• 전기전자학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.244-250
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• 2012

본 연구에서는 중소규모 지상파 DTV 방송의 난시청지역 해소를 위하여 우리나라 및 외국의 기술현황 및 관련 기술기준들을 고찰하였다. 이를 이용하여 출력 10mW/MHz 이하인 특정 소출력 디지털 텔레비전(DTV) 방송중계용 무선기기의 송신 요구기준을 제안하였으며, 실험을 통하여 제안한 방식의 유효성을 입증하였다. 본 논문에서 제안한 방식은 기존 방식에 비해 경제적이고도 소형으로 중계기를 구현할 수 있어 수 km 미만의 중소규모 난시청 지역이 많이 발생하는 우리나라 DTV 수신환경 개선에 널리 사용될 수 있다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제8권1호
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• pp.27-37
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• 2005

During laser spot welding of the braun tube electron gun, phenomena such as serious spattering and oxidative reaction, etc. were occurred. The spatter occurred from weld pool affects the braun tube, namely it blocks up a very small hole on the shadow mask and causes short circuit between two poles of the electron gun. We guessed that high power density and oxidative reaction are main sources of these problems. So, we studied to prevent and to reduce spatter occurring in spot welding of the braun tube electron gun using pulsed Nd:YAG laser. The characteristics of laser output power was estimated, and the loss of laser energy by optical parameter and spatter was measured by powermeter. The effects of welding parameters, laser defocused distance and incident angle, were investigated on the shape and penetration depth of the laser welded bead in flare and flange joints. From these results, the laser peak power was a major factor to control penetration depth and to occur spatter. It was found that the losses of laser energy by optic parameter and sticked spatter affect seriously laser weldability of thin sheets.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권3호
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• pp.244-250
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• 2008

An inductively coupled plasma etching process to replace an existing slower rate reactive ion etching process for $60{\mu}m$ diameter via-holes using Cl2/BCl3 gases has been investigated. Process pressure and platen power were varied at a constant ICP coil power to reproduce the RIE etched $200{\mu}m$ deep via profile, at high etch rate. Desired etch profile was obtained at 40 m Torr pressure, 950 W coil power, 90W platen power with an etch rate ${\sim}4{\mu}m$/min and via etch yield >90% over a 3-inch wafer, using $24{\mu}m$ thick photoresist mask. The etch uniformity and reproducibility obtained for the process were better than 4%. The metallized via-hole dc resistance measured was ${\sim}0.5{\Omega}$ and via inductance value measured was $\sim$83 pH.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제17권1호
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• pp.20-28
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• 2017

A fully integrated dual-band CMOS power amplifier (PA) is developed for 802.11n WLAN applications using wafer-level package (WLP) technology. This paper presents a detailed design for the optimal impedance of dual-band PA (2 GHz/5 GHz PA) output transformers with low loss, which is provided by using 2:2 and 2:1 output transformers for the 2 GHz PA and the 5 GHz PA, respectively. In addition, several design issues in the dual-band PA design using WLP technology are addressed, and a design method is proposed. All considerations for the design of dual-band WLP PA are fully reflected in the design procedure. The 2 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 26.3 dBm with a peak power-added efficiency (PAE) of 32.9%. The 5 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 24.7 dBm with a PAE of 22.2%. The PA is tested using an 802.11n signal, which satisfies the stringent error vector magnitude (EVM) and mask requirements. It achieved an EVM of -28 dB at an output power of 19.5 dBm with a PAE of 13.1% at 2.45 GHz and an EVM of -28 dB at an output power of 18.1 dBm with a PAE of 8.9% at 5.8 GHz.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권11호
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• pp.978-984
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• 2015

본 논문에서는 유무인항공기에서 사용될 통달거리 200 km, 전송속도 45 Mbps급 데이터 전송장비의 RF 송수신기에 대해 다룬다. RF 송수신기는 Ku 대역에서 동작하도록 설계되었으며, 상/하향 변환모듈, 고출력 증폭 모듈, 전단 처리 모듈로 구성된다. 제안된 RF 송수신기의 성능을 만족시키기 위해 출력신호 레벨이 10 W급인 전력 증폭기가 요구되었으며, 이는 GaN 소자기반의 전력증폭기로 구현되었다. 또한, 적응형 전송속도 변환기능이 요구되었고, 이를 위해 다양한 대역폭의 신호를 수신할 때의 상호 주파수 간섭을 최소화하기 위하여 6종의 SAW 필터로 구성된 수신기 구조가 적용되었다. 시스템 요구사항의 만족 여부를 확인하기 위해 AWR 시뮬레이션 툴을 이용하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제39A권10호
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• pp.613-615
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• 2014

본 논문에서는 TVWS(TV white space)용 광대역 고선형 전력증폭기의 설계 및 구현에 대해서 기술한다. TVWS용 전력증폭기는 기존의 방송시스템에 미치는 영향을 최소화하기 위해서 방사전력 및 스펙트럼 마스크를 엄격하게 제한해야 한다. 구현한 전력증폭기는 460 ~ 698MHz 대역에서 동작하며, $24.7{\pm}1dB$의 이득, -25dB 이하의 입력반사계수, -7.82dB 이하의 출력반사계수 그리고 22.2dBm 출력전력에서 -57.7dBc의 선형성을 갖는다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권2호
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• pp.75-80
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• 2005

본 논문에서는 5.8GHz 무선랜에 적용할 수 있는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 전력증폭기는 2단으로 구성되며 측정결과 중심주파수 5.8GHz에서 21.6dBm의 PldB 출력전력과 100MHz 대역에서 17.6dB 이득과 -17.8dB 이하의 입력반사손실을 얻었다. 설계된 전력증폭기의 왜곡과 출력 ACPR 관계를 분석하기위해, 최대 54Mbps의 전송속도를 가지는 IEEE 802.11a OFDM 변조부와 송신부를 모델링하였다. 전력증폭기의 비선형특성은 behavioral model을 이용하여 AM-to-AM과 AM-to-PM으로 모델링하였으며, 위상 왜곡에 따른 출력스펙트럼 특성을 해석하였다. IEEE 802.11a 무선랜 시스템의 요구 출력스펙트럼 마스크를 만족하기위한 PldB로부터 back-off값을 구하기 위하여 위상왜곡에 따른 전력증폭기의 ACPR 특성을 시뮬레이션하고 사전왜곡방식을 이용하여 증폭기의 위상왜곡을 변화시키며 측정한 결과와 시뮬레이션 특성을 비교 제시하였다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.201-210
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• 2005

본 논문에서는 입력 데이터 특성을 반영하여 전력 효율이 좋은 2차원 DCT/IDCT 구조를 제안한다. 일반적으로 비디오와 영상 데이터 압축에 있어서 제로 또는 작은 값들이 입력 데이터의 많은 부분을 차지하므로 제안 방식에서는 이러한 특성을 이용하여 소모 전력을 줄인다. 특히, 간단한 AND와 비트-슬라이스 매스크(MASK)를 사용하여 곱셈기와 누산기 (accumulator) 내에서 제로를 곱하는 것을 생략하고 요구되는 세분화된 가산기들의 비트-슬라이스를 동적으로 활성화 또는 비 활성화한다. 제안 방식을 1-D DCT/IDCT에 적용하여 얻은 결과에서는 매트릭스 전치에서 전력 절감을 위해 이용되는 불필요한 부호확장비트(SEBs)를 갖고 있지 않음을 보여주고 있다. 비트 레벨 트랜지션 빈도 시뮬레이션(bit-level transition activity simulations)을 통해 기존의 설계에 비해 뚜렷한 전력 절감 효과를 확인하였다.

• 정보보호학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.739-747
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• 2015

전력분석의 대응기법으로 가장 널리 알려진 마스킹 기법은 암호 알고리즘 수행 도중 비밀 중간 값을 노출시키지 않게 함으로써 공격자가 필요한 정보를 얻지 못하도록 한다. 마스킹 기법은 대칭키 암호 알고리즘에 적용되어 많은 연구가 진행되었다. 국제표준 알고리즘인 SEED 알고리즘에 대해 마스킹 대응기법 연구가 진행되었다. Cho 등이 제안한 Masked SEED 알고리즘은 1차 전력분석에 안전할 뿐만 아니라 Arithmetic to Boolean 변형 함수의 호출을 줄임으로써 효율성까지 만족시켰다. 본 논문에서는 Cho 등이 제안한 Masked SEED에 대한 취약점을 분석하였다. 효율적인 연산을 위해 추가로 수행되는 사전연산에 의해 마스크 값이 노출되고 이를 이용하여 1차 전력분석 공격으로 비밀키를 복원하였다. 우리는 이론적인 측면과 실험적인 측면을 모두 고려하여 취약점을 분석하였으며 제안한 공격기법은 Cho 등이 제안한 알고리즘이 탑재된 모든 디바이스에서 공통적으로 적용될 수 있음을 예상한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2013

초고집적 회로에 적용되는 반도체 소자의critical dimension (CD)이 수 nano 사이즈로 줄어들고 있기 때문에, 다양한 물질의 식각을 할 때, 건식식각의 중요성이 더 강조되고 있다. 특히 $SiO_2$와 같은 유전체 물질을 식각할 때, plasma process induced damages (P2IDs)가 관찰되어 왔고, 이러한 P2IDs를 줄이기 위해, pulsed-time modulation plasma가 광범위하게 연구되어 왔다. Pulsed plasma는 정기적으로 radio frequency (RF) power on과 off를 반복하여 rf power가 off된 동안, 평균전자 온도를 낮춤으로써, 웨이퍼로 입사되는 전하 축적을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한 fluorocarbon plasmas를 사용하여 $SiO_2$를 식각하기 위해 Dual-Frequency Capacitive coupled plasma (DF-CCP)도 널리 연구되어 왔는데, 이것은 기존의 방법과는 다르게 plasma 밀도와 ion bombardment energy를 독립적으로 조절 가능하다는 장점이 있어서 미세 패턴을 식각할 때 효과적이다. 본 연구에서는 Source power에는 60 MHz pulsed radio frequency (RF)를, bias power에는 2 MHz continuous wave (CW) rf power가 사용된 system에서 Ar/$C_4$ F8/$O_2$ 가스 조합으로, amorphous carbon layer (ACL)가 hard mask로 사용된 $SiO_2$를 식각했다. 그리고 source pulse의 duty ratio와 pulse frequency의 효과에 따른 $SiO_2$의 식각특성을 연구하였다. 그 결과, duty ratio의 감소에 따라 $SiO_2$, ACL의 etch rate이 감소했지만, $SiO_2$/ACL의 etch selectivity는 증가하였다. 반면에 pulse frequency의 변화에 따른 두 물질의 etch selectivity는 크게 변화가 없었다. 그 이유는 pulse 조건인 duty ratio의 감소가 전자 온도 및 전자 에너지를 낮춰 $C_2F8$가스의 분해를 감소시켰으며, 이로 인해 식각된 $SiO_2$의 surface와 sidewall에 fluorocarbon polymer의 형성이 증가하였기 때문이다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 etch selectivity뿐만 아니라 etch profile까지 향상되는 것을 확인할 수 있었다.