• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.599-600
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• 2006

본 연구는 솔더의 리프로우 현상으로부터 제안되었다. 솔더는 원형 흡착 층 위에서 녹게 되면 단위 면적당 표면 에너지를 최소화 하려는 특성 때문에 구형이 되는데, 이는 자기정렬 기구의 핵심이기도 하다. 본 연구에서 제안되는 새로운 설계가 기존의 설계와 가장 큰 차이점은 그림 1에서 처럼 솔더의 리프로우에 의해 측면 접합을 한다는 것이다. 대부분의 기존 실장 기술은 접합 면과 피 접합 면이 서로 마주보고 있으며 서로 맞닿아야만 접합이 이루어 지는 "intimate contact" 원리인 반면, 본 연구에서 제안된 개념은 접합 면과 피 접합 면이 쏠더에 의해 끼워진 상태에서 측면 접합되는 원리이 기 때문에 접합 면끼리 서로 인접하지 않아도 접 합은 자연적으로 완성되어 접합면의 표면상태에 충분히 둔감하다는 장점을 가질 수 있다. 그림 1의 (b)는 개념도 (a)를 구현하기 위한 제작 공정을 보여준다. 버섯 모양의 구조물을 형성하는 공정과 측벽에 UBM을 선택적으로 형성하는 공정이 핵심 공정이며 이외의 접합 공정은 기존의 방법과 달리 매우 간단하게 완성시킬 수 있다. 본 논문에서는 기본적으로 제안된 방법으로 구현되는 실장결과와 그 기본적인 기계적 강도, 기밀 특성을 살펴 보았다. 그리고 RF 소자의 실장에 있어서 제안된 방법에 의한 전기적 연결의 기초 결과에 대해서 논의한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.1176-1183
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• 2003

본 논문에서는 1.6 ㎓ PCS 대역 초소형 전압제어발진기를 LTCC 기술을 이용하여 구현하였다. 상용부품들을 사용하여 VCO 회로를 설계하고, LTCC 기판 내부에 실장될 인덕터, 캐패시터들을 시뮬레이션을 통하여 최적으로 설계하였다. 설계된 수동소자들은 시뮬레이션을 위하여 등가회로로 모델링한 후 회로 파라메타를 추출하였다. 모델링된 내장형 부품과 21층 구조의 LTCC 기 판을 이용하여 전압제어 발진기를 설계하였으며, 4.0${\times}$4.0${\times}$1.6 ㎣ 크기의 VCO를 제작하였다. 제작된 전압제어 발진기의 동작전압은 2.7 V, 소모전류는 최대 8.5 ㎃ 이하이었으며, 동작주파수는 1,620∼l,650 MHz이다. 또한 동작주파수 내에서의 위상잡음특성은 100 KHz offset에서 -ll2.67 ㏈c/Hz의 우수한 특성을 지녔으며, -30 ㏈ 이상의 고조파억압특성을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권12호
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• pp.2805-2810
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• 2010

SAW Device 라는 Passive 소자는 ID Tag 나 소형센서들을 대체할 수 있는 MEMS 기술의 초소형 Device 다. 이 SAW Device 를 이용하면 독립된 공간이나 전원이 필요한 센서 제어 등을 대신할 수 있을 것이다. 이렇게 활용범위가 확대됨에 따라 다양한 SAW Device 를 사용하기 위한 플랫폼이 요구된다. 하지만 현재 SAW Sensor는 많은 발전을 해왔지만 SAW Sensor 를 활용할 수 있는 플랫폼의 발전은 미흡하기 때문에 본 논문에서는 이러한 SAW Device 의 측정이 가능한 SAW Reader를 FPGA를 이용하여 좀 더 간단하고 효율적인 Reader platform 을 구현해 보고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.235-238
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• 1998

Ferroelectric $LiNbO_3$ thin films were grown directly on Si(100) substrates by 13.55MHz RF magnetron sputtering system using a ceramic target ($Nb_2O_5/Li_2C0_3$ = 51.4/48.6). Because high temperature process have to avoided to prevent degradation of the interface (insulator/Si), $LiNbO_3$ thin films were deposited below $300^{\circ}C$. After as-deposited films were performed RTA treatments in an oxygen ambient at $600^{\circ}C$ for 60s, electrical measurements performed films before and after anneal treatment. In high field region, the leakage current density of the films after annealing was deceased about 4order and the resistivity of these was increased to about 5\times 10^{11} \Omega \cdot cm$ at 500kV/cm. In accumulation region of C-V curve, we calculated dielectric constant of thin film $LiNbO_3$ as 27.9 which is close to that of bulk value.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1488-1490
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• 2000

ZnO:Cu thin films are deposited by using an RF magnetron co-sputtering system with Cu chips attached on ZnO target. Structural and electrical properties are analyzed as a function of deposition conditions, such as Cu chip areas, $O_2/(Ar+O_2)$ ratios, and working pressures, The results show that a higher electrical resistivity above $10^{10}$ ${\Omega}cm$ along with an excellent c-axial growth can be easily achieved by Cu-doping. SAW filters based on the ZnO:Cu films are also fabricated to estimate the electric-mechanical coupling coefficient($K^{2}_{eff}$). Higher $K^{2}_{eff}$ and lower insertion losses are observed for ZnO:Cu films, compared with those for ZnO films.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권4호
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• pp.25-29
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• 2010

We have investigated the effect of surface roughness of TCO substrate on the characteristics of OLED (organic light emitting diodes) devices. In order to control the surface roughness of AZO thin films, we have processed photo-lithography and reactive ion etching. The micro-size patterned mask was used, and the etching depth was controlled by changing etching time. The surface morphology of the AZO thin film was observed by FESEM and atomic force microscopy (AFM). And then, organic materials and cathode electrode were sequentially deposited on the AZO thin films. Device structure was AZO/${\alpha}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al. The DPVB was used as a blue emitting material. The electrical characteristics such as current density vs. voltage and luminescence vs. voltage of OLED devices were measured by using spectrometer. The current vs. voltage and luminance vs. voltage characteristics were systematically degraded with increasing surface roughness. Furthermore, the retention test clearly presented that the reliability of OLED devices was directly influenced with the surface roughness, which could be interpreted in terms of the concentration of the electric field on the weak and thin organic layers caused by the poor step coverage.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.23.1-23.1
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• 2009

Transparent thin film transistor(TTFT)는 기존의 디스플레이가 가지고 있는 공간적, 시각적 제약을 해소하는 것이 가능하며, 이는 디스플레이 산업 및 기술이 지향하는 대면적, 저가격, 공정의 단순함을 해결해 줄 수 있기 때문에 최근 TTFT에 관한 연구가 급증하고 있다. 산화물 기반의 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등등 그 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 산화물을 기반으로 하는 TFT 연구가 많이 이루어지고 있다. 현재 TTFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물은 ZnO(3.4 eV)나 $InO_x$(3.6 eV), $GaO_x$(4.9 eV), $SnO_x$(3.7 eV)등의 물질과 각각의 조합으로 구성된 재료들이 주로 사용되고 있다. 가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는 mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, amorphous ZnO 기반의 TFT의 경우 소자의 안정성이 떨어지는 것으로 보고되고 있다. 따라서 본 연구에서는 ZnO 보다 넓은 bandgap energy를 가질 수 있으며, n-type 특성을 보이고, amorphous 구조로 제작 가능한 IGZO 물질을 사용하여 RF magnetron sputtering 방법으로 박막 증착 온도의 변화를 주어 증착하였고, 증착된 IGZO 박막의 열처리를 통해 이에 따른 특성 변화를 분석하였다. Field emission scanning electron microscope(FESEM)와 surface profiler를 이용하여 IGZO 박막의 표면의 형상과 두께를 확인하였으며, x-ray diffraction(XRD) 분석을 통해 박막의 결정학적 특성을 관찰하였다. TTFT 물질로서 IGZO 박막의 적합성 여부를 확인하기 위하여 TFT를 만든 후 I-V를 측정하였으며, UV-vis를 이용하여 IGZO 박막의 투과율을 분석하여 TTFT로의 응용 가능성을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.125-129
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• 2004

[ $BaTi_4O_9$ ] thin film were grown on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using rf magnetron sputter, and the microstructure and dielectric properties of the thin films were investigated. For the film grown at $350^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$, the $BaTi_5O_{11}$ Phase was formed. However, the $BaTi_4O_9$ phase was formed when the growing temperature exceeded $450^{\circ}C$ The dielectric constant of the $BaTi_4O_9$ thin film grown at $550^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$ was about 40 at low frequency range($100kHz{\sim}1MHz$) and 36 at microwave range($1{\sim}10GHz$) which is very close to that of the bulk $BaTi_4O_9$ phase. The dissipation factor was very low, about 0.005 at low frequency as well as microwave range.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권9호
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• pp.417-422
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• 2002

ZnO thin films were deposited on various substrates, such as Si-(111), SiO$_2$(5000 $\AA$ by thermal CVD)/Si-(100), and SiO$_2$(2000 $\AA$ by RF sputtering)/Si-(100). The (002)-orientation, surface morphology and roughness, and electrical resistivity of deposited films were measured and compared in terms of substrate. Surface acoustic wave(SAW) filters with a multilayered configuration of IDT/ZnO/SiO$_2$/Si were also fabricated and the IDT was obtained using a lift-off method. From the frequency-response characteristics of fabricated devices, the insertion loss and side-lobe rejection were estimated. The experimental results showed that the (002)-oriented growth nature of ZnO films, which played a crucial role of determining the characteristic of SAW device, was strong1y dependent upon the SiO$_2$buffer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1651-1652
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• 2006

In this study, the 2-step methode by ALD equipment was used to improve the characteristics of ZnO thin films used in a piezoelectric layer when the FBAR devices of a SMR type are fabricated. The Height of formed buffer layer was $400{\AA}$ and ZnO thin film of $13600{\AA}$ was deposited by RF sputter on the buffer layer. When ZnO thin films are deposited, deposition conditions such as pressure, injection time of source and purge time were changed variously. The characteristics of piezoelectric layer such as a crystal orientation and micro-structure of deposited ZnO thin films were studied by SEM, AFM and XRD.