NAND Multi-level cell Flash memory는 한 셀에 여러 bit의 정보를 저장하는 방법으로, 용량 집적도를 더욱 높일수 있는 기술로 각광 받고 있다. 하지만 한 셀당 레벨 수를 올릴 경우, 셀간 간섭 등 여러 물리적 이유들로 인해 오류가 발생하며, 이 주된 오류 방향은 unidirectional 함이 알려져 있다. 기존에는 오류 정정 부호(ECC)등을 이용하여 이를 해결하려 했지만, 우리는 셀간 간섭으로 인한 오류에 포커스를 맞추어, 이 영향을 예측하고 줄여서 오류를 보정하는 새로운 알고리즘들을 제안한다. 이 알고리즘은 기존 오류정정부호 기법들과 별도의 단계로 동시에 적용할 수 있기에 에러 정정능력 향상에 효과적이다. 제안된 알고리즘들을 시뮬레이션을 통하여 성능을 비교하고 효율적인 알고리즘이 무엇인지 알아본다.
Cervical cancer is the second most common malignancy in women worldwide and thus one of the leading causes of mortality in women. Lovastatin, a non polar, anticholesterol drug has previously been reported to exert antitumour activity in vitro. In the present study, lovastatin from Aspergillus terreus (KM017963) was purified by adsoprtion chromatography and evaluated for its anticancer and anti-oxidant properties with a human cervical cancer cell line (HeLa). Growth inhibitory and proapoptotic effects of purified lovastatin on HeLa cells were investigated by determining its influence on cell numbers, mitochondrial membrane potential (MMP), DNA fragmentation and antioxidant properties in terms of hydroxy radical scavenging effects as well as levels of total reduced glutathione. Cell cycle analysis by flow cytometry (propidium iodide staining) confirmed induction of apoptotic cell death and revealed cell cycle arrest in the G0/G1 phase. Results of the study give leads for the anticancer effects of lovastatin and its potential usefulness in the chemotherapy of cervical cancer.
본 논문에서는 반도체 공정 중, 토포그래피 시뮬레이션을 수행함에 있어서, 기존의 셀 모델을 수정하여, 소요되는 메모리의 양을 최소화하는 셀 전진 모델을 개발하였다. 셀 전진 모델은, 전체 시뮬레이션 영역은 물질 정보만으로 나타내지며, 표면의 셀들만으로 리스트가 구성되고, 리스트에 표면 진화 계산에 필요한 정보가 저장된다. 개발된 시뮬레이터는 해석적 모델과 몬테카를로 모델을 이용하여 식각 공정에 있어서 입사이온 분포가 계산되며, 단위 공정 뿐만 아니라 공정 순서도에 따라 적층 캐패시터 또는 디램 셀(DRAM cell) 제조 공정과 같은 통합 공정을 수행한다. 개발된 시뮬레이터를 이용하여 디램 셀 제조 공정 시뮬레이션을 수행하였을 경우에, 소요된 셀은 5,440,500(130×155×270)개였고, 메모리 양은 22MB에 불과하였다.
Studies into the cell death program termed apoptosis have resulted in new information regarding how cells control and execute their own demise, including insights into the mechanism by which death-preventing factors can inhibit Bax-induced caspase activation. We investigated high temperature stress-induced cell death in Brassica rapa. Using a yeast functional screening from a Brassica rapa cDNA library, the BH5-127 EST clone encoding an apoptotic suppressor peptide was identified. However, a phylogenic tree showed that BH5-127 clusters within a clade containing SUMO-1 (Small Ubiquitin-like Modifier-1). BH5-127 was confirmed similar to have function to SUMO-1 as Fas suppression. Expression of BH5-127 showed that substantial suppression of cell death survived on SD-galactose-$Leu^-$-$Ura^-$ medium. The results suggest that BrSE ($\underline{B}$rassica rapa $\underline{S}$entrin $\underline{E}$ST, BH5-127) is one of the important regulatory proteins in programming cell death, especially in the seedling stage of Chinese cabbage.
산삼배양근 수확 후 저장중의 성분 변화를 측정하였으며, 이를 토대로 저장성 향상을 위해 멸균수, CAMICA-SD와 DF-100에 의한 전처리 및 전처리 후 산미료인 구연산, 산화 방지제로서 비타민 C 처리하여 저장연장효과를 측정하였다. $10^{\circ}C$ 저장 중 pH 범위는 $6.06{\sim}6.36$으로써 초기 pH 6.08에 비하여 변화가 적었으나, $20^{\circ}C$와 $30^{\circ}C$의 경우에는 pH가 $6.91{\sim}8.68$로써 미생물의 오염에 의한 변질과 함께 pH가 크게 증가하였다. 갈색도 a/b 값 또한 저장온도가 높을수록 증가하여, 초기값 0.131에 비하여 2주 후 $10^{\circ}C$와 $30^{\circ}C$에서는 각각 0.405와 0.469의 갈색도를 보여주므로써 저온저장이 품질유지에 중요한 요소임을 알 수 있다. 멸균수, 살균제 및 미생물 억제제가 첨가된 용액에 침지처리하고, $10^{\circ}C$에서 2주간 저장하면서 저장기간에 따른 미생물의 변화를 분석한 결과 염소계 살균제인 CAMICA-SD처리수를 이용 침지 처리한 경우 비교적 안정한 균수를 유지하여 보존성의 연장가능성을 보여주었다. CAMICA-SD(500 ppm)용액으로 전처리된 산삼배양근에 DF-100, 구연산, 비타민 C를 첨가하여 $10^{\circ}C$에 3주간 저장 시 1.0% CA와 0.2% DF-100을 첨가한 용액에 저장한 경우에는 미생물의 증식이 거의 이루어지지 않고 $4.9{\times}10^2CFU/g$ 수준으로써 위생적으로 안전한 상태를 유지하였으며, 갈색도 a/b값도 대조구의 경우 0.38로 크게 증가한 반면 CA와 DF-100처리구는 0.02로써 초기의 색상을 그대로 유지하여 저장안정성이 우수하였다. 따라서 구연산 첨가에 의해 pH를 일정 범위로 조절하고 미생물 생육제어제로서 DF-100을 적정농도로 사용하면 미생물의 오염을 억제하면서 장기간 산삼배양근을 저장할 수 있을 것으로 판단된다.
탁주를 활용하여 제과, 제방용 품질개선제로 개발하고자 주모 첨가 멥쌀 탁주를 $30^{\circ}C$에서 4일간 발효하여 분무 및 동결 건조한 탁주 분말의 저장중(5, 15 및 $25^{\circ}C$, 50일)품질변화를 검토하였다. 수분함량은 저장 50일에 분무건조 탁주분말이 초기 6.64%에서 7.24-7.38%로, 동결건조 탁주분말은 초기 4.86%에서 5.43-5.61%로 증가하였으며, pH와 총산함량은 초기값과 큰 차이를 나타내지 않았으나 다소 증가하는 경향을 나타내었다. 유기산은 저장 50일에 분무건조 탁주분말이 초기 3,949.9mg%에서 805.9-922.3mg%으로, 동결건조 탁주분말이 초기 5,171.5mg%에서 3,646.0-4,110.2mg%로 감소하였다. 아미노태 질소 함량은 저장 50일에 분무건조 탁주분말이 초기 1.2%에서 1.9-2.2%로, 동결건조 탁주분말은 초기 1.9%에서 2.2-2.5%로 증가하였다. 총당 및 환원당 함량은 저장 50일에 분무건조 박주분말이 초기 17.2%및 4.0%에서 25.9-27.3%및 5.8-6.9%로, 동결건조 탁주분말이 초기 19.1% 및 5.2%에서 29.2-30.2% 및 8.3-8.8%로 증가하였다. 저장기간의 경과에 따라 분무건조 분말은 L 및 b값이 서서히 증가한 반면, 동결건조 분말은 L값은 감소하고 증가하였다. 총균수는 분무건조 탁주분말이 초기 $1.2{\times}10^3$ CFU/g에서 $5.2{\times}10^3-9.4{\times}10^3$ CFU/g로, 동결건조 탁주분말이 초기 $2.1{\times}10^6$ CFU/g에서 $1.8{\times}10^6-2.7{\times}10^6$ CFU/g로 초기균수와 큰 차이를 나타내지 않았다. 분무건조 및 동결건조 탁주분말에서 GC-MS로 동정한 주요 향기성분은 저장초기 분무건조 탁주분말에서 약 10종, 동결건조 탁주분말에서 약 18종이었으며 저장기간의 경과에 따라 감소하였다.
본 논문은 멀티레벨을 갖는 PoRAM 셀의 데이터를 센싱하는 기법에 관하여 제안하였다. PoRAM은 유기물질을 사용한 단위 셀의 상,하단 전극에 전압을 가했을 때 나타나는 저항 상태의 변화로 셀 데이터를 구분하는 메모리 소자이다. 특히 한 셀당 최대 4 레벨의 안정된 저항 값을 가지므로 멀티레벨 셀로 활용이 가능하다. 따라서 멀티레벨의 센싱을 위해 어드레스 디코딩 방법, 센스 앰플리파이어, 이를 위한 제어 신호 등을 새롭게 제안하였다. 센스 앰플리파이어는 셀에 흐르는 전류를 입력 값으로 받아 설정된 기준 전류($I_{REF}$)와 비교하는 전류 비교기를 기본으로 구성되며 전류를 증폭하기 위해 낮은 입력 임피던스를 갖도록 설계되었다. 제안된 기법에 의해 설계된 회로는 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정 라이브러리를 사용하여 설계되었고, 이를 사용함으로써 단위 셀에 흐르는 서로 다른 4 가지 전류 값이 각각 데이터 "00", "01", "10", "11"으로 정확히 센싱 되는 것을 검증하였다.
The Japan Pharmaceutical Manufacturers Association. with the cooperation of the Japan Association of Contract Laboratories for Safety Evaluation. launched a collaborative study with 38 companies aimed at elucidating the correlation between histopathological/hematological findings and immune function. Seven substances were individually administered to Crj : CD (SD)IGS rats for 14 or 28 days. Their immunotoxicity was assessed by histopathology. hematology. plaque-forming cell assay. enzyme-linked immunosorbent assay of serum antibody to sheep red blood cells. and flow cytometry. Appropriate procedures for immunotoxicology evaluation of pharmaceuticals were considered.
DRAM에서 셀 캐패시터의 누설 전류 영향을 고려하여 소프트 에러율을 예측하였다. DRAM의 동작 과정에서 누설 전류의 영향으로 셀 캐패시터는 전하량이 감소하고, 이에 따른 소프트 에러율을 DRAM의 각 동작 모드에 대하여 계산하였다. 누설 전류가 작을 경우에는 /bit mode가 소프트 에러에 취약했지만, 누설전류가 커질수록 memory 모드가 소프트 에러에 가장 취약함을 보였다. 실제 256M급 DRAM의 구조에 적용하여, 셀 캐패시턴스, bit line 캐패시턴스, sense amplifier의 입력 전압 감도들이 변화할 때 소프트 에러에 미치는 영향을 예측하였고, 이 결과들은 차세대 DARM 연구의 최적 셀 설계에 이용될 수 있다.
본 논문에서는 DRAM 셀 내의 셀 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스를 수치 해석적으로 계한하여 추출하는 방법과 그 적용 예를 보고한다. 셀 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스를 계산하기 위하여 유한요소법을 적용하였다. 시뮬레이션의 구조를 정의하기 우하여, 마스크 레이아웃 데이터 및 공정 레시피를 이용한 토포그래피 시뮬레이션을 수행하고, 토포그래피 시뮬레이션을 통해 DRAM 셀 구조를 생성하기 위해 필요한 데이터를 얻었다. 이를 기반으로 하여, 마스크 데이터 기반의 3차원 솔리드 모델링 방법을 적용하여 시뮬레이션 구조를 생성하였다. 시뮬레이션에 사용된 구조는 $2.25{\times}175{\times}3.45{\mu}m^3$ 크기이며, 4개의 셀 캐패시터를 갖는다. 또한 70,078개의 노드와 395,064개의 사면체로 구성되었다. 시뮬레이션을 위해 ULTRA SPARC 10 웨크스테이션에서 약 25분의 CPU 시간을 소요하였으며, 약 201메가바이트의 메모리를 사용하였다. 시뮬레이션을 통하여 계산된 셀 캐패시턴스는 셀당 24fF이며, DRAM 셀 내에서 가장 주요한 기생 캐패시턴스 성분을 규명하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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