Riewruja, V.;Linthong, A.;Kaewpoonsuk, A.;Guntapong, R.;Supaph, S.
제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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제어로봇시스템학회 2000년도 제15차 학술회의논문집
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pp.512-512
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2000
In this article, a current mode peak detector circuit is presented. The simple circuit configuration comprises four MOS transistors and one external capacitor. The realization method is suitable fur fabrication using CMOS technology and all transistors are operated in their saturation region. The proposed circuit exhibits a very low drop rate and provides high accuracy, high-speed and wide dynamic range. The proposed circuit has very low power dissipation and operates using a single 2.5V supply. Simulation results confirmed the characteristic of the proposed circuit are also included.
Ha, Yong-Min;Park, Jae-Deok;Yeo, Ju-Cheon;Kim, Dong-Gil
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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pp.153-154
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2000
Large size poly-Si TFT-LCDs have been fabricated using p-channel thin film transistors for notebook PC application. We have designed and implemented the data sampling circuit and gate drivers that operate with low power consumption and high reliability. The gate driver has a redundant structure. We have realized the uniform and excellent display quality comparable to that of CMOS module. The reliability of panel is investigated and discussed by measuring the bias stability of transistors.
As CMOS technology scales down, the design of analog signal processing circuit becomes far more difficult because of steadily decreasing supply voltage and smaller intrinsic gain of transistors. With sub-1V supply voltage, the conventional analog signal processing relying on high-gain amplifiers is not an effective solution and different approach has to be sought. One of the promising approaches is "time-domain analog signal processing" which exploits the improving switching speed of transistors in a scaled CMOS technology. In this paper, various time-domain analog signal processing techniques are explained with some experimental results.
Carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) have been widely studied as a promising technology to be included in post-complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits. Despite significant advantages in terms of delay and power dissipation, the fabrication process for CNTFETs is plagued by fault occurrences. Therefore, developing a fast and accurate method for estimating the reliability of CNTFET-based digital circuits was the main goal of this study. In the proposed method, effects related to faults that occur in a gate's transistors are first represented as a probability transfer matrix. Next, the target circuit's graph is traversed in topological order and the reliabilities of the circuit's gates are computed. The accuracy of this method (less than 3% reliability estimation error) was verified through various simulations on the ISCAS 85 benchmark circuits. The proposed method outperforms previous methods in terms of both accuracy and computational complexity.
Recently, the demand for micro hard disk drive that provides high-capacity removable storage for handhold electronic devices is growing very rapidly Reducing power consumption is one of the primary control objectives in micro disk drives. The input power delivered to the seek servo system is consumed as heat by the transistors of power amplifier and motor coil resistance. In this paper, we present a new seek servo controller for minimizing the power consumption. We use a Fourier decomposition and nonlinear programming to determine the optimum seek profile that minimizes the power consumption. Also, the trajectory tracking controller is developed for exact tracking of the optimum seek profile. Finally, we present some experimental results using a commercially available micro disk drive in order to demonstrate the superior performance of the proposed controller.
In this paper, a new symmetric multilevel inverter is proposed. A simple structure for the cascaded multilevel inverter topology is also proposed, which produces a high number of levels with the application of few power electronic devices. The symmetric multilevel inverter can generate 2n+1 levels with a reduced number of power switches. The basic unit is composed of a single and double source unit (SDS-unit). The application of this SDS-unit is for reducing the number of power electronic components like insulated gate bipolar transistors, freewheeling diodes, gate driver circuits, dc voltage sources, and blocked voltages by switches. Various new algorithms are recommended to determine the magnitude of dc sources in a cascaded structure. Furthermore, the proposed topology is optimized for different goals. The proposed cascaded structure is compared with other similar topologies. For verifying the performance of the proposed basic symmetric and cascaded structure, results from a computer-based MATLAB/Simulink simulation and from experimental hardware are also discussed.
This research concerns field rings for 3.3kV planar gate power insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). We design an optimal field ring for a 3.3kV power IGBT and analyze its electrical characteristics according to field ring parameters. Based on this background, we obtained 3.3kV high breakdown voltage and a 2.9V on state voltage drop. To obtain high breakdown voltage, we confirmed that the field ring count was 23, and we obtained optimal parameters. The gap distance between field rings $13{\mu}m$ and the field ring width was $5{\mu}m$. This design technology will be adapted to field stop IGBTs and super junction IGBTs. The thyristor device for a power conversion switch will be replaced with a super high voltage power IGBT.
In the current source type active power filter, the DC current source is implemented using an inductor with large inductance by maintaining the inductor current constantly. In this case, to compensate the loss of the switching devices of the power converter and the inductor, some real power should be supplied to the filter from the source. This process is analyzed through the equivalent circuit which expresses the loss of the switching devices and the inductor with the equivalent resistor R. This work discusses the validation of this DC side equivalent circuit and points out the problems, through the experiments using the experimental active power filter with 220V, 10KVA ratings, and suggests a more accurate equivalent circuit which puts the saturation voltage of the power transistors and the threshold voltage of the diodes into consideration.
In recent, due to the advanced development of the power semiconductor devices, the Digital Simulation becomes essential in order to investigate the behavior of the system before the manufacturing of the system by using computer for design and analysis of Power Electronic systems. This paper develope the program so-called PECA, which can be applied for the Power Electronic circuits composing of power transistors, thyristers, GTOs and power FET, etc. We consider transistor DC chopper circuit and prove the effectiveness of our program by both the experiment and simulation.
Power factor improved for single-phase buck-converter is studied in the paper. To sinusoidal waveform the input current with a near-unity power factor over a wide variety of operating conditions, the output capacitor is operated with voltage reversibility for the supply by arranging the auxiliary diode and power switching device. Then the output voltage is superposed on the input voltage during on time duration of power switching devices in order to minimize the input current distortion caused by the small input voltage when changing the polarity. The tested setup, using two insulated gate bipolar transistors(IGBT) and a microcomputer, is implemented and IGBT are switched with 20[kHz], which is out of the audible band. Moreover, a rigorous state-space analysis is introduced to predict the operation of the rectifier. The simulated results confirm that the input current can be sinusoidal waveform with a near-unity power factor and a satisfactory output voltage regulation can be achieved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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