• 진공이야기
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• 제4권4호
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• pp.4-13
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• 2017

Quantum structures containing nanoparticles have attracted much attention because of their promising potential applications in electronic and optoelectronic devices operating at lower currents and higher temperatures. The quantum dot is a particle of matter so small that the addition or removal of an electron changes its properties in some useful way. The Quantum dots typically have dimensions measured in nanometers, where one nanometer is 10-9 meter or a millionth of a millimeter. The emission and absorption spectra corresponding to the energy band gap of the quantum dot is governed by quantum confinement principles in an infinite square well potential. The energy band gap increases with a decrease in size of the quantum dot. In this review paper, we will discuss the quantum dot and their application.

• 전자통신동향분석
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• 제38권1호
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• pp.9-16
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• 2023

In the rapidly growing field of quantum computing, it is evident that a robust supply chain is needed for commercialization or large-scale production of quantum chips. As a result, the success of many R&D projects worldwide relies on the development of quantum chip foundries. In this paper, a variety of quantum chip foundries, particularly the ones creating photonic integrated circuit (PIC) quantum chips, are reviewed and summarized to demonstrate current technological trends. Global projects aiming to establish new foundries, as well as information regarding their respective funding, are also included to identify the evolutionary direction of quantum computing infrastructure. Furthermore, the potential application of lithium niobate as a novel material platform for quantum chips is also discussed.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
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• pp.495-496
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• 2006

• 한국진공학회지
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• 제15권2호
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• pp.209-215
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• 2006

PL (photoluminescence), PLE (PL excitation) 그리고 근 적외선 투과 분광법을 활용하여 InAsGa/GaAs 우물 내 InAs 양자점 구조의 광학적 특성과 전자 버금 띠 구조에 대하여 연구하였다. 투과 스펙트럼과 PLE 스펙트럼으로부터 InAs 양자점 내 세 개의 구속 상태와 InGaAs/GaAs 우물 내에 두 개의 구속 상태가 존재함을 발견하였고, 광전류 스펙트럼에서 관측된 버금 띠 사이 전이들과 연관지어 해석하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권8호
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• pp.3-14
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• 2013

본 논문에서는 어떠한 이진 입력 이산 퀀텀채널(quantum channel)이 주어지더라도 대칭 용량을 달성할 수 있는 qubit(quantum bit)를 생성하기 위해, 극(polar) 퀀텀 채널 코딩이라 부르는 퀀텀 채널의 결합과 분리 형태를 제시한다. 현재의 용량은 동등 확률을 갖는 임의의 qubit 입력에 따라서 결정된다. 퀀텀채널의 분극은 대칭채널이 1에 근접하면 rate 1로 아니면 rate 0으로 전송하는 채널을 통해 퀀텀 데이터를 부분적으로 전송하는 퀀텀 오류정정 부호화에 아주 적합하다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권4호
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• pp.278-286
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• 2011

In this paper, we present a compact model of gate-voltage-dependent quantum effects in short-channel surrounding-gate (SG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). We based the model on a two-dimensional (2-D) analytical solution of Poisson's equation using cylindrical coordinates. We used the model to investigate the electrostatic potential and current sensitivities of various gate lengths ($L_g$) and radii (R). Schr$\ddot{o}$dinger's equation was solved analytically for a one-dimensional (1-D) quantum well to include quantum effects in the model. The model takes into account quantum effects in the inversion region of the SG MOSFET using a triangular well. We show that the new model is in excellent agreement with the device simulation results in all regions of operation.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.591-596
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• 1994

Gain-guided 구조를 갖는 단일양자우물 laser diode에서, stripe 폭에 따른 threshold의 변화를 복소수영역 유효굴적률방법을 이용하여 분석하였다. 분석결과 stripe 폭이 좁은 영역에서는, 측방향광집속률을 나타내기위하여 세롭게 도입된 변수 가 수직방향광집속률 가 감소함에따라 급격하게 감소하는 경향을 알아내었다. 따라서 일반적으로 매우작은 수직방향광집속률을 갖는 단일양자우물 laser diode에서는, stripe 폭의 크기에 따라서는 광집속률이 측방향은 물론 수직방향으로도 매우 나빠지게 됨으로 이득포와현상을 더욱 심하게시키게되며 경우에 따라서는 문턱전류가 비정상적으로 증가하는 현상으로 이어지게된다. 이와같은 문턱치의 stripe 폭에 대한 약간의 비정상적인 의존성을 이해하는 것은 양자우물 laser diode의 구조최적화에 있어서 매우 중요한 일이라고 판단된다.

• 한국재료학회지
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• 제17권9호
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• pp.489-492
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• 2007

Temperature and injection current dependence of elctroluminescence(EL) spectral intensity of the $In_{0.27}Ga_{0.73}N/GaN$ multi-quantum-well(MQW) have been studied over a wide temperature and as a function of injection current level. EL peaks also show significant broadening into higher photon energy region with the increase of injection current. This is explained by the band-filling effect. When temperature is slightly increased to 300 from 15 K, the EL emission peak showed red-blue-red shift. It can be explained by the carrier localization by potential fluctuation of multiple quantum well and band-gap shrinkage as temperature increase. It is found that a temperature-dependent variation pattern of the EL efficiency under very low and high injection currents show a drastic difference. This unique EL efficiency variation pattern with temperature and current is explained field effects due to the driving forward bias in presence of internal(piezo and spontaneous polarization) fields.

• 한국항행학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.91-97
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• 2004

본 논문은 수직 구조와 고성능 특성을 가진 InGaAsP 다중양자우물(MQW; Multiple Quantum Well) 비대칭 페브리페롯 변조기(AFPM; Asymmetric Fabry-Perot Modulators)에 관한 연구결과로써 광대역 동작특성과 저가격이 요구되는 피코셀과 같은 차세대 광대역 무선통신 시스템에 응용 가능성을 제안하고자 한다. 이 AFPM은 <-2V 동작전압과 광섬유와 간단히 결합되어 결합손실이 3dB 내외인 장점과 -3dB 주파수응답 특성이 10GHz인 특성을 보이므로 광대역 및 다중 무선서비스가 요구되는 시스템에 적용 가능할 것으로 기대된다. 이를 위한 간단한 링크실험 결과 92dB/Hz의 SFDR(Spurious Free Dynamic Range)과 약 40dB의 IMD(Inter-Modulation Distortion)의 결과를 보였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.716-723
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• 1990

Transmission electron microscopy (TEM) and anger electron microscopy(AES) studies of GaAs/AlxGa1-xAs(x=0.58) quantum wells grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition(LP-MOCVD) are carried out. Isolated quantum well structure having the well width as small as 15 \ulcornerand multiquantum well structure, which consisted of 51 alternating layers with each thickness of 10\ulcorner were suscessfully grown. TEM analyses have shown that their interfaces were almost completely coherent without any structural disorder, alloy clustering and crystal defect. AES depth resolution have shown the compositional periodicity of superlattice structure.