초전도양자간섭소자(SQUID)를 이용한 자장센서는 현재 개발된 자장센서중에서 감도가 가장 우수한 소자로서 인체의 두뇌에서 발생하는 매우 미약한 자장에 측정이 가능하다. 뇌자도측정은 현재 많이 사용되고 있는 전기적인 측정(뇌파, 뇌유발전위) 에 비해 공간분해능이 우수하고, fMRI나 PET에 비해서는 시간분해능이 우수하므로 뇌기능연구에 유용하게 사용될 수 있다. 본 연구에서는 뇌자도 측정을 위하여 4-채널 SQUID시스템을 개발하였다. 개발된 시스템의 주요 특징은 새로운 방식의 SQUID센서를 채택함으로서 간단한 회로로써 SQUID구동이 가능하도록 하였으며, 검출코일의 신뢰성을 향상시키기 위하여 집적화된 평면형 코일을 사용하였다. 외부 환경잡음을 소거하기 위하여 자기차폐실을 설치하였고, 개발된 SQUID 시스템을 이용하여 뇌의 청각령으로부터 발생하는 자기신호를 측정하였다.
A PET-MR system is particularly useful in diagnosing brain diseases. We have developed a prototype positron emission tomography (PET) system which can be inserted into the bore of a whole-body magnetic resonance imaging (MRI) system that enables us to obtain PET and MRI images simultaneously with a reduced cost. Silicon photomultipliers (SiPM) are appropriated as a PET detector at PET/MR system because detectors have a high gain and are insensitive to magnetic fields. Despite of its improved performance compared to that of PMT-based detectors, there is a problem of the photo-peak channel shift which is due to the increase of the temperature inside the ring detector. This problem will occur decreasing sensitivity of the PET and image distortion. In this paper, I quantitative analyze parameters of the KAIST SiPM depending on temperature by experiments. And I designed cooling methods in consideration of the degradation of sensors for correction of the temperature in the PET gantry. According to this research, we expect that distortive images and degradation of the sensitivity will not be occurred with using the above idea to reduce heat even if the PET system operates for a long time.
In this study, a PbS quantum dots (QDs)-based H2 gas sensor with a Pd electrode was proposed. QDs have a size of several nanometers, and they can exhibit a high surface area when forming a thin film. In particular, the NH2 present in the ligand of PbS QDs and H2 gas are combined to form NH3+, subsequently the electrical characteristics of the QDs change. In addition to the resistance change owing to the reaction between Pd and H2 gas, the resistance change owing to the reaction between the NH2 of PbS QDs and H2 gas increases the current signal at the sensor output, which can produce a high output signal for the same concentration of H2 gas. Using the XRD and absorbance properties, the synthesis and particle size of the synthesized PbS QDs were analyzed. Using PbS QDs, the sensitivity was significantly improved by 44%. In addition, the proposed H2 gas sensor has high selectivity because it has low reactivity with heterogeneous gases such as C2H2, CO2, and CH4.
A heart diagnosis system adopts Superconducting Quantum Interface Device(SQUID) sensors for precision MCG signal acquisitions. Such system is composed of hundreds of sensors, requiring fast signal sampling and precise analog-digital conversions(ADC). Our development of hardware board, processing 64-channel 12-bit 1ks/s, is built by using 8-channel ADC chips, 8-bit microprocessors, SPI interfaces, and parallel data transfers between microprocessors to meet the 1ks/s, i.e. 1 ms speed. The test result shows that the signal acquisition is done in 168 usuc which is much shorter than the required 1 ms period. This hardware will be extended to 256 channel data acquisition to be used for the diagnosis system.
본 연구에서는 입자 침전법으로 제작된 HgO와 PbO 기반 영상 센서의 유방촬영 영역에서의 적용 가능성을 조사하였다. 이를 위하여, 다양한 두께에 따른 HgO와 PbO 필름의 물리적 특성과 x선에 대한 양자 효율을 측정하였으며, 몬테카를로 시뮬레이션 결과와 비교 평가하였다. 또한, 입자 침강법을 이용하여 인듐 주석 산화물로 코팅 된 투명 유리기판 위에 대면적 다결정 박막을 제작하였다. 본 연구에서는 단결정의 효율과 비슷한 양자 효율을 얻기 위하여 필름의 두께와 제작 조건을 변화시켜 최적화 하였다. 본 연구의 결과를 기반으로 차후 대면적 a-Si:H 패널에 적합한 대면적 필름의 제작 기술과 최적화 연구가 가능할 것으로 판단된다.
Quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs) are emerging as next-generation displays owing to their high color purity, wide color gamut, and solution processability. Enhancing the efficiency of QD-LEDs involves preventing non-radiative recombination mechanisms, such as Auger and interfacial recombination. Generally, ZnO serves as the electron transport layer, which is known for its higher mobility compared to that of organic semiconductors and can lead to excessive electron injection. Some of the injected electrons pass through the quantum dot emissive layer and undergo non-radiative recombination near or within the organic hole transport layer (HTL), resulting in HTL degradation. Therefore, the implementation of electron blocking layers (EBLs) is essential; however, studies on all-solution-processed inverted InP QD-LEDs are limited. In this study, poly(9-vinylcarbazole) (PVK) is introduced as an EBL to mitigate HTL degradation and enhance the emission efficiency of inverted InP QD-LEDs. Using a single-carrier device, PVK was confirmed to effectively inhibit electron overflow into the HTL, even at extremely low thicknesses. The optimization of the PVK thickness also ensured minimal disruption of the hole-injection properties. Consequently, a 1.5-fold increase in the maximum luminance was achieved in the all-solution-processed inverted InP QD-LEDs with the EBL.
Photocurrent enhancement has been investigated in monolayer (1L) $MoS_2$ with PbS quantum dots (QDs). A metal-semiconductor-metal (Au-1L $MoS_2$-Au) junction device is fabricated using a standard photolithography method. Considerably improved photo-electrical properties are obtained by coating PbS QDs on the Au-1L $MoS_2$-Au device. Time dependent photoconductivity and current-voltage characteristics are investigated. For the QDs-coated $MoS_2$ device, it is observed that the photocurrent is considerably enhanced and the decay life time becomes longer. We propose that carriers in QDs are excited and transferred to the $MoS_2$ channel under light illumination, improving the photocurrent of the 1L $MoS_2$ channel. Our experimental findings suggest that two-dimensional layered semiconductor materials combined with QDs could be used as building blocks for highly-sensitive optoelectronic detectors including radiation sensors.
In this paper, we fabricated the optoelectronic device based on Cadmium selenide(CdSe) nanocrystal quantum dots (NQDs)/single-walled carbon nanotubes(SWNTs) heterostructure using dieletrophoretic force. The efficient charge transfer phenomena from CdSe to SWNT make CdSe-Pyridine(py)-SWNT unique heterostructures for novel optoelectronic device. The conductivity of CdSe-py-SWNT was increased when it was exposed at ultra violet(UV) lamp, and varied as a function of wavelength of incident light.
Conjugated nanocrystals using CdSe/ZnS core/shell nanocrystal quantum dots modified by organic linkers and glucose oxidase (GOx) were prepared for use as biosensors. The trioctylphophine oxide (TOPO)-capped QDs were first modified to give them water-solubility by terminal carboxyl groups that were bonded to the amino groups of GOx through an EDC/NHS coupling reaction. As the glucose concentration increased, the photoluminescence intensity was enhanced linearly due to the electron transfer during the enzymatic reaction. The UV-visible spectra of the as-prepared QDs are identical to that of QDs-MAA. This shows that these QDs do not become agglomerated during ligand exchanges. A photoluminescence (PL) spectroscopic study showed that the PL intensity of the QDs-GOx bioconjugates was increased in the presence of glucose. These glucose sensors showed linearity up to approximately 15 mM and became gradually saturated above 15 mM because the excess glucose did not affect the enzymatic oxidation reaction past that amount. These biosensors show highly sensitive variation in terms of their photoluminescence depending on the glucose concentration.
In this study, a pyrene-core single molecule with amino (-NH2) functional group material was hybridized using ZnO quantum dots (QDs). The suppressed performance of the 1-aminopyrene (1-PyNH2) single molecule as an emissive layer (EML) in light-emitting diodes (LEDs) was exploited by adopting the ZnO@1-PyNH2 core-shell structure. Unlike pristine 1-PyNH2 molecules, the ZnO@1-PyNH2 hybrid QDs formed energy proximity levels that enabled charge transfer. This result can be interpreted as an improvement in surface roughness. The uniform and homogeneous EML alleviates dark-spot degradation. Moreover, LEDs with the ITO/PEDOT:PSS/TFB/EML/TPBi/LiF/Al configuration were fabricated to evaluate the performance of two emissive materials, where pristine-1-PyNH2 molecules and ZnO@1-PyNH2 QDs were used as the EML materials to verify the improvement in electrical characteristics. The ZnO@1-PyNH2 LEDs exhibited blue luminescence at 443 nm (FWHM = 49 nm), with a turn-on voltage of 4 V, maximum luminance of 1500 cd/m2, maximum luminous efficiency of 0.66 cd/A, and power efficiency of 0.41 lm/W.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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