• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제53권6호
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• pp.425-432
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• 2004

In this paper, we introduce the analog memory fabricated in a 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ single poly standard CMOS process. We measured the programming characteristics of the analog memory cell such as linearity, reliability etc. Finally, we found that the characteristics of the programming of the cell depend on the magnitude and the width of the programming pulse, and that the accuracy of the programming within 10mV is feasible under the optimal condition. In order to standardize the characteristics of the cell, we have investigated numbers of cells. Thus we have used a program named Labview and a data acquisition board to accumulate the data related to the programming characteristics automatically.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.250-260
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• 2017

본 연구에서는 종편TV 예능방송프로그램을 중심으로, 수용자가 지각하는 편성특성이 시청의도에 어떠한 영향을 미치는지 시청자 360명의 설문자료를 통해 분석하였다. 본 연구의 연구문제 검증결과를 정리하면 다음과 같다. 종편TV 예능방송프로그램 수용자가 지각하는 편성특성 요인이 시청의도에 미치는 영향을 분석하기 위하여, 개인적 특성을 통제변수로 투입하고, 편성특성을 독립변수로, 시청의도를 종속변수로 설정하여 다중회귀분석을 실시한 결과, 회귀모형이 유의한 것으로 나타났으며, 종편TV 예능방송프로그램 수용자가 지각하는 편성특성 요인이 긍정적일수록 시청의도가 유의하게 향상되는 것으로 볼 수 있다. 또한, 시청의도에 유의한 영향을 미치는 편성특성 요인은 인접성 > 내용적충실성 > 장르비중 > 사회적증거 > 상대적우위 > 접근용이성의 순으로 정(+)의 영향력을 나타내고 있었다. 결국 본 연구는 편성특성이 시청행위에 미치는 효과에 관해 경험적으로 검증하고, 종편 시청행위에 영향을 미치는 편성의 구조적 요인 내에서도 어떠한 우선순위가 있는지 밝혔다는데 의의가 있으며, 본 연구의 결과는 종편채널이 다양한 장르를 제작하고 편성하며, 이 과정에서 방송의 질적 수준과 지속성 및 차별성을 담보할 수 있는 전략이 필요함을 시사한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.52-55
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• 2000

The temperature effects of programming speed and endurance characteristics in p-channel flash memory cell have been investigated. In the case of room temperature, the programming speed of p-channel flash memory by using BTB scheme is faster than that by using CHE scheme. However, endurance characteristics with BTB programming scheme is not better than that with CHE programming scheme. In the case of elevated temperature, CHE programming speed is reduced due the gate current degradation but BTB programming speed is enhanced due to the increasing of gate current. Finally, the endurance characteristics of both schemes are improved due to the reduction of gate oxide traps.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.771-774
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• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by 0.35 $\mu\textrm{m}$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the multi-bit operation per cell, charges must be locally frapped in the nitride layer above the channel near the source-drain junction. Programming method is selected by Channel Hot Electron (CUE) injection which is available for localized trap in nitride film. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve are investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated. Also, Hot Hole(HH) injection for fast erasing is used. The fabricated SONOS devices have ultra-thinner gate dielectrics and then have lower programming voltage, simpler process and better scalability compared to any other multi-bit storage Flash memory. Our programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 컴퓨터교육학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.15-24
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• 2014

정보 교과에서 프로그래밍 교육은 '문제해결력 향상'에 긍정적인 효과가 있다고 보고되었다. 프로그래밍 교육을 통한 문제해결력 향상은 성별, 프로그래밍 방식 등의 학습자 특성에 의해 분석하였다. 본 연구는 학습자의 특성을 구분하고, 학습자 특성에 적합한 프로그래밍 방법이 무엇인지를 규명하기 위한 목적이 있다. 목적 달성을 위해, 프로그래밍 수업을 진행하는 S 고등학교 학생 62명을 연구 대상으로 하였다. 연구 결과, 개별 성취도에 영향을 미치는 것은 성별과 프로젝트 선호도이고, 팀 성취도에 영향을 미치는 것은 프로그래밍 경험으로 나타났다. 본 연구는 분석 자료를 통해 학습자 특성의 관점에서 프로그래밍 수업을 어떻게 진행해야 할 것인지 논의하고, 고려되어야 할 학습자 특성에 대한 시사점을 제공하였다.

• 컴퓨터교육학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.13-21
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• 2011

본 연구의 목적은 CL(Computatioanl Literacy) 교육에서 중요한 교육 내용인 프로그래밍 문제해결 과정을 규명하는데 있다. 프로그래밍 초보학습자들의 인지적 사고과정 분석을 통해 프로그래밍 문제해결 과정에서 나타나는 사고 특성을 조망하는 분석틀을 제시하고, 실제 CL 문제해결 과정에서의 초보학습자들의 사고과정을 규명하는 것이다. 이를 위해 사고발성법을 적용하여 프로그래밍 과정에서 나타나는 여러 상황을 분석하였다. 본 연구에서는 학생들의 사고 특성을 추출하는 분석코드와 프로그래밍 과정 코드를 이용한 코딩조직를 개발하였고, 프로그래밍 과정에서 겪는 어려움과 이를 해결하는 과정을 Nvivo를 사용하여 종합적으로 분석하였다. 특히 프로그래밍 과정에서 나타나는 사고력의 활용에 대한 분석과 시사점을 제시하였다. 본 연구는 프로그래밍 과정에서 나타나는 인지적 사고 특성과 흐름을 이해하는데 기여하며 프로그래밍에서의 사고 과정을 과학적으로 분석할 수 있는 준거를 제시한다.

• 공학교육연구
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• 제15권3호
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• pp.66-71
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• 2012

In this paper, we try to explore basic factors that defines easy-to-learn programming language and easy-to-learn development environments for novice students who have not been exposed to computer programming language education. For these purpose, we investigate and analyze computer programming languages that are widely used in industrial environments, and present the summary and analyzed results. From the experimental results, most novice programmers understand computer programming languages in terms of procedural programming languages rather than in terms of functional programming languages or object oriented programming languages. Furthermore, we have found that, for effective education of basic level programming languages, factors of development environments are much more important than factors of programming paradigms that the computer programming languages are based on.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권2호
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• pp.131-139
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• 1996

Inthis apper wa analyzed the channel-hot-electron programming characteristics of the single-poly EEPROM with different control gate and drain structures. The single-poly EEPROM uses the p$^{+}$/n$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate instead of the second poly-silicon. The program and erase characteristics of the single-poly EEPROM were verified using the two-dimensional device simulator, MEDICI. The single-poly EEPROM was fabricated using 0.8$\mu$m ASIC CMOS process, and its CHE programming characteristics were measured using HP4155 parameteric analyzer and HP8110 pulse gnerator. Especially we investigated the CHE programming characteristics of the single-poly EEPROM with the p$^{+}$-diffusion or n$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate and the LDD or single-drain structure. The single-poly EEPROM with p$^{+}$-diffusion in the n-well as a control gate and single-drain structure was programmed to about VT$\thickapprox$5V with VDS=6V, VCG=12V(1ms pulse width).th).

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권9호
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• pp.56-63
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• 1997

There generally exists a large variation in the thereshold voltages of the flash EEPROM cells after they are erased by using th fowler-nordheim tunneling, thereby getting some cells to be overeased. If the overerased cells are programmed with the conventional one-step programming scheme where an 12-13V pulse with the duration of 100.mu.S is applie don the control gate for the programming, they can suffer from the significant degradation of the reliability of the gate oxide. A two-step programming schem, where an 8/12 V pulse with a duration of 50.mu.S for each voltage is applied on the control gate for the programming, has been studied to solve the problem. The experimental results hav eshown that there is little difference in the programming characteristics between those two schemes, whereas the degradation of the gate oxide due to the programming can be significantly reduced with the two-step programming scheme compared to that with the one-step programming scheme. This is possibly because the positive charge stored in the floating gate of the overerased cells is compensate dwith the electrons injected into the floating gate while the 8V pulse is applied on the control gate, which leaves the overerased cells in the normally erased state after the duration of the 8V pulse.

• 컴퓨터교육학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.15-23
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• 2010

Computational literacy 교육은 정보화 사회가 성숙되어 가면서 그 중요성이 점차 더 부각되고 있으나 이를 위한 교육전략에 대한 연구는 미비한 실정이다. 전통적인 교육에서는 학습자의 특성을 고려한 교육을 통해 학습효과를 높이고 있으며, 이를 computational literacy 교육에 적용하려면 해당 영역에서 학습자의 특성을 분석하는 연구가 선행되어야 한다. 따라서 본 연구에서는 computational literacy의 핵심영역인 프로그래밍을 가르친 후, 이때 나타난 학습자의 특성을 Felder의 학습스타일, 다중지능을 중심으로 분석하였다. 대학생 194명을 대상으로 교육용프로그래밍언어인 스크래치를 교육한 후, 학생들의 프로그래밍 성취도와 학습양식, 다중지능과의 관련성을 분석하였다. 나아가 프로그래밍 전문가 집단과 일반 학생들의 차이를 비교, 분석하여 시사점을 제시하였다.