• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 한국ITS학회 2008년도 제7회 추계학술대회 및 정기총회
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• pp.611-616
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• 2008

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.1-6
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• 2010

본 연구에서는 S-파라미터 측정 데이터를 사용하는 RF측정방법으로 short-channel MOSFET의 RF 캐패시턴스 전압(C-V) 곡선을 상온에서 $225^{\circ}C$까지 추출하였으며, 추출된 고온 종속 특성을 엠피리컬하게 모델링하였다. RF C-V 특성곡선의 weak inversion영역에서 온도 변화에 따른 voltage shift가 threshold voltage shift보다 적은 현상이 관찰되었지만, 기존 long-channel C-V 이론 방정식으로 설명할 수 없는 현상임이 입증되었다. 이러한 short-channel C-V 곡선의 고온 종속 모델링을 위해서 새로운 엠피리컬 방정식이 개발되었다. 이 방정식의 정확도는 모델된 C-V곡선과 측정 데이터가 넓은 온도범위에서 잘 일치하는 결과를 관찰함으로써 입증되었다. 또한, 높은 게이트 전압에서는 온도가 증가함에 따라 채널 캐패시턴스 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.122-127
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• 2021

본 논문은 ITO 유리를 기판으로 사용하여 CdS 박막을 제작하였다. MDS (Multiplex Deposition Sputter System)을 이용하여 RF power와 증착시간을 변화시키면서 소자를 제작하였다. 제작된 시편은 광학적 특성에 대해 분석을 하였다. 본 논문의 목적은 태양전지의 광흡수층에 적용될 수 있는 제작조건을 찾는 것이다. RF power가 50W이고 증착 시간이 10분 일 때, 두께는 64Å로 측정되었다. 100W일?, 두께는 406Å로 측정되었고, 150W일 때는 두꼐는 889Å로 측정되었다. 박막은 RF power가 증가할수록 두께가 증가되는 것을 확인하였다. 광투과율 측정한 결과, 550~850nm는 RF power가 50W, 100W, 150W일 때 모두 투과율이 대략 70% 이상으로 관찰되었다. RF power가 증가되면 두께가 증가되고 입자 크기가 커지므로 박막의 밀도가 증가되어 광투과율이 감소되었다. RF power를 100W로 하고 증착시간을 15분 일 때, 밴드갭은 3.998eV로 계산되었다. 증착시간을 20분일 때, 3.987eV이고 150W는 15분에서는 3.965eV이며 20분에서는 3.831eV이다. RF power가 증가하면 밴드갭이 증가하는 것으로 측정되었다. XRD 분석에서 RF power와 증착시간의 변화에 관계없이 2Θ=26.44에서의 회절 피크를 관찰할 수가 있었다. 반치폭은 증착시간이 증가하면 감소되는 것을 알 수가 있었다. 그리고 RF power를 일정하게 하고 증착시간을 증가하면 입자크기는 증가되는 것으로 측정되었다.

• 대한금속재료학회지
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• 제47권1호
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• pp.38-43
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• 2009

To investigate the effect of RF power on the structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO (a-IGZO), its thin films and TFTs were prepared by RF magnetron sputtering method with different RF power conditions of 40, 80 and 120 W at room temperature. In this study, as RF power during the deposition process increases, the RMS roughness of a-IGZO films increased from 0.26 nm to 1.09 nm, while the optical band-gap decreased from 3.28 eV to 3.04 eV. In the case of the electrical characteristics of a-IGZO TFTs, the saturation mobility increased from $7.3cm^2/Vs$ to $17.0cm^2/Vs$, but the threshold voltage decreased from 5.9 V to 3.9 V with increasing RF power. It is regarded that the increment of RF power increases the carrier concentration of the a-IGZO semiconductor layer due to the higher generation of oxygen vacancies.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.75-82
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• 1999

내부 삽입형 유도결합 플라즈마를 이온화원으로 하는 I-PVD장치를 이용하여 박막을 형성하는데 중요한 요소의 하나가 이온의 입사에너지이며, 이는 플라즈마 전위와 기판 전위의 차이에 의해서 결정된다. 이를 감소시킬 목적으로 안테나 여기 주파수를 4MHz의 중간주파수에서, 안테나의 정합 회로를 변형형, 부동형의 2가지로 변화시키고, 부동형에서는 바이어스 저항의 값을 가변시켰다. 그 결과 Ar 플라즈마에서 4MHz RF 전력 600 W에서 5 mTorr에서 30 mTorr의 넓은 압력 범위에서 5V 미만의 낮은 평균 플라즈마 전위와 60V의 안테나 전압을 얻었다. 또한 출력측에 설치한 RLC회로의 조절을 통해서 RF전력 500 W에서 RF 입력 및 출력단의 Rf 안테나 유기 전압을 50V의 아주 낮은 값으로 유지시킬 수 있었다. 이때의 안테나 및 플라즈마의 총 임피던스는 약 10$\Omega$이었으며, 리액턴스를 0.05$\Omega$수준으로 유지하였을 때 가장 낮은 전압을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.7-12
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• 2008

본 연구에서는 게이트 finger수가 증가될수록 드레인 전류의 증가율과 차단주파수가 감소되는 wide width effect를 관찰하였으며, 이 현상을 모델링하기 위하여 기존 BSIM3v3 RF 모델에 finger수에 무관한 외부 소스 저항을 새로 첨가한 개선된 SPICE MOSFET RF 모델을 개발하였다. 이러한 모델로 시뮬레이션된 Nf 종속 드레인 전류와 차단주파수는 기존 BSIM3v3 RF모델보다 $0.13{\mu}m$ multi-finger MOSFET의 측정데이터와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 RF 모델의 정확도를 증명한다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.853-858
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• 2020

본 논문은 통신기기에서 유입 되는 RF 노이즈에 대해 내성을 가진 OLED용 2-채널 DC-DC 변환기를 제안한다. RF 신호 내성을 위해, 입력전압 변동만큼 감쇠시키는 입력전압 변동감쇠 회로가 내장된다. 양의 전압 V_POS를 출력하는 부스트 변환기는 SPWM-PWM 듀얼모드로 동작하고, 데드 타임을 제어함으로써 전력 효율을 제고한다. V_NEG를 출력하는 인버팅 차지펌프는 2-상 출력 구조로 VCO를 이용한 PFM으로 동작해 작은 리플을 갖도록 설계된다. 0.18 ㎛ BCDMOS 공정으로 시뮬레이션 한 결과, 부스트 변환기 출력전압의 오버슈트와 언더슈트는 10 mV에서 각각 2 mV, 5 mV로 감소하였다. 또한, 2-채널 DC-DC 변환기의 전력효율은 39%~93%을 가졌고, 데드 타임 제어기를 적용한 부스트 변환기의 효율은 종전보다 최대 3% 증가하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.85-85
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• 2011

RF magnetron co-sputtering을 이용하여 RF power 및 공정 압력에 따라 GZO 및 IGZO 박막을 유리기판 위에 제작하고 투명전극으로 구조적, 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. 박막 증착 조건의 초기 압력은 $1.0{\times}10^{-6}Torr$, 증착온도는 상온으로 고정하였으며 기판은 Corning 1737 유리기판을 사용하였다. 소결된 타겟으로 ZnO, $In_2O_3$ 및 $Ga_2O_3$을 이용하였으며, 각각의 타겟은 독립 된 RF파워를 변화시키며 투명전극의 성분비를 조절하였으며, 증착 압력은 10 m에서 100 mTorr까지, 기판과의 거리는 25 mm에서 65 mm까지 변화시키며 박막을 제작하였다. 유리기판 위에 불순물이 첨가된 모든 ZnO 박막에서 (002) 면의 우선배향성이 관찰되었고, 3.4eV에서 3.5eV 정도의 광학적 밴드갭을 가지며 80% 이상의 투과율을 나타내었다. GZO 박막의 경우 증착 조건에 따라 투명전극에 요구되는 $5*10^{-3}{\Omega}-cm$ 이하의 전기적특성을 가짐을 보였으며, gallium 성분이 0%에서 6%로 증가함에 따라 3.3eV에서 3.5eV로 blue-shift하였으며, 비저항은 0.02에서 $0.005{\Omega}cm$로 낮아졌으며 이동도는 $4.7cm^2V^{-1}s^{-1}$에서 $2.7cm^2V^{-1}s^{-1}$로 보이며 GZO 물질이 투명전극으로서 기존의 ITO 물질 대체 가능성을 확인하였다. IGZO 박막은 In과 Ga의 함량에 따라 저항률의 변화가 크게 나타났으며, In의 함량이 많을수록 이동도, 캐리어 농도의 증가로 저항률은 감소하였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.293-297
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• 2020

본 논문은 multiplex deposition sputter system을 이용하여 ITO 유리에 CdS 박막을 증착하여 태양전지에 적용될 수 있는 가장 좋은 조건을 찾고자 하였다. RF power를 50W, 100W, 150W로 변화주었고 스퍼터링시간은 10분으로 하였다. 투과율을 측정한 결과, 400~800 nm 영역에서 평균 투과율은 60%에서 80% 까지 측정되었으며 150W일 때 84%로 가장 좋은 특성이 측정되었다. 또한 밴드갭은 50W일 때 3.762eV, 100W일 때 4.037eV, 150W일 때 4.052eV로 측정되었다. XRD 분석에서는 RF power가 증가하여도 CdS의 구조인 Wurtzite(hexagonal)로 관찰되었다. 그리고 RF power가 증가할수록 입자가 크고 균일하게 증착 되었나, 100W 일 때 입자들이 조밀하게 구성되었고 밀도가 크다는 것을 알 수 있었다. 그리고 두께 측정 결과 RF power 가 증가할수록 균일성 있게 증가되었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제30권2호
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• pp.108-114
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• 2002

변장 14.0 cm와 16.5 cm인 소나무 정각재의 가열판진공건조와 고주파진공건조간의 건조속도, 함수율분포와 비(比)에너지를 비교하였다. 고주파진공건조는 가열판진공건조보다 건조속도 및 변장이 건조속도에 미치는 영향이 컸었다. 가열판진공건조 목재의 재장방향, 두께방향과 폭방향의 함수율분포는 볼록 형태를 나타내었고, 고주파진공건조 목재는 오목 형태를 나타내었다. 가열판진공건조 목재의 폭방향과 두께방향간의 수분경사는 유사하였으나 고주파진공건조 목재의 경우는 폭방향의 수분경사가 두께방향보다 완만하였다. 가열판진공건조와 고주파 진공건조의 비(比)에너지곡선은 함수율이 감소할수록 증가하는 경향을 나타내었고, 가열판진공건조의 비(比)는 고주파진공건조보다 컸었다.