• 한국자기학회지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.221-225
• /
• 2007

[ $Co_{73}Pt_{27}-TiO_2$ ] 수직자기 기록매체에 대해 집속이온빔(FIB)을 이용한 $Ga^+$ 이온 조사에 따른 자기적 특성의 변화를 조사하였다. $Ga^+$ 이온 도즈량을 $1\times10^{15}ions/cm^2$에서 $30\times10^{15}ions/cm^2$까지 증가시켰을 때 도즈량 $20\times10^{15}ions/cm^2$ 이상에서 수직자기이방성 및 강자성 특성이 사라지는 것이 관찰되었으며, 이는 스퍼터링 효과에 따른 수직자기 기록층의 두께 감소보다는 $Ga^+$ 이온 주입에 따른 수직자기 기록매체내의 조성 분포의 변화에 따른 것으로 보인다. $Ga^+$ 이온 조사법을 이용하며 $70\times70nm^2,\;100\times100nm^2$ 크기의 자기구조체 패턴을 형성하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.97-101
• /
• 2003

New Pt/Ti and hi/Ti double-metal structures have been investigated for the application of a diffusion barrier between Cu and Si in deep submicron integrated circuits. Pt/Ti and Ni/Ti were deposited using E-beam evaporator at room temperature. The performance of Pt/Ti and Ni/Ti structures as diffusion barrier against Cu diffusion was examined by charge pumping method, gate leakage current, junction leakage current, and SIMS(secondary ion mass spectroscopy). These evaluation indicated that Pt/Ti(200${\AA}$/100${\AA}$) film is a good barrier against Cu diffusion up to 450$^{\circ}C$.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제37권3호
• /
• pp.263-270
• /
• 2000

The Pt/copper oxide/n-Si electrodes were fabricated by depositing copper oxide thin film of 500${\AA}$ and very thin Pt layer on the n-type (100) Si substrate. hotoelectrochemical properties and stability profiles of the electrodes were investigated as a function of deposition time of Pt layer. As the deposition time of Pt layer increased up to 10 seconds, the photocurrent and quantum efficiency were increased and then decreased with further depositing time. The better cell stability was observed for the electrode with longer deposition time. The improvements in above photoelectrochemical properties indicate that Pt layer acts as a catalyst layer at electrode/electrolyte interface as well as a protective layer. The decreasing tendency of the photocurrent and efficiency for the electrode with Pt layer deposited above 20 seconds was explained as an increases in probbility of electron-hole pair recombination and also the absorbing photon loss at electrode surface due to the excessive thickness of Pt layer. The results were confirmed by impedance spectroscopy, mutiple cycle voltammograms and microstructural analyses.

• 한국재료학회지
• /
• 제4권4호
• /
• pp.401-405
• /
• 1994

Laser ablation기술에 의해 Pt와 $YBa_Cu_3O_{7-x}$(YBCO)전극위에 epitaxially성장된 BST박막의 조성과 전기적 특성이 연구되었다. RBS분석으로부터 Pt전극 위에 증착된 BST박막의 결정성이 YBCO전극 위에 증착된 것보다도 더 우수하였다. $600^{\circ}C$에서 Pt 전극위에 증착된 BST박막은 100kHz의 주파수에서 유전상수가 320, 유전손실이 0.023이었다. Pt전극위에 증착된 BST박막의 누설전류 밀도가 TBCO전극위에 증착된 것 보다도 더 작았다. 0.15MV/cm의 전기장 하에서 누설전류밀도는 약 0.8 $\mu \; A/ \textrm{cm}^2$이었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제6권2호
• /
• pp.177-184
• /
• 1996

본연구에서는 금속타겟을 이용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 PZT 박막의 전극 및 계면 특성의 개선을 위해, $Pt/SiO_{2}/Si$과 $Ir/SiO_{2}/Si$기판을 각각 사용하였으며, buffer layer로는 $PbTiO_{3}$을 이용하였다. Pt하부전극을 이용하여 PZT 박막제조시 randomly oriented PZT 박막이 얻어졌으나, buffer layer를 이용한 경우 (100)으로 배향된 결정성이 좋은 PZT 박막을 얻을 수 있었다. Ir하부전극을 이용한 경우, buffer layer증착에 따른 PZT 박막의 상형성이 다소 증진되었으며, Pt하부전극의 경우에 비해 잔류분극의 증가와 항전계의 감소를 관찰할 수 있었다. PZT 박막제조시 buffer layer의 이용에 따라 유전율이 증가함을 알 수 있었으며, 또한 Ir하부전극의 경우가 Pt하부전극의 경우보다 더 좋은 유전특성이 얻어졌다.

• 한국식품저장유통학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.461-468
• /
• 2008

꾸지뽕잎차 제조의 기초적 자료를 마련하기 위하여 건조생잎(RT), 덖음차(PT) 및 발효차(F)의 품질특성을 비교하였다. 수분함량은 RT 18.47%, PT 및 FT는 각각 6.23% 및 8.50%였다. 조단백질 함량은 RT 17.77%, PT 20.46%, FT 19.13%였으며 조지방 함량은 $0.05{\sim}0.07%$, 회분함량은 $9.27{\sim}10.74%$, 탄수화물함량은 RT 54.42%, PT 62.52%, FT 61.96%였다. 수용성 고형물의 함량은 FT>PT>RT순으로 $23.10{\sim}37.38%$였으며 total rolyphenol 함량은 $815.24{\sim}835.16\;mg%$로 유의적인 차이가 없었다. $L^*$값은 RT 34.71, PT 20.94, FT 20.85로 PT 및 FT에서 낮았으며, $a^*$값은 PT에서 $b^*$값은 RT에서 높았다. 모든 추ethanol 추출물에서 농도가 증가할수록 환원력, 전자공여능 및 superoxide dismutase유사활성이 증가하였으며 FT의 경우가 PT및 RT에 비하여 높았다. 총유리아미노산 함량은 FT(1429.93 mg/100 g)>RT(1108.94 mg/100 g)>PT(833.13 mg/100 g)순 이였으며, 주요 유리 아미노산은 RT에서는 L-asparagine, L-valine, PT에서는 L-cystine, L-glutamic acid, FT에서 는 L-proline이 였다. 관능검사 결과 PT와 FT는 RT에서 나타나는 쓴맛과 떫은맛이 감소되었으며 단맛, 구수한 맛이 향상되었고 풍미, 색상 및 종합적 기호도가 향상되었다. 이상의 실험결과, 덖음꾸지뽕잎차와 발효꾸지뽕잎차는 맛, 풍미, 기호도 등 관능적 품질은 상호 대등한 반면 덖음차보다 발효차에서 항산화활성이 높고 유리아미노산의 함량이 높아 품질면에서 우수한 것으로 평가되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제33권10호
• /
• pp.3331-3337
• /
• 2012

Ru-modified Pt nanoparticles of various sizes on platelet carbon nanofiber toward methanol oxidation were investigated in terms of particle size effect. The sizes of Pt nanoparticles, prepared by polyol method, were in the range of 1.5-7.5 nm and Ru was spontaneously deposited by contacting Pt nanoparticles with the Ru precursor solutions of 2 and 5 mM. The Ru-modified Pt nanoparticles were characterized using transmission electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and cyclic voltammetry. The methanol oxidation activities of Ru-modified Pt nanoparticles, measured using cyclic voltammetry and chronoamperometry, revealed that when the Pt particle size was less than 4.3 nm, the mass specific activity was fairly constant with an enhancement factor of more than 2 at 0.4 V. However, the surface area specific activity was maximized on Pt nanoparticles of 4.3 nm modified with 5 mM Ru precursor solution. The observations were discussed in terms of the enhancement of poison oxidation by Ru and the population variation of Pt atoms at vertices and edges of Pt nanoparticles due to selective deposition of Ru on the facets of (111) and (100).

• 한국환경과학회지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.251-260
• /
• 2011

$TiO_2$- and $SiO_2$-supported $Co_3O_4$, Pt and $Co_3O_4$-Pt catalysts have been studied for CO and $C_3H_8$ oxidations at temperatures less than $250^{\circ}C$ which is a lower limit of light-off temperatures to oxidize them during emission test cycles of gasoline-fueled automotives with TWCs (three-way catalytic converters) consisting mainly of Pt, Pd and Rh. All the catalysts after appropriate activation such as calcination at $350^{\circ}C$ and reduction at $400^{\circ}C$ exhibited significant dependence on both their preparation techniques and supports upon CO oxidation at chosen temperatures. A Pt/$TiO_2$ catalyst prepared by using an ion-exchange method (IE) has much better activity for such CO oxidation because of smaller Pt nanoparticles, compared to a supported Pt obtained via an incipient wetness (IW). Supported $Co_3O_4$-only catalysts are very active for CO oxidation even at $100^{\circ}C$, but the use of $TiO_2$ as a support and the IW technique give the best performances. These effects on supports and preparation methods were indicated for $Co_3O_4$-Pt catalysts. Based on activity profiles of CO oxidation at $100^{\circ}C$ over a physical mixture of supported Pt and $Co_3O_4$ after activation under different conditions, and typical light-off temperatures of CO and unburned hydrocarbons in common TWCs as tested for $C_3H_8$ oxidation at $250^{\circ}C$ with a Pt-exchanged $SiO_2$ catalyst, this study may offer an useful approach to substitute $Co_3O_4$ for a part of platinum group metals, particularly Pt, thereby lowering the usage of the precious metals.

• 전기학회논문지
• /
• 제56권10호
• /
• pp.1786-1790
• /
• 2007

The $(SrCa)TiO_3(SCT)$ thin films are deposited on Pt-coated electrode ($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method at various deposition temperature. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of deposition temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of $-80{\sim}+90[^{\circ}C]$. Also, SCT thin films was observed the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency was observed above 200[kHz]. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of $25{\sim}100[^{\circ}C]$ can be divided into three characteristic regions with different mechanism by the increasing current. The region 1 below 0.8[MV/cm] shows the ohmic conduction. The region 2 can be explained by the Child's law, and the region 3 is dominated by the tunneling effect.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권12호
• /
• pp.1263-1269
• /
• 1996

반도체 메모리 소자에 이용되는 하부전극의 Pt 박막을 MOCVD 증착방법을 이용하여 SiO2(100nm)/Si 기판위에 증착하였다. 반응개스로 O2개스를 사용하였을 경우에 순수한 Pt 박막을 얻었으며 증착층은(11)우선방향을 가지고 성장하였다. 증착온도가 45$0^{\circ}C$에서는 결정립 경계에 많은 hole이 형성되어 박막의 비저항을 증가시켰다. MOCVD에 의해 얻어진 Pt 박막은 전 증착온도범위에서 인장응력을 가지고 있었으며 40$0^{\circ}C$이상의 온도에서 hole이 형성되면서 응력은 감소하였다. MOCVD-Pt 위에 PEMOCVD로 증착한 강 유전체 SrBi2Ta2O9박막은 균일하고 치밀한 미세구조를 보였다.