A Study on the Diffusion Barrier Properties of Pt/Ti and Ni/Ti for Cu Metallization |
장성근 (청운대학교 전자공학과) |
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<TEX>$N_2O$</TEX>가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성
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과학기술학회마을 |
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A reliable approach to chargepumping measurements in MOS transistors
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Cu와 Si 사이에서 확산 방지막으로 사용하기위한 TiN/Zr(N)/TiN 다층박막의 연구
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과학기술학회마을 |
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<TEX>$N_2O$</TEX>가스로 열산화된 게이트 산화막의 특성
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Copper contamination Induced Degradation of MOSFET Charateristics and Reliability
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MOCVD TiN diffusion barrier for copper interconnection
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Full Copper Wiring in a sub-0.25㎛ CMOS ULSI Technology
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CVD <TEX>$T_aN$</TEX> barrier for copper metallization and DRAM bottom electrode
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