• Journal of Information Display
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• 제9권2호
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• pp.5-8
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• 2008

Bottom gate thin film transistors (TFTs) with microcrystalline and amorphous Si (a-Si) double active layers (DAL) were fabricated. Since the process of DAL TFTs can use that of conventional a-Si TFTs, these DAL TFT process has advantages, such as low cost, large substrate, and mass production capacity. In order to analyze the degradation characteristics in saturation region for driving TFTs of active matrix organic light emitting diode, three different dynamic stresses were applied to DAL TFTs and a-Si TFTs. The threshold voltage shift of DAL TFTs and a-Si TFTs during 10,000 second stress is 0.3V and 2V, respectively. DAL TFTs were more reliable than a-Si TFTs.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권2호
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• pp.49-53
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• 2018

최근 유연 소자, 투명 소자, MEMS 소자와 같은 다양한 소자를 결합하는 시스템 집적화 기술이 많이 개발되고 있다. 이러한 다종 소자 시스템 제조 기술의 핵심 공정은 칩 또는 웨이퍼 레벨의 접합 공정, 기판 연삭 공정, 그리고 박막 기판 핸들링 기술이라 하겠다. 본 연구에서는 Si 기판 연삭 공정이 투명 박막 트랜지스터나 유연 전극 소재로 적용되는 산화주석 박막의 전기적 성질에 미치는 영향을 분석하였다. Si 기판의 두께가 얇아질수록 Si d-spacing은 감소하였고, Si 격자 내에 strain이 발생하였다. 또한, Si 기판의 두께가 얇아질수록 산화주석 박막 내 캐리어 농도가 감소하여 전기전도도가 감소하였다. 얇은 산화 주석 박막의 경우 전기전도도는 두꺼운 산화 주석 박막보다 낮았으며 Si 기판의 두께에 의해 크게 변하지 않았다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제23권2호
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• pp.87-91
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• 2024

SiO₂, renowned for its excellent insulating properties, has been used in the semiconductor industry as a valuable dielectric material. High-quality SiO₂ films find applications in gate spacers and interlayer insulation gap-fill oxides, among other uses. One of the prevalent methods for depositing these SiO₂ films is plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) favored for its relatively low processing costs and ability to operate at low temperatures. However, compared to the increasingly utilized atomic layer deposition (ALD) method, PECVD exhibits inferior film characteristics such as uniformity. This study aims to produce SiO₂ films with uniformity as close as possible to those achieved by ALD through the adjustment of PECVD process parameters. we conducted a total of nine PECVD processes, varying the process time and gas flow rates, which were identified as the most influential factors on the PECVD process. Furthermore, ellipsometry analysis was employed to examine the uniformity variations of each process. The experimental results enabled us to elucidate the relationship between uniformity and deposition rate, as well as the impact of gas flow rate and deposition time on the process outcomes. Additionally, thickness measurements obtained through ellipsometer facilitate the identification of optimal process parameters for PECVD.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권1호
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• pp.7-12
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• 1997

건조 및 다습한 대기의 무윤활 또는 액체 윤활, 미끄럼 속도 그리고 온도 등 여러 조건 하에서 SiC-강 미끄럼 시 SiC가 나타내는 마모거동에 대하여 조사하였다. 또 SiC의 제조공정이 SiC 마모에 미치는 영향도 미끄럼 속도를 달리하면서 고찰하였다. 무윤활 미끄럼 시 대기 습도는 일종의 윤활제 역할을 하며, 특히 대기가 매우 건조한 조건 하에서 미끄럼 속도는 마모에 큰 영향을 미친다. 그리고 SiC의 제조공정 및 재료표면의 거칠기는 미끄럼 속도의 크기여하에 따라 상이한 마모거동을 초래한다. 특히 온도는 마모를 심화시키는 요인이어서 윤활 미끄럼 조건 하에서도 마모를 크게 가속한다.

• 산업기술연구
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• 제19권
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• pp.107-113
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• 1999

The microstructural evolution during mechanical alloying of elemental Fe and Si powders, average composition $Fe_{30}Si_{70}$ and $Fe_{50}Si_{50}$, has been investigated by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM) and Differential scanning calorimetry (DSC). Mechanical alloying was performed by using a SPEX 8000 Mixer/Mill under argon atmosphere with/without hexane as a process control agent (PCA). In the presence of PCA, the milling process was dominated by fracture resulting in the decrease in particle size to about $1{\mu}m$. The structural development with milling time depended on the average composition of starting powders. The mixture of $Fe_{50}Si_{50}$ and $Fe_{30}Si_{70}$ resulted in the formation of FeSi(${\varepsilon}$ - phase) and $FeSi_2$(${\beta}$ - phase), respectively. In the case of $Fe_{33.3}Si_{66.7}$, a mixture and $FeSi_2({\beta})$ was formed. These results were discussed by considering the thermodynamics and kinetics concerning the milling process.

• 한국세라믹학회지
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• 제46권5호
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• pp.484-487
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• 2009

$SiC_f$/SiC composites with whiskers and pyrolytic carbon (PyC) coated whiskers in the matrix were fabricated for enhancement of the fracture behaviors by the whisker growing assisted chemical vapor infiltration (WA-CVI) process, respectively. $SiC_f$/SiC composites were also prepared by the conventional CVI process as reference material. The mechanical properties and fracture behaviors were analyzed by comparison of the two types of composites prepared by WA-CVI and conventional CVI. The densities of $SiC_f$/SiC composites were in the range of $2.6{\sim}2.65g/cm^3$. The flexural strengths of composite with whiskers and with those coated by PyC were 650 MPa and 600 MPa, respectively. The tensile strength of composites with whiskers was ${\sim}285$ MPa.

• Composites Research
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• 제30권2호
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• pp.77-83
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• 2017

섬유강화 세라믹 복합재료 제조 방법 중 실리콘 용융 침투 공정법(Liquid Silicon Infiltration-LSI)은 낮은 제조단가 및 짧은 공정 시간 등의 장점을 가진다. 본 연구에서는 고온 내산 특성이 우수한 SiC 섬유를 LSI 공정에 적용하기 위해 결정화도와 산소함량이 다른 세 가지 SiC 섬유(Tyranno SA, LoxM, Tyranno S)를 이용하여 $SiC_f/SiC$ 복합재료를 제작하고 그 적용 가능성을 확인하였다. LSI 공정을 통해 제조된 $SiC_f/SiC$ 복합재료는 모두 2% 미만의 기공률로 치밀화 되었지만, 섬유의 결정화도와 산소함량에 따라 3점 굽힘강도는 큰 차이를 나타냈다. 이는 $1450^{\circ}C$ 이상의 높은 LSI 공정 온도에 SiC 섬유가 노출 될 경우 비정질 SiOC상이 결정화되며 수축하는 현상과 섬유 내 잔존 산소-모재 내 탄소의 반응으로 인한 미세구조 차이에 기인하는 것으로 판단된다. 이는 SEM, XRD 및 TEM 분석을 통해 섬유 종류별 공정온도에서의 특성 변화로 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.75.2-75.2
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• 2010

We studied the fabrication of polycrystalline silicon (pc-Si) films as seed layers for application of pc-Si thin film solar cells, in which amorphous silicon (a-Si) films in a structure of glass/Al/$Al_2O_3$/a-Si are crystallized by the aluminum-induced layer exchange (ALILE) process. The properties of pc-Si films formed by the ALILE process are strongly determined by the oxide layer as well as the various process parameters like annealing temperature, time, etc. In this study, the effects of the oxide film thickness on the crystallization of a-Si in the ALILE process, where the thickness of $Al_2O_3$ layer was varied from 4 to 50 nm. For preparation of the experimental film structure, aluminum (~300 nm thickness) and a-Si (~300 nm thickness) layers were deposited using DC sputtering and PECVD method, respectively, and $Al_2O_3$ layer with the various thicknesses by RF sputtering. The crystallization of a-Si was then carried out by the thermal annealing process using a furnace with the in-situ microscope. The characteristics of the produced pc-Si films were analyzed by optical microscope (OM), scanning electron microscope (SEM), Raman spectrometer, and X-ray diffractometer (XRD). As results, the crystallinity was exponentially decayed with the increase of $Al_2O_3$ thickness and the grain size showed the similar tendency. The maximum pc-Si grain size fabricated by ALILE process was about $45{\mu}m$ at the $Al_2O_3$ layer thickness of 4 nm. The preferential crystal orientation was <111> and more dominant with the thinner $Al_2O_3$ layer. In summary, we obtained a pc-Si film not only with ${\sim}45{\mu}m$ grain size but also with the crystallinity of about 75% at 4 nm $Al_2O_3$ layer thickness by ALILE process with the structure of a glass/Al/$Al_2O_3$/a-Si.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.1099-1103
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• 2007

본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝 하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조한 박막 트랜지스터에서 생기는 문제는 주로 광식각공정시 PR의 잔존이나 세척시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 된다. 그러므로 이를 개선하기 위하여 ashing이나 세척공정을 보다 엄격하게 수행하였다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 세척과 여분의 처리 공정을 가하여 수율을 확실히 개선 할 수 있었다.

• Journal of Information Display
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• 제4권4호
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• pp.1-3
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• 2003

For excimer laser annealing (ELA), energy density, number of pulses, beam uniformity, and condition of initial amorphous Si (a-Si) films are significant factors contributing to the final microstructure and the performance of low-temperature polycrystalline Si (LTPS) TFTs. Although the process and equipment have been significantly improved, the environmental factors associated with initial amorphous Si (a-Si) films and process conditions are yet to be optimized.