• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.237-241
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• 1998

In-situ X-선 산란 방법을 이용하여 R.F. 스퍼터링 방법에 의하여 성장시킨 AIN/Si(111)박막의 우선성장과 표면 거칠기의 성장 시간에 따른 변화를 연구하였다. 대부분 의 성장 조건하에서 초기의 AIN박막은 <001> 우선 성장 방위를 가지고 성장하였다. 하지 만 박막의 두께가 증가함에 따라 우선 성장 방위가 많이 바뀌었는데 이 현상은 높은 기판 온도와 높은 R.F. power에서 더욱 뚜렷이 나타났다. 이러한 현상은 <001> 성장 방위를 선 호하는 표면 에너지와 우선 성장 방위의 무질서도를 증가하게 하는 응력(strain)에너지에 관 련된 것으로 해석된다. 이 실험에서는 X-선 반사율을 측정하여 성장 도중의 표면 현상 또 는 연구하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.3160-3164
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• 2012

저온공정을 위해 스퍼터 방법에 의해 SiOC 박막을 증착하였으며, SiOC 박막 위에 투명전극을 제작하기 위해서 AZO박막과 ZnO 박막을 증착하였다. 박막의 광학적 특성은 PL 분석기와 스펙트라포토미터를 이용하였다. SiOC 박막은 n-type Si 위에 증착하였을 때 증착조건에 따라서 방사 효과가 다양하게 나타났으며, 두꺼운 박막에서 blue shit 현상이 나타났다. SiOC/Si 박막 위에 AZO 박막을 증착할 경우 빛의 흡수영역이 넓어졌다. 이러한 특성은 태양전지의 투명전극을 만들 경우 효율을 높일 수 있게 된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.668-671
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• 2001

The Sr$\_$0.8/Si$\_$2.4/Ta$_2$O$\_$9/(SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si) using RF magnetron sputtering method. With increasing post-annealing temperature from 600[$^{\circ}C$] to 850[$^{\circ}C$], Bi-layered perovskite phase was crystallized above 650[$^{\circ}C$]. The maximum remanent polarization and the coercive electric field is 11.60[${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$], 48[kV/cm] respectively. The leakage current density of SBT capacitor at post-annealing temperature of 750[$^{\circ}C$] is 1.01${\times}$10$\^$-8/ A/$\textrm{cm}^2$ at 100[kV/cm]. The fatigue characteristics of SBT thin films did not change up to 10$\^$10/ switching cycles.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.589-592
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• 2002

The $Sr_{0.7}Bi_{2.3}Ta_2O_9$(SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO2/SiO2/Si) using RF magnetron sputtering method. The structural and electric properties of SBT capacitors were influenced with annealing atmosphere. In the XRD pattern, the SBT thin films in all annealing atmosphere had (105) orientation. In the SEM images, Bi-layered perovskite phase was crystallized in all annealing atmosphere and grains largely grew in oxygen annealing atmosphere. The maximum remanent polarization and the coercive electric field in oxygen annealing atmosphere are $12.40{\mu}C/cm^2$ and 48kV/cm respectively. The dielectric constant and leakage current density annealing in oxygen atmosphere are 340 and $6.81{\times}10^{-10}A/cm^2$ respectively. The fatigue characteristics of SBT capacitors did not change up to $10^{10}$ switching cycles.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 기술교육위원회 창립총회 및 학술대회 의료기기전시회
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• pp.5-8
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• 2001

The $Sr_{0.8}Bi_{2.4}Ta_{2}O_{9}(SBT)$ thin films are deposited on Pt-coated electrode$(Pt/TiO_{2}/SiO_{2}/Si)$ using RF magnetron sputtering method. With increasing annealing tempera ture from $600[^{\circ}C]$ to $850[^{\circ}C]$, Bi-layered perovskite phase was crystallized above $650[^{\circ}C]$. The dielectric constant is 213 at annealing temperature of $750[^{\circ}C]$ and dielectric loss have a stable value within 0.1. Leakage current density is $1.01{\times}10^{-8} A/cm^{2}$ at annealing temperature of $750[^{\circ}C]$ The fatigue characteristics of SBT thin films did not change up to $10^{10}$ switching cycles.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 기술교육위원회 창립총회 및 학술대회 의료기기전시회
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• pp.9-12
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• 2001

The $Sr_{0.8}Bi_{2.4}Ta_2O_9(SBT)$ thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiO_2/SiO_2/Si$) using RF magnetron sputtering method. With increasing post-annealing temperature from $600[^{\circ}C]$ to $850[^{\circ}C]$, Bi-layered perovskite phase was crystallized above $650[^{\circ}C]$. The maximum remanent polarization and the coercive electric field is 11.60[${\mu}C/cm^{2}$] 48[kV/cm] respectively. The leakage current density of SBT capacitor at post-annealing temperature of $750[^{\circ}C]$ is $1.01{\times}10^{-8}A/cm^2$ at 100[kV/cm]

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.249-250
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• 2006

In this study, we tried to Improve c-axis orientation of ZnO thin films used in a piezoelectric layer of FBAR devices. First. ZnO deposition conditions were determined by changing various conditions of RF sputter such as RF power, pressure and $O_2$ contents. The Piezoelectric layer was deposited on ZnO buffer layer of dense structure which was formed by ALD equipment. The c-axis orientation of ZnO piezoelectric layer was measured by XRD and we confirmed fine Grains and columnar structure by SEM, AFM.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권2호
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• pp.11-15
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• 2006

FPD (flat panel display)의 능동구동 (active matrix) 방식의 플렉시블 디스플레이를 위해 PES의 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 상온에서도 박막의 증착이 가능한 RF 마크네트론 스퍼터링과 양질의 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있다고 알려진 XeCl 엑시머 레이져 열처리를 이용하였으며 모든 공정이 150$^{\circ}C$ 이하의 극저온에서 이루어졌다. 플라스틱 기판에 형성한 실리콘 박막 트랜지스터는 344 $mJ/cm^2$ 의 에너지 밀도에서 결정화 하였을 때 이동도 63.64$cm^2/V$ 로 기판에 회로를 집적할 수 있기에 충분한 특성을 얻을 수 있었다.

• 열처리공학회지
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• 제27권4호
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• pp.175-179
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• 2014

IGZO thin films were prepared by radio frequency (RF) magnetron sputtering on glass substrates and then annealed in vacuum for 30 minutes at 100, 200 and $300^{\circ}C$, respectively. The thickness of films kept at 100 nm by controlling the deposition rate. While the optical transmittance and sheet resistance of as deposited films were 91.9% and $901{\Omega}/{\Box}$, respectively, the films annealed at $300^{\circ}C$ show the optical transmittance of 95.4% and the sheet resistance of $383{\Omega}/{\Box}$. The experimental results indicate that vacuum-annealed IGZO film at $300^{\circ}C$ is an attractive candidate for the transparent thin film transistor (TTFT) in large area electronic applications.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.424-424
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• 2012

나노 구조의 반도성 산화물은 독특한 구조적 특성으로 전기적, 광학적 특성을 향상 시킬 수 있다. 현재 연구되고 있는 나노 구조의 반도성 산화물 중 Zinc oxide (ZnO)는 3.37 eV의 bandgap를 갖는 wurtzite 구조체로서 상온에서 60 meV의 exciton binding energy 등 우수한 특성으로 인하여 최근 많이 연구되고 있다. 특히 단파장 light emitting diode 재료로써 기대를 모으고 있는데, 이를 실현하기 위한 가장 큰 문제점이 바로 안정적인 p-type ZnO 박막의 제조이다. 지금까지 알려진 바에 따르면 P를 doping한 후 급속 열처리한 경우 p-type의 전기전도도를 갖는 ZnO 박막을 제조할 수 있다고 보고되어 있으나 vacancy 농도에 따른 불안정적인 요소가 해결해야 할 문제로 남아 있다. 최근 Ag를 doping 시킨 ZnO 박막의 p-type 반도체로서 가능성에 대한 보고가 제기되고 있다. 합성 방법과 조건에 따라서 수 nm에서 수십 또는 수백 nm 크기의 구형 입자나, 리본, 와이어, 로드 그리고 꽃모영 등 다양한 형상을 갖는 나노 구조체를 합성 할 수 있다. 본 연구에서는 ZnO:Ag 박막을 radio-frequency sputtering 방법으로 증착하여 그 물성을 분석하였다. 보통의 sputtering 증착법에서 사용되는 sintering된 타겟과 달리 본 실험은 분말 타겟을 이용하여 박막을 증착하였다. 타겟은 95 wt% ZnO와 5 wt% Ag를 서로 혼합하여 제조하였다. 본 발표에서는 박막의 증착압력 및 증착 온도의 변화에 따른 ZnO:Ag 박막의 구조적, 광학적 특성에 대하여 논의 할 것이다.