 후 나노 particle을 이용한 나노 texture 구조를 형성하였다. Photo-lithography와 chemical wet etching으로 micro-hole array texture 구조를 형성하였으며 micro-hole의 직경은 $5{\sim}20{\mu}m$, hole과 hole의 간격은 $3{\sim}15{\mu}m$로 다양하게 변화를 주었다. 형성된 micro-hole array texture 구조위에 수십 nm 크기의 particle을 만들어 chemical wet etching으로 나노 texture 구조를 형성하였다. 태양전지 표면에 texture 구조가 있는 경우와 없는 경우에 각각 효율을 측정, 비교 분석하였다.

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Variation in the Nanostructural Features of the nc-Si:H Thin Films with Substrate Temperature (수소화된 나노결정 실리콘 박막의 기판온도에 따른 나노구조 변화)

  • Nam, Hee-Jong;Son, Jong-Ick;Cho, Nam-Hee
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.23 no.7
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    • pp.359-365
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    • 2013
  • We investigated the nanostructural, chemical and optical properties of nc-Si:H films according to deposition conditions. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) techniques were used to produce nc-Si:H thin films. The hydrogen dilution ratio in the precursors, [$SiH_4/H_2$], was fixed at 0.03; the substrate temperature was varied from room temperature to $600^{\circ}C$. By raising the substrates temperature up to $400^{\circ}C$, the nanocrystalite size was increased from ~2 to ~7 nm and the Si crystal volume fraction was varied from ~9 to ~45% to reach their maximum values. In high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) images, Si nanocrystallites were observed and the crystallite size appeared to correspond to the crystal size values obtained by X-ray diffraction(XRD) and Raman Spectroscopy. The intensity of high-resolution electron energy loss spectroscopy(EELS) peaks at ~99.9 eV(Si $L_{2,3}$ edge) was sensitively varied depending on the formation of Si nanocrystallites in the films. With increasing substrate temperatures, from room temperature to $600^{\circ}C$, the optical band gap of the nc-Si:H films was decreased from 2.4 to 1.9 eV, and the relative fraction of Si-H bonds in the films was increased from 19.9 to 32.9%. The variation in the nanostructural as well as chemical features of the films with substrate temperature appears to be well related to the results of the differential scanning calorimeter measurements, in which heat-absorption started at a substrate temperature of $180^{\circ}C$ and the maximum peak was observed at ${\sim}370^{\circ}C$.

Effect of N2 flow rate on growth and photoluminescence properties of GaN nanorods grown by using molecular beam epitaxy (분자선 에피택시를 이용하여 GaN 나노로드를 성장시 구조 및 광학적인 특성에 미치는 N2의 양의 효과)

  • Park, Y.S.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.16 no.4
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    • pp.298-304
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    • 2007
  • We have studied the effect of $N_2$ flow rate on the structural and optical properties of GaN nanorods grown on (111) Si substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular-beam epitaxy. The hexagonal shape nanorods with lateral diameters from 80 to 190 nm with increasing $N_2$ flow rate from 1.1 to 2.0 sccm are obtained. However, the ratio of length (thickness) and compact region increases with increasing $N_2$ flow rate up to 1.7 sccm and then saturate. From the photoluminescence, free exciton transition is clearly observed for GaN nanorods with low $N_2$ flow rate. And the PL peak energies are blue-shifted with decreasing diameter of the GaN nanorods due to size effect. Temperature-dependent photoluminescence spectra for the nanorods with $N_2$ flow rate of 1.7 sccm show an abnormal behavior like "S-shape" with increasing temperature.

The Effects of Substrate Temperature on Properties of Carbon Nanotube Films Deposited by RF Plasma CVD (RF Plasma CVD법에 의해 증착된 카본나노튜브(CNT)의 특성에 대한 기판 온도의 영향)

  • Kim, Dong-Sun
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.46 no.1
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    • pp.50-55
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    • 2008
  • Carbon Nanotube (CNT) films were deposited with varying deposition temperature by RF plasma CVD on Fe catalysts deposited onto $SiO_2$ films grown thermally on the silicon wafer using $C_2H_2$ and $H_2$ gases. The Fe catalysts on silicon oxide film were made by RF magnetron sputtering. The grounded grid mesh cover on the substrate holder was used for depositing CNT thin films with high purity. The surface morphologies and chemical structure of deposited CNT films were characterized using SEM, Raman, XPS and TEM. It was observed that deposited CNTs films were carbon fiber type having Bamboo-like multiwall structure and CNT film grown at $600^{\circ}C$ was more dense than that at $550^{\circ}C$, but become less dense at $650^{\circ}C$.

합금화된 단일타겟을 마그네트론 스퍼터를 이용하여 합성된 나노복합구조 Al-Ti-X-N (X=Si,Cu,Cr) 코팅의 기계적 특성

  • Jeong, Deok-Hyeong;Lee, Han-Chan;Sin, Seung-Yong;Mun, Gyeong-Il
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.281-281
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    • 2011
  • 산업 환경에서 친환경 및 에너지효율성을 중요한 조건이 되면서 고효율성 및 다기능을 가진 재료에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 특히 Al-Ti-N 코팅은 이미 경도 측면에서 우수 하여 고속 공구 부품에 널리 사용되고 있고 최근에 Al-TiN에서 Si 첨가는 40GPa이상의 고경도와 1000도 이상의 산화온도를 지닌 나노 혼합물 코팅을 형성 시키는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서 Al-Ti에 Si, Cu, Cr 을 첨가하였을 때 코팅을 형성하였을 때 바뀌는 물성 변화을 확인하였다. 이러한 연구를 위해 Al-Ti 합금 조성 중 가장 우수한 것으로 알려진 60:40으로 타겟을 만들어 스퍼터 장비를 이용해 코팅을 형성하여 기초 실험을 진행하였다. 그 근거로 하여 3원계인 Si, Cu, Cr 을 첨가하여 각각의 단일 타겟으로 만들고 코팅을 형성하였다. 타겟과 코팅의 성분이 동일한지 확인하기 위해 EPMA분석을 하였고 그 결과 오차 범위 내에 동일한 것으로 확인하였다. 또 내산화성 테스트를 위해 400도에서 1000도로 가열된 대기 중에 코팅 층을 1시간씩 노출시키는 공정을 통해 확인하였고 내식성 테스트는 SUS 304계열 위에 코팅을 하여 Potentiodynamic polarization scan 장비로 비교해 보았다. 표면경도는 3원계 코팅인 경우 질소비율이 증가할수록 30GPa ~ 35GPa까지 증가하였고 XRD 분석 결과와 비교 시 (111), (200) peak가 명확할수록 경도 값이 높은 것으로 확인하였다. 마모테스트 결과 3원계인 코팅 층이 dry상태에서 감소하는 경향을 보였다. 특히 0,26까지 감소한 Si 을 첨가한 코팅 층은 H/E지수도 좋아 마모트랙의 길이도 짧아 우수한 것으로 알 수 있었다. 이런 결과에서 보듯 3원소 이상 첨가 시 특성변화가 차이가 있다는 것을 알 수 있었다.

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Fabrication of Core-Sheath Nanocomposite Fibers by Co-axial Electrospinning (공축 전기방사를 이용한 Core-Sheath형 복합나노섬유의 제조)

  • Kang, Minjung;Lee, Seungsin
    • Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles
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    • v.37 no.2
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    • pp.224-234
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    • 2013
  • This study investigates the fabrication of core-sheath nanocomposite fibers by locating germanium (Ge) and silicon dioxide ($SiO_2$) nanoparticles selectively in the sheath layer by co-axial electrospinning. Co-axially spun fibers were prepared by electrospinning a pure PVA solution and Ge/$SiO_2$/PVA solution as the core and sheath layer, respectively. Core-sheath nanocomposite fibers were electrospun under a variety of conditions that include various feed rates for the core and sheath solutions, voltages, and concentric needle diameters, in order to find an optimum spinning condition. Ge/$SiO_2$ nanocomposite fibers were also prepared by uniaxial electrospinning to compare fiber morphology and nanoparticle distribution with core-sheath nanofibers. Using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and energy dispersive X-ray analysis, it was demonstrated that the co-axial approach resulted in the presence of nanoparticles near the surface region of the fibers compared to the overall distribution obtained for uni-axial fibers. The co-axially electrospun Ge/$SiO_2$/PVA nanofiber webs have possible uses in high efficiency functional textiles in which the nanoparticles located in the sheath region provide enhanced functionality.

Effect of nitrogen content in the gas mixture of $CH_4+H_2+N_2$ on the growth of CNT (탄소나노튜브 성장시 $CH_4+H_2+N_2$의 혼합 기체내 질소함량의 영향)

  • 양윤희;이병수
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.03a
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    • pp.42-42
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    • 2003
  • Ni/Si 기판상에 CH$_4$, H$_2$, $N_2$의 혼합기체를 사용하여 $700^{\circ}C$에서 5분 동안 MPECVD법으로 탄소나노튜브 성장시켰다. 이 과정에서 CH$_4$, H$_2$에 대한 $N_2$의 유량비를 여러 가지 값으로 변화시켜 그 성장 양상을 살펴보았다. 혼합기체 내 질소의 함량에 따라 나노튜브의 성장길이와 quality가 달라짐을 SEM과 Raman spectroscopy 측정을 통하여 확인하였다. 나노튜브의 성장 시 혼합기체 내 주입하는 질소량에 의해 나노튜브의 성장길이가 변화됨을 SEM을 통해 관찰할 수 있었고 혼합기체 내 질소의 비율이 커질수록 carbonaceous particle 등의 감소로 인한 나노 튜브의 quality가 향상됨을 Raman spectra를 통해 확인할 수 있었다. 또한 TEM과 SEM 관찰을 통해 성장된 탄소나노튜브가 대나무(bamboo) 구조를 가진 수직 배향된 다중벽 탄소나노튜브임을 확인하였다.

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Characterization of SiC nanowire Synthesized by Thermal CVD (열 화학기상증착법을 이용한 탄화규소 나노선의 합성 및 특성연구)

  • Jung, M.W.;Kim, M.K.;Song, W.;Jung, D.S.;Choi, W.C.;Park, C.J.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.19 no.4
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    • pp.307-313
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    • 2010
  • One-dimensional cubic phase silicon carbide nanowires (${\beta}$-SiC NWs) were efficiently synthesized by thermal chemical vapor deposition (TCVD) with mixtures containing Si powders and nickel chloride hexahydrate $(NiCl_2{\cdot}6H_2O)$ in an alumina boat with a carbon source of methane $(CH_4)$ gas. SEM images are shown that the growth temperature (T) of $1,300^{\circ}C$ is not enough to synthesize the SiC NWs owing to insufficient thermal energy for melting down a Si powder and decomposing the methane gas. However, the SiC NWs could be synthesized at T>$1,300^{\circ}C$ and the most efficient temperature for growth of SiC NWs is T=$1,400^{\circ}C$. The synthesized SiC NWs have the diameter with an average range between 50~150 nm. Raman spectra clearly revealed that the synthesized SiC NWs are forming of a cubic phase (${\beta}$-SiC). Two distinct peaks at 795 and $970 cm^{-1}$ in Raman spectra of the synthesized SiC NWs at T=$1,400^{\circ}C$ represent the TO and LO mode of the bulk ${\beta}$-SiC, respectively. XRD spectra are also supported to the Raman spectra resulting in the strongest (111) peaks at $2{\Theta}=35.7^{\circ}$, which is the (111) plane peak position of 3C-SiC. Moreover, the gas flow rate of 300 sccm for methane is the optimal condition for synthesis of a large amount of ${\beta}$-SiC NW without producing the amorphous carbon structure shown at a high methane flow rate of 800 sccm. TEM images are shown two kinds of the synthesized ${\beta}$-SiC NWs structures. One is shown the defect-free ${\beta}$-SiC NWs with a (111) interplane distance of 0.25 nm, and the other is the stacking-faulted ${\beta}$-SiC NWs. Also, TEM images exhibited that two distinct SiC NWs are uniformly covered with $SiO_2$ layer with a thickness of less 2 nm.