• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1366-1367
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• 2006

Embedded capacitor technology is one of the effective packaging technologies for further miniaturization and higher performance of electric package systems. So we used the 3D EM simulator for embedded capacitor design in 8-layed PCB(Printed Circuit Board). The designed capacitors value are 2 pF, 5pF, 10 pF, respectly. we investigated characteristics of capacitance - frequency and SRF(Self Resonance Frequency) as changing the rate of hight and width of upper pad of embedded capacitors.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.178-182
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• 2003

This paper presents the embedded inductors in PCB (Printed Circuit Board) for PAM(Power Amplifier Module) of mobile terminations. The inductors are designed, simulated, and compared to conventional chip inductors. The Quality factor(Q) and self-resonance frequency(SRF) of the inductors are evaluated. The quality factors of the inductors are two times higher than those of the chip inductors, and the self-resonance frequency is 1.3 times higher than those of chip inductors at the inductance of 2.7 nH and 3.3 nH respectively.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권12호
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• pp.1359-1364
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• 2012

칩 인덕터를 이용하여 넓은 저지 대역과 소형화 특성을 갖는 C-밴드 semi-lumped 저역 통과 여파기를 제안하였다. 칩 인덕터의 자기 공진 주파수(SRF: Self Resonance Frequency) 특성을 유지하기 위하여 추가된 분리형 인덕터와 SRF 특성으로 인해 발생되는 감쇠 폴을 이용하여 광대역 저지 대역과 높은 저지 특성을 얻을 수 있었다. 3차 elliptic function 여파기에 칩 인덕터(L: 9.1 nH, SRF: 5.5 GHz, Q: 25)를 적용한 결과, 마이크로스트립 라인 인덕터로 구현한 여파기보다 크기가 37.4 % 감소하였으며, 삽입 손실이 0.38 dB, 차단 주파수는 920 MHz, 1.43~7.8 GHz의 넓은 저지 대역(20 dB 이하) 특성을 가졌다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.1284-1287
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• 2012

본 논문에서 underpass와 via를 갖지 않는 팔각 나선형 박막 인덕터 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $7{\mu}m$으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 각각 $20{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터의 성능을 나타내는 인덕턴스, quality-factor, SRF에 대한 주파수 특성을 HFSS로 시뮬레이션 하였다. 팔각 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 2.5nH의 인덕턴스, 5GHz에서 최대 18.9 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 11.1GHz로 시뮬레이션 결과를 얻었다. 반면에 사각 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 2.8nH의 인덕턴스, 4.9GHz에서 최대 18.9 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 10.3GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권9호
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• pp.4101-4106
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• 2011

본 논문에서 기존 underpass와 via를 갖는 단층 나선형 박막 인덕터를 확장하여 제한된 점유면적 내에서 인덕턴스를 증가시킬 수 있는 하층 나선형 코일과 via를 갖는 2층 나선형 박막 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $7{\mu}m$으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 각각 $20{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터의 성능을 나타내는 인덕턴스, quality-factor, SRF에 대한 주파수 특성을 HFSS로 시뮬레이션 하였다. 2층 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 3.2nH의 인덕턴스, 2.5GHz에서 최대 8.2 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 5.8GHz로 시뮬레이션 결과를 얻었다. 반면에 단층 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 1.5nH의 인덕턴스, 8GHz에서 최대 18 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 19.2GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.138-143
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• 2008

본 논문에서 기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정과 LAM(Laser Ablation of Microparticles) 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 540${\mu}m$, $SiO_2$를 3${\mu}m$으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 LAM 공정과 direct-write 공정을 이용할 수 있도록 각각 30${\mu}m$으로 설정하여 2회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터의 성능을 나타내는 인덕턴스, quality-factor, SRF에 대한 주파수 특성을 HFSS로 시뮬레이션 하였다. Underpass와 via가 제거된 인덕터는 300-800MHz 범위에서 1.11nH의 인덕턴스, 5GHz에서 최대 38 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 18GHz로 시뮬레이션 결과를 얻었다. 반면에 underpass와 via를 가지는 일반적인 인덕터는 300-800MHz 범위에서 1.12nH의 인덕턴스, 5GHz에서 최대 35 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 16GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제17권2호
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• pp.110-113
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• 2008

Embedded capacitor technology is one of the effective packing technologies for further miniaturization and higher performance of electric packaging system. In this paper, the embedded capacitors were simulated and fabricated in 8-layered printed circuit board employing standard PCB processes. The composites of barium titanante($BaTiO_3$) powder and epoxy resin were employed for the dielectric materials in embedded capacitors. Theoretical considerations regarding the embedded capacitors have been paid to understand the frequency dependent impedance behavior. Frequency dependent impedance of simulated and fabricated embedded capacitors was investigated. Fabricated embedded capacitors have lower self resonance frequency values than that of the simulated embedded capacitors due to the increased parasitic inductance values. Frequency dependent capacitances of fabricated embedded capacitors were well matched with those of simulated embedded capacitors from the 100MHz to 10GHz range. Quality factor of 20 was observed and simulated at 2GHz range in the 10 pF embedded capacitors. Temperature dependent capacitance of fabricated embedded capacitors was presented.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권12호
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• pp.75-82
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• 2006

본 논문에서는 개구를 갖는 접지면의 높은 특성 임피던스를 이용하여 주파수에 대한 민감도가 좋고 높은 품질 계수를 갖는 미앤더 라인 인덕터들을 설계하였다. 주파수에 대한 민감도는 자기 공진 주파수 (SRF) 대신에 해석 주파수 범위에 대한 유효 인덕턴스 변화량으로 새로 정의 되었다. 등가 집중 소자 회로는 고주파 인덕터의 특성을 설명하기 위해 전개되었다. 개구 접지면을 갖는 4 nH 미앤더 라인 인덕터는 0.45 nH/GHz의 좋은 민감도와 0.7 GHz에서 86의 Q 값을 갖는다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.125-126
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• 2015

통신 시스템에서의 더 늘어난 대역폭(Band Width)의 수요로 인해 집적회로(Integrated Circuit)에서 더 높은 동작 주파수(Operating Frequency)를 필요로 하게 되었다. 고주파 영역에서는 SRF(Self Resonance Frequency) 문제와 소자 값의 정확성(Accuracy)에 대한 문제 때문에 정수소자(Lumped Element)를 이용하여 해석을 할 수 없으며 이로 인하여 어떠한 회로의 전기적 특성을 평가함에 있어서 전송선로(Transmission Line)를 이용하여 해석을 하는 것은 중요한 역할을 하게 되었다. 이러한 해석을 위해 순수한 내부 특성을 얻기 위하여 디 임베딩(De-Embedding)이라는 기법이 사용되고 있으나, 알려진 몇 가지의 방법들은 인터커넥터 부분을 완벽히 나타내지 못한다. 따라서 본 논문에서는 1-Port 측정을 기반으로 한 8-Term Error을 이용한 디 임베딩(De-Embedding) 방법을 이용하여 넓은 주파수 영역에서의 교정 값을 얻는 방법에 대하여 소개하고자 한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.384-393
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• 2013

본 논문에서는 집중 소자를 이용한 광대역 평판형 마이크로파 바이어스-티의 설계를 보였다. 설계된 바이어스-티는 DC 블록과 RF 초크로 구성된다. DC 블록용 커패시터는 광대역으로 동작하는 커패시터를 사용하였고, DC 공급 및 RF 초크용 인덕터는 서로 다른 자기 공진 주파수(SRF: Self Resonance Frequency)를 가지는 인덕터들을 직렬로 연결하였다. RF 초크에서 집중 소자들의 직렬 공진에 의하여 발생하는 신호의 손실을 병렬의 저항과 커패시터를 연결하여 해결하였다. 설계된 바이어스-티는 1608 칩 형태의 집중 소자들을 이용 조립하여 제작하였다. 측정은 커넥터의 손실과 영향을 제거하기 위하여 Anritsu 3680K jig에 연결하여 측정하였다. 제작된 바이어스-티는 10 MHz~18 GHz의 광대역에서 동작하고, 측정된 반사 손실이 -15 dB 이하를 가지며, 삽입 손실은 -1.5 dB 이하인 것을 확인하였다.