1 |
Chang W. Hur, ' Method of Making Thin Film Transistors', United States Patent, Patent No.5,306,653, Apr. 1994
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2 |
허창우,이문기,김봉열,'강유전성 PbTiO3 박막의 형성 및 게면특성', 대한전자공학회 논문지, 26권 7호, pp.83-89, 1989
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3 |
허창우, '강유전성 박막의 형성 및 수소화 된 비정질 실리콘과의 접합 특성', 한국해양정보통신학회 논문지 vol.7,No.3, pp. 468-473,2003
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4 |
윤재석,허창우, '게이트 산화막에 따른 n-MOSFET 의 금속 플라즈마 피해', 한국해양정보통신학회 논문지 vol.3,No.2, pp. 471-475,1999
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5 |
A. Nathan, Correlation between leakage current and overlap capacitance in a-Si:H TFTs, IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensor, Karuizawa, Japan, June 10-12, 1999
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6 |
허창우,이문기,김봉열,'강유전성 PbTiO3 박막의 형성 및 게면특성', 대한전자공학회 논문지, 26권 7호, pp.83-89, 1989
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7 |
K. Aflatooni, a-Si:H Schottky diode direct detection pixel for large area x-ray imaging, IEEE IEDM, December 7-10, Washington, D.C., 1997
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8 |
R.V.R. Murthy, Mechanisms underlying leakage current in inverted staggered a-Si:H thin film transistors, Fourth Symp. on Thin Film Transistor Technologies, Boston, Nov. 1-6, 1998
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9 |
이규정,류광렬,허창우, '산화물 반도체 박막 가스센서 어레이의 제조 및 수율 개선', 한국해양정보통신학회 논문지 vol.6,No.2, pp. 315-322, 2002
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